Лазеры Скачать
презентацию
<<  Принцип работы лазера Применение лазеров  >>
Люминесценция в полупроводниках (а) Инверсия населённостей в
Люминесценция в полупроводниках (а) Инверсия населённостей в
Инжекционные лазеры
Инжекционные лазеры
Инжекционные лазеры
Инжекционные лазеры
П.л. с электронной накачкой
П.л. с электронной накачкой
П.л. с электронной накачкой
П.л. с электронной накачкой
Применение п.л
Применение п.л
Фото из презентации «Полупроводниковые лазеры» к уроку физики на тему «Лазеры»

Автор: Пользователь. Чтобы познакомиться с фотографией в полном размере, нажмите на её эскиз. Чтобы можно было использовать все фотографии на уроке физики, скачайте бесплатно презентацию «Полупроводниковые лазеры» со всеми фотографиями в zip-архиве размером 367 КБ.

Скачать презентацию

Полупроводниковые лазеры

содержание презентации «Полупроводниковые лазеры»
Сл Текст Эф Сл Текст Эф
1Полупроводниковые лазеры. Выполнила: Вартанова Анна0 7р—n-переход, гетеропереход или контакт металл —0
У4-02. полупроводник (инжекционные лазеры); Накачка пучком
2Содержание: Полупроводниковые лазеры и их0 быстрых электронов; Оптическая накачка; Накачка путём
особенности Историческая справка Люминесценция и пробоя в электрическом поле. Наибольшее развитие
инверсия населенностей в полупроводниках Методы накачки получили П. л. первых двух типов.
в п.л. Инжекционные лазеры П.л. с электронной накачкой 8Инжекционные лазеры.0
П.л. материалы Применение п.л. 9П.л. с электронной накачкой.0
3Полупроводниковый лазер -. полупроводниковый0 10Полупроводниковые лазерные материалы:0
квантовый генератор, лазер с полупроводниковым Полупроводник. Длина волны излучения, мкм. Максимальная
кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л., в рабочая температура, К. Способ накачки. ZnS ZnO
отличие от лазеров др. типов, используются Zn1-xCdxS ZnSe CdS ZnTe CdS1-xSex CdSe CdTe. 0,32 0,37
излучательные квантовые переходы не между 0,32—0,49 0,46 0,49—0,53 0,53 0,49—0,68 0,68—0,69 0,79.
изолированными уровнями энергии атомов, молекул и 77 77 77 77 300 77 77 77 77. Э э э э, о, п э э, о э, о
ионов, а между разрешенными энергетическими зонами э, о. GaSe GaAs1-xPx AlxGa1-xAs InxGa1-xP GaAs lnP
кристалла. В П. л. возбуждаются и излучают InxGa1-xAs InP1-xAsx InAs InSb. 0.59 0,62—0,9 0,62—0,9
(коллективно) атомы, слагающие кристаллическую решётку. 0,60—0,91 0,83—0,90 0,90—0,91 0,85—3,1 0,90—3,1 3,1—3,2
4Важные особенности п.л. Компактность Высокая0 5,1—5,3. 77 300 300 77 450 77 300 77 77 100. Э, о э, о,
эффективность преобразования электрической энергии в и о, и о, и э, о, и, п о, и, п о, и о, и э, о, и э, о,
энергию когерентного излучения (до 30—50%); Малая и. PbS PbS1-xSx PbTe PbSe PbxSn1-xTe. 3,9—4,3 3,9—8,5
инерционность, обусловливающая широкую полосу частот 6,4—6,5 8,4—8,5 6,4—31,8. 100 77 100 100 100. Э, и о, и
прямой модуляции (более 109 Ггц); Простота конструкции; э, о, и э, о, и э, о, и.
Возможность перестройки длины волны излучения и наличие 11Применение п.л. Оптическая связь (портативный0
большого числа полупроводников, непрерывно оптический телефон, многоканальные стационарные линии
перекрывающих интервал длин волн от 0,32 до 32 мкм. связи); Оптическая локация и специальная автоматика
5Историческая справка: 1959 г. – опубликована первая0 (дальнометрия, высотометрия, автоматическое слежение и
работа о возможности использования полупроводников для т.д.); Оптоэлектроника (излучатель в оптроне,
создания лазера 1961 г. – для этих целей предложено логические схемы, адресные устройства, голографические
применение p-n переходов 1962 г. – осуществлены п.л. На системы памяти), Техника специального освещения
кристалле GaAs (США) 1964 г. – осуществлен п.л. с (скоростная фотография, оптическая накачка др. лазеров
электронным возбуждением; сообщено о создании п.л. с и др.); Обнаружение загрязнений и примесей в различных
оптической накачкой 1968 г. – созданы п.л. с средах; Лазерное проекционное телевидение. 1 —
использованием гетероструктуры. электронная пушка; 2 — фокусирующая и отклоняющая
6Люминесценция в полупроводниках (а) Инверсия0 система; 3 — полупроводниковый кристалл — резонатор; 4
населённостей в полупроводниках (б). — объектив; 5 — экран.
7Методы накачки в п.л. Инжекция носителей тока через0 12Спасибо за внимание!0
12 «Полупроводниковые лазеры» | Полупроводниковые лазеры 0
http://900igr.net/fotografii/fizika/Poluprovodnikovye-lazery/Poluprovodnikovye-lazery.html
cсылка на страницу
Урок

Физика

133 темы
Фото
Презентация: Полупроводниковые лазеры | Тема: Лазеры | Урок: Физика | Вид: Фото
900igr.net > Презентации по физике > Лазеры > Полупроводниковые лазеры