Физика
<<  Электролиз Электроприборы  >>
Презентации о полупроводниках для уроков физики

Чтобы посмотреть содержание презентации нажмите на её эскиз. Чтобы бесплатно скачать презентацию по полупроводникам нажмите на её название.

Презентации о полупроводниках

список всех презентаций по полупроводникам в виде таблицы
Название презентации Автор Слайды Слова Звуки Эффекты Время Скачать
Полупроводники Пользователь19112404500:00 2 373 кБ
Ток в полупроводниках 243980000:00 1 044 кБ
Физика полупроводников 141149813600:00 4 330 кБ
Проводимость полупроводников 271155025400:00 262 кБ
Электрический ток в полупроводниках Агафонцев198470000:00 1 416 кБ
Полупроводниковые приборы HomePC331817012900:00 2 058 кБ
Физика полупроводниковых приборов SANTERI3331150000:00 2 413 кБ
Диод Елена16144302000:00 1 392 кБ
Полупроводниковые диоды 2418280000:00 2 288 кБ
Транзистор Анна3517510117:30 209 кБ
Принцип транзистора ws18116208100:00 553 кБ
Полевые транзисторы Сидорова в.Б.104000000:00 200 кБ
Эмиттеры Мавпа2619690000:00 1 146 кБ
Всего : 13 презентаций 325 00:17 19 мБ
Чтобы посмотреть презентацию нажмите на ссылку в столбце «Название презентации».
Чтобы бесплатно скачать презентацию нажмите на ссылку в колонке «Скачать».

Презентации про полупроводники

содержание презентаций, которые знакомят с полупроводниками

Полупроводники

Слайдов: 19   Слов: 1124   Звуков: 0   Эффектов: 45

Полупроводники. Строение кристалла кремния. Электрон. Количество электронов. Элемент. Переход. Полупроводниковые диоды. Протекание тока. Переменное напряжение. Применение транзисторов. - Полупроводники.pptx

Ток в полупроводниках

Слайдов: 24   Слов: 398   Звуков: 0   Эффектов: 0

Электрический ток в полупроводниках. Удельное сопротивление. t - время рассеяния носителей на примесях и фононах Стационарный режим. Плотность тока. Подвижность. Металлы: Время рассеяния носителей. В полупроводниках. Подвижность носителей тока. Зонная структура InSb. Ширина запрещенной зоны, Eg (eV). Электронные переходы при поглощении света. Зонная структура и спектр поглощения Ge. Примерный спектр поглощения типичного полупроводника группы III-V. Временная релаксация фотопроводимости. Доноры Ge: P, As, Sb. Проводимость чистого полупроводника примесного полупроводника. Полупроводниковый диод. - Ток в полупроводниках.ppt

Физика полупроводников

Слайдов: 41   Слов: 1498   Звуков: 1   Эффектов: 36

Применение полупроводников форма – деловая игра. План урока: (6.06 1850-20.04 1918) -немецкий физик. Браттейн Уолтер. Окончил колледж Витмана (штат Орегон). Френкель Яков Ильич. Окончил Петроградский университет(1916). Вагнер Карл Вильгельм. С Вальтер Шоттки разработал (1930) теорию электролитического переноса. Вильсон Алан Хэррис. Открыл ряд фундаментальных закономерностей в полупроводниках. В 1932 построил квантовую теорию полупроводников. (23.05 1908)- американский физик. В 1968-69 был президентом Американского физического общества. Жорес Алферов-Нобелевский лауреат 2005г. - Физика полупроводников.ppt

Проводимость полупроводников

Слайдов: 27   Слов: 1155   Звуков: 0   Эффектов: 254

Электрический ток в полупроводниках. Вопросы. Разные вещества имеют различные электрические свойства. Собственная проводимость полупроводников. Изменения в полупроводнике. Примесная проводимость полупроводников. Акцепторные примеси. P – n переход и его электрические свойства. Обратное включение. Полупроводниковый диод и его применение. Применение полупроводниковых диодов. Схема двухполупериодного выпрямителя. Полупроводниковые приборы. - Проводимость полупроводников.ppt

Электрический ток в полупроводниках

Слайдов: 19   Слов: 847   Звуков: 0   Эффектов: 0

Электрический ток в различных средах. Все металлы являются проводниками электрического тока. Зависимость силы тока от напряжения (ВАХ) в проводнике определяется законом Ома. Применение тока в металлах: Электрический ток в полупроводниках. Полупроводники с акцепторными примесями обладают дырочной проводимостью и называются полупроводниками p-типа. Электрический ток в вакууме отсутствует, т.к. нет свободных носителей заряда. Вакуумный диод – пробор с односторонней проводимостью. Электролиты – растворы солей, кислот и щелочей. CuSO4 = Cu2+ +SO42- Электролиты обладают ионной проводимостью. - Электрический ток в полупроводниках.ppt

Полупроводниковые приборы

Слайдов: 33   Слов: 1817   Звуков: 0   Эффектов: 129

Классификация и обозначения полупроводниковых приборов. Термины, определения и буквенные обозначения параметров; 19095-73 – Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров; 20332-84 – Тиристоры. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов. Второй элемент- подкласс полупроводниковых приборов. Третий элемент. Пятый элемент. За рубежом существуют различные системы обозначений полупроводниковых приборов. Используются 4 латинские буквы A, B, C и D, в соответствии с видом полупроводника или полупроводникового соединения. - Полупроводниковые приборы.ppt

Физика полупроводниковых приборов

Слайдов: 33   Слов: 3115   Звуков: 0   Эффектов: 0

Светодиоды и полупроводниковые лазеры. Принцип действия светодиода. Светодиод на основе гетероперехода. Широкозонные внешние части гетероперехода. Квазиимпульс при межзонных переходах сохраняется. Конструкция светодиодов. Светодиод с множественными квантовыми ямами. Лазеры. Физика полупроводниковых лазеров. Стимулированное излучение. Пороговая плотность тока. По мере увеличения тока усиление растет. Полупроводниковые лазеры. Деградация лазеров. Полупроводниковые лазеры находят применение в различных областях. - Физика полупроводниковых приборов.ppt

Диод

Слайдов: 16   Слов: 1443   Звуков: 0   Эффектов: 20

Доклад по микро- и оптоэлектронике. Обращенные диоды. Туннельный диод. Рассчитаем, чему равна геометрическая ширина вырожденного p-n перехода. Токи в туннельном диоде. Туннельный диод.swf. Пиковый ток соответствует максимуму ВАХ в области туннельнго эффекта. Ток впадины Iв и Uв характеризуют ВАХ в области минимума тока. В момент времени t = 0 справедливо уравнение распределения инжектированных носителей в базе. Координатные зависимости концентрации p(x,t) в различные моменты времени. Зависимость обратного тока J(t) имеет следующий вид: Время, в течение которого обратный ток постоянен, называют временем среза. - Диод.ppt

Полупроводниковые диоды

Слайдов: 24   Слов: 1828   Звуков: 0   Эффектов: 0

Полупроводниковые диоды. Свойство односторонней проводимости. Плоскостные диоды. Напряжение порога проводимости. Виды полупроводниковых диодов. Стабилитроны. Варикапы. Маркировка. Закрепление материала. Основные группы. Модель диода. - Полупроводниковые диоды.ppsx

Транзистор

Слайдов: 35   Слов: 1751   Звуков: 0   Эффектов: 1

Биполярные транзисторы. К легирован примесью значительно сильнее, чем база. Принцип действия транзистора в качестве усилителя. Заключенная между эмиттером и коллектором n-область называется базой транзистора. В результате начнётся взаимная инжекция носителей в базу и эмиттер . распределение носителей Pn, инжектированных эмиттером в базу, изменяется по линейному закону . Все рассмотренные законы распределения носителей действительны только для бездрейфового транзистора. Концентрация дырок в базе увеличивается. Электроны, устремившиеся в базу, создают вблизи эмитерного перехода объемный отрицательный заряд. - Транзистор.ppt

Принцип транзистора

Слайдов: 18   Слов: 1162   Звуков: 0   Эффектов: 81

Транзистор. Из истории изобретения. Транзисторы биполярные. Принцип работы транзистора. Схемы включения биполярных транзисторов. Простейший усилитель на транзисторе. I, мa. Полупроводниковый транзистор. Влияние температуры. - Принцип транзистора.ppt

Полевые транзисторы

Слайдов: 10   Слов: 400   Звуков: 0   Эффектов: 0

Полевые транзисторы. Классификация полевых транзисторов. Вольт-амперные характеристики. Принцип работы. Условные графические изображения полевых транзисторов. - Полевые транзисторы.pptx

Эмиттеры

Слайдов: 26   Слов: 1969   Звуков: 0   Эффектов: 0

Разработка SiC автоэмиттеров. Классификация и типы эмиттеров. Преимущества SiC полупроводниковых материалов. Пример простейшего катода. Маршрут изготовления. Расчет поля автокатода. Напряженность вблизи кончика эмиттера. Распределение электрического потенциала. Исследование влияния редкоземельных металлов. Измерение толщины слоя напыленного Ni. Измерение ВАХ системы. Измерение распределения работы выхода. - Эмиттеры.ppt



Урок

Физика

133 темы
Тема: Полупроводники | Урок: Физика | Вид: Фото
900igr.net > Презентации по физике > Полупроводники