Сл |
Текст |
Эф |
Сл |
Текст |
Эф |
1 | ПОЛУЧЕНИЕ И СВОЙСТВА СТАБИЛЬНЫХ ИЗОТОПОВ КРЕМНИЯ | 0 |
12 | M-1/2. | 0 |
ВЫСОКОЙ ХИМИЧЕСКОЙ И ИЗОТОПНОЙ ЧИСТОТЫ А.В.Гусев, |
13 | Теплоемкость изотопнообогащенного кремния Si-28, | 0 |
В.А.Гавва, А.М.Гибин Институт химии высокочистых |
Si-29, Si-30. (1). (2). 28Si: ?D = 641?2 K 29Si: ?D = |
веществ РАН г. Нижний Новгород gusev@ihps.nnov.ru. |
627?2 K 30Si: ?D = 616?3 K. Измерения проведены |
2 | Схема получения моноизотопного кремния. Выращивание | 0 |
совместно с Институтом исследований твердого тела |
монокристаллов. Получение поликристалличес-кого |
общества Макса Планка (Штутгарт, Германия). |
кремния. Синтез и глубокая очистка силана. Разделение |
14 | Теплопроводность изотопнообогащенного кремния-28. | 0 |
изотопов кремния. Синтез и очистка исходных летучих |
Измерения проведены совместно с РНЦ «Курчатовский |
соединений. |
институт». |
3 | Изотопное разбавление при выращивании монокристалла | 0 |
15 | Теплопроводность изотопнообогащенного кремния-28 в | 0 |
из кварцевого тигля. О2. SiH4 + H2. Горелка. Защитное |
интервале 50-300К. |
покрытие. Тигель. |
16 | Зависимость ширины запрещенной зоны кремния от | 0 |
4 | Получение стержня-подложки из моноизотопного | 0 |
атомной массы. |
кремния. |
17 | Перспективы применения моноизотопного кремния. | 0 |
5 | Изготовление монокристаллической затравки. U. | 0 |
Создание эталонов свойств и физических постоянных |
Зонноочищенный кремний. Поликристалл моноизотопного |
Изотопные сверхрешетки, элементы наноэлектроники |
кремния. Монокристалл природного кремния. |
Детекторы ионизирующих излучений - с высокой |
6 | Распределение концентрации изотопов по длине | 0 |
радиационной стойкостью - высокого временного и |
затравки. C(L)=Ci -(Ci - C0) e-L/U. 28Si. 29Si, 30Si. |
энергетического разрешения Монохроматоры рентгеновского |
7 | ___ - Расчет. Распределение изотопа кремния-29 по | 0 |
излучения Рефлекторы для рентгеновских лазеров |
длине затравки. - Эксперимент. |
Квантовые компьютеры. |
8 | 29Si (99,92%). Монокристаллы стабильных изотопов | 0 |
18 | Благодарю за внимание ! | 0 |
кремния. 28Si (99,99%). 30Si (99,97%). Содержание |
19 | | 0 |
газообразующих примесей (C,О) <1.1016 см-3 Удельное |
20 | Схема получения высокочистых моноизотопных силанов. | 0 |
электросопротивление (300 К) - 100-200 ом*см. |
Изотопный состав силанов. Содержание примесей в |
9 | Примесный состав монокристаллического | 0 |
очищенном силане. Синтез тетрафторида кремния 500-600?С |
моноизотопного кремния. |
Na2SiF6(тв) ? 2NaF(тв) + SiF4(г). Центробежное |
10 | Изотопный состав моносилана и полученного из него | 0 |
разделение 28SiF4, 29SiF4, 30SiF4. Синтез 28SiH4, |
поли- и монокристаллического кремния-29. |
29SiH4, 30SiH4 SiF4(г) + 2CaH2(тв.) ? SiH4(г) + |
11 | Спектры комбинационного рассеяния | 0 |
2CaF2(тв.). Очистка 28SiH4, 29SiH4, 30SiH4 от |
изотопнообогащенного кремния. w = AM -1/2 - B/ M. |
фторсодержащих примесей. Глубокая очистка 28SiH4, |
12 | Зависимость положения максимума полосы | 0 |
29SiH4, 30SiH4 1. Криофильтрация 2. Низкотемпературная |
комбинационного рассеяния от атомной массы. ? = 2758 * |
ректификация. |
20 |
«Изотопы кремния» | Изотопы кремния |
0 |