Электроприборы
<<  ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов  >>
Введение
Введение
Введение
Введение
Компании-лидеры по производству полупроводников
Компании-лидеры по производству полупроводников
Сравнительная характеристика
Сравнительная характеристика
Солнечная энергия
Солнечная энергия
Солнечная энергия
Солнечная энергия
Жорес Алферов
Жорес Алферов
Определение и свойства
Определение и свойства
ТРАНЗИСТОР С p-n-p ПЕРЕХОДОМ
ТРАНЗИСТОР С p-n-p ПЕРЕХОДОМ
Точечный транзистор
Точечный транзистор
Сплавной плоскостной транзистор
Сплавной плоскостной транзистор
Диффузионный транзистор
Диффузионный транзистор
Планарные биполярные транзисторы
Планарные биполярные транзисторы
Планарные биполярные транзисторы
Планарные биполярные транзисторы
Полевой транзистор
Полевой транзистор
Полевой транзистор
Полевой транзистор
Тиристоры
Тиристоры
Тиристоры
Тиристоры
Тепловые сопротивления (термисторы)
Тепловые сопротивления (термисторы)
Тепловые сопротивления (термисторы)
Тепловые сопротивления (термисторы)
Термисторы: широкое применение в технике
Термисторы: широкое применение в технике
Термисторы: широкое применение в технике
Термисторы: широкое применение в технике
Фоторезистор (видео)
Фоторезистор (видео)
Фоторезистор (видео)
Фоторезистор (видео)
Фоторезистор
Фоторезистор
Фоторезистор
Фоторезистор
Собственная проводимость полупроводников
Собственная проводимость полупроводников
Собственная проводимость полупроводников
Собственная проводимость полупроводников
Примесная проводимость полупроводников
Примесная проводимость полупроводников
Примесные уровни
Примесные уровни
Примесные уровни
Примесные уровни
P-n-переход
P-n-переход
Сверхвысокочастотные приборы
Сверхвысокочастотные приборы
Исследование свойств полупроводниковых приборов
Исследование свойств полупроводниковых приборов
Миниатюрность
Миниатюрность
Долговечность
Долговечность
Сравнительная характеристика
Сравнительная характеристика
Картинки из презентации «Исследование свойств полупроводниковых приборов» к уроку физики на тему «Электроприборы»

Автор: Dark. Чтобы познакомиться с картинкой полного размера, нажмите на её эскиз. Чтобы можно было использовать все картинки для урока физики, скачайте бесплатно презентацию «Исследование свойств полупроводниковых приборов.ppt» со всеми картинками в zip-архиве размером 1759 КБ.

Исследование свойств полупроводниковых приборов

содержание презентации «Исследование свойств полупроводниковых приборов.ppt»
Сл Текст Сл Текст
1Исследование свойств полупроводниковых 19измерения влажности, для измерения высоких
приборов. Руководитель: Батищева А. Б. МОУ давлений, механических напряжений,
Сортавальского МР РК СОШ №1. Авторы скорости или количества протекающих
работы: Шматков Павел Головачев Алексей жидкости, скорости движения.
Никитин Степан. 20Фоторезистор (видео). Когда на
2Цель работы. Показать необходимость транзистор падает свет достаточно большой
дальнейшего развития полупроводниковой энергии, т.е. с достаточно малой длиной
отрасли (несмотря на чувствительность к волны, в нем освобождаются
внешним факторам : повышение температуры, электронно-дырочные пары. Если пары
электрические перегрузки, проникающее возникают вблизи p-n-перехода с
излучение) производства путем выявления напряжением обратного смещения, они могут
преимуществ над остальными отраслями диффундировать в область перехода. Один из
научной сферы. носителей может быть ускорен напряжением,
3Введение. XX и XXI век характеризуется имеющимся на переходе, и тогда он
развитием полупроводниковой электроники и приобретает способность освобождать
микроэлектроники. Это привело к изменению дополнительные заряды в процессах
мировой экономики, основанной на новых столкновения. В материале n-типа
информационных технологиях. ускоряется дырка, в материале p-типа –
4Компании-лидеры по производству электрон. Поскольку заряды несут ток через
полупроводников. переход, он возникает и во внешней цепи,
5Сравнительная характеристика. т.е. свет преобразуется в электрический
6Солнечная энергия. ток.
7Жорес Алферов. Статья Жореса Алферова: 21Фоторезистор. Использование: 1.
«Перспективы развития нанотехнологий». Регистрация и изменения слабых световых
8Определение и свойства. Полупроводники потоков. 2. Обнаружение инфракрасных
– вещества, электрическая проводимость лучей. 3. В автоматических устройствах,
которых занимает промежуточное место между служащих для подсчета изделий движущихся
проводимостью металлов и диэлектриков. на конвейере, контроля их размеров
Полупроводник – это материал, который Например, турникет в метро работает именно
проводит электричество лучше, чем такой по такому принципу.
диэлектрик, как каучук, но не так хорошо, 22Вывод. Изучив литературу о
как хороший проводник, например медь. В полупроводниках, мы пришли в выводу, что
отличие от металлов, электропроводность полупроводники имеют существенные
полупроводников с повышением температуры и преимущества над остальными проводящими
освещенности возрастает. элементами: Миниатюрность Долговечность
9Полупроводниковые электронные приборы. Высокая чувствительность Возможность
Светодиод, или светоизлучающий диод (СИД) использования источников тока с малым
— полупроводниковое устройство, излучающее рабочим напряжением Низкое
некогерентный свет при пропускании через энергопотребление Экономичность.
него электрического тока. Излучаемый свет 23Ближайшее будущее полупроводников.
лежит в узком участке спектра, его Нанотехнологии: На основании
цветовые характеристики зависят от вышеприведенных таблиц и графиков можно
химического состава использованного в СИД сделать вывод, что нанотехнологическая
полупроводника. Как и в нормальном промышленность является самой
полупроводниковом диоде, в светодиоде перспективной отраслью на сегодняшний день
имеется p-n переход. При пропускании и находит свое применение практически во
электрического тока в прямом направлении, всех сферах жизни человека и общества.
носители заряда — электроны и дырки Несмотря на бурное развитие биотехнологий,
рекомбинируют с излучением фотонов. На появление биочипов сохранит
самом деле, любой кремниевый или востребованность очень долго. Именно
германиевый диод испускает фотоны, но поэтому, современная, и прежде всего,
правильный выбор материалов и технологии полупроводниковая, электроника, которую
позволяет минимизировать потери энергии. сегодня можно называть наноэлектроникой,
Светодиоды используются в сигнальных и является самым мощным потребителем научных
осветительных приборах. исследований, в том числе фундаментальных,
10Транзистор. Транзистор — трёхполюсный и, безусловно, прикладных. Следовательно,
полупроводниковый электронный прибор, необходимо усиленно развивать это
изменяющий своё сопротивление при направление науки.
приложении напряжения на управляющий 24Ресурсы. 1. «Основы наноэлектроники»
электрод, что позволяет управлять мощной Драгунов В.П. учеб. пособие /В.П.
цепью слабым сигналом. Благодаря этому Драгунов, И.П. Неизвестный, В.А. Гридчин.
свойству, транзистор применяется для Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. 332 с. 2.
усиления, коммутации и преобразования «Полупроводниковые приборы:» Пасынков В.В.
электрических сигналов. Транзисторы — Учебник для вузов /В.В. Пасынков, Л.К.
основа всех современных электронных Чиркин. 6-е изд., стер. СПб.: Лань, 2002.
устройств, они применяются практически во 480 с. 3. «Демонстрационный эксперимент по
всех современных бытовых приборах. Сейчас физике в старших классах средней школы»
большая часть транзисторов используется в В.А Буров , Б.С. Зворыкин т. II, под
составе интегральных микросхем. редакцией А.А. Покровского, «Просвещение»
Интегральная микросхема может содержать 1972 год 449 с.
миллионы транзисторов на одном кристалле 25Спасибо за внимание !!!
полупроводника (в основном кремния). 26Собственная проводимость
11ТРАНЗИСТОР С p-n-p ПЕРЕХОДОМ. полупроводников. Собственная проводимость
ТРАНЗИСТОР С ПЕРЕХОДОМ типа n-p-n или – проводимость идеальных чистых
p-n-p. Показаны эмиттер, коллектор и база. полупроводников(без примесей) Делится на
Транзисторы такого типа применяются в электронную и дырочную. Электронная
качестве усилителей. проводимость обусловлена наличием
12Точечный транзистор. Две заостренные свободных электронов Дырочная проводимость
проволочки прижаты к полупроводниковому обусловлена наличием дырок – вакантное
кристаллу n-типа (германий), припаянному к место с недостающим электроном.
металлическому кристаллодержателю. 1 – 27Собственная проводимость
латунный или иной кристаллодержатель; 2 – полупроводников. Собственная проводимость
области p-типа; 3 – припой или золотой возникает в результате перехода электронов
сплав (контакт базы); 4 – кристалл n-типа; с верхних уровней валентной зоны в зону
5 – эмиттерный точечный контакт проводимости. При этом в зоне проводимости
(бериллиевая бронза); 6 – коллекторный появляется некоторое число носителей тока
точечный контакт (фосфористая бронза); 7 – – электронов (на уровне вблизи дна зоны);
область n-типа. одновременно в валентной зоне
13Сплавной плоскостной транзистор. освобождается такое же число мест на
СПЛАВНОЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР типа pnp, верхних уровнях, в результате чего
показанный схематически в разрезе. появляются дырки.
Представляет собой электронный ключ, 28Примесная проводимость
который открывается и закрывается при полупроводников. Примесная проводимость
изменении направления смещения. Разные возникает, если некоторые атомы данного
варианты такого устройства применяются в полупроводника заменить в узлах
компьютерах, телефонном оборудовании и кристаллической решетки атомами,
радиоприемниках. валентность которых отличается на единицу
14Диффузионный транзистор. 1 – базовая от валентности основных атомов Изменяя
область p-типа; 2 – коллекторный переход; концентрацию примеси, можно значительно
3 – слой диоксида кремния; 4 – изменять число носителей заряда того или
коллекторный контакт; 5 – микрокристалл иного знака. Благодаря этому можно
кремния; 6 – вывод базы; 7 – эмиттерный создавать полупроводники с
вывод; 8 – электрическое соединение золото преимущественной концентрацией либо
– кремний; 9 – металлический отрицательно, либо положительно заряженных
кристаллодержатель; 10 – напыленный носителей.
электрод; 11 – эмиттерная область n-типа; 29Примесная проводимость
12 – эмиттерный переход. полупроводников. Донорные примеси При
15Планарные биполярные транзисторы. наличии примесей концентрация свободных
Термин «планарные» означает, что все электронов значительно возрастает и
переходы выходят на поверхность, где они становится в тысячу раз больше
могут быть защищены слоем диоксида концентрации свободных электронов в чистом
кремния. Используются носители обоих типов полупроводнике. Примеси, легко отдающие
– и электроны, и дырки, в отличие от электроны, называют донорными, и такие
полевых транзисторов Существуют два вида полупроводники являются полупроводниками
транзисторных структур – из объемного n-типа. В полупроводнике n-типа электроны
материала и эпитаксиальная. Первая являются основными носителями заряда, а
создается просто на поверхности пластинки дырки — не основными.
из «массивного» кремния. Такой транзистор 30Примесная проводимость
имеет тот недостаток, что у него большое полупроводников. Акцепторные примеси Для
последовательное сопротивление коллектора, образования нормальных парно-электронных
нежелательное в случае переключающего связей с соседями атому, например, индия
устройства. Этот недостаток отсутствует не достает электрона. В результате
при использовании эпитаксиального образуется дырка. Число дырок в кристалле
материала – тонкого слоя кремния с высоким равно числу атомов примеси. Такого рода
удельным сопротивлением (в котором может примеси называют акцепторными
быть создана транзисторная структура), (принимающими). При наличии электрического
выращенного поверх толстого слоя сильно поля дырки перемещаются по полю и
легированного материала. возникает дырочная проводимость.
16Полевой транзистор. Для изготовления Полупроводники с преобладанием дырочной
МОП-транзисторов используется высокоомный проводимости над электронной называют
кремний p- или n-типа. В кремнии p-типа полупроводниками р-типа.
методом диффузии создаются две сильно 31Примесные уровни. Полупроводники
легированные близлежащие области n-типа. n-типа. Полупроводники p-типа.
Одна из них, называемая истоком, является 32P-n-переход. Рис. 1. СХЕМАТИЧЕСКОЕ
входной. Другая – сток – служит выходом. ИЗОБРАЖЕНИЕ p-n-ПЕРЕХОДА. Это переходная
Над узкой промежуточной областью область между полупроводниковыми
наращивается тонкий изолирующий слой материалами p-типа и n-типа. Кружками со
(толщиной 200 нм и менее) диоксида знаками изображены подвижные носители
кремния. На него наносят слой металла или заряда: электроны (-) и дырки (+), а
кремния, который служит управляющим квадратами – неподвижные ионы в области
электродом. При подаче на управляющий перехода.
электрод положительного напряжения 33Сверхвысокочастотные приборы. В
возникает сильное электрическое поле, лавинно-пролетном диоде при лавинном
которое притягивает электроны к пробое в обратносмещенном p-n-переходе
поверхности кремния, и образуется возникают избыточные носители в области
проводящий канал n-типа, соединяющий исток дрейфа, т.е. в области, где носители
со стоком. Режим с положительным заряда движутся под влиянием приложенного
напряжением называется режимом обогащения. напряжения. Если размер области дрейфа
Можно изготавливать приборы, открытые в выбран правильно, то избыточные носители
отсутствие внешнего напряжения. проходят ее на протяжении отрицательного
Отрицательное напряжение в них сужает полупериода напряжения переменного тока.
канал и повышает его сопротивление; такой Далее ток увеличивается при уменьшении
режим называется режимом обеднения. напряжения. При этом существует своего
Изготавливаются также транзисторы с рода отрицательная проводимость, которую
каналом p-типа. можно использовать в объемном резонаторе
17Тиристоры. Тиристор состоит из двух для генерации СВЧ-колебаний.
транзисторов (npn и pnp), расположенных 34Сверхвысокочастотные приборы. Принцип
так, что коллектор pnp-части тиристора действия диода Ганна основан на свойстве
является базой npn-части, а коллектор вызывать замедление электронов в материале
npn-части – базой pnp-части. Если при некоторой критической напряженности
инжектировать небольшой ток в базу электрического поля. В соответствии с
npn-части, то он создаст для эмиттера законом Ома ток при слабых полях
прямое смещение, и возникнет ток эмиттера. пропорционален напряженности поля. Однако
Этот ток, собранный коллектором npn-части, при очень сильных полях энергии электронов
становится током базы pnp-части, который в полупроводниках (GaAs или InP)
вызывает появление тока эмиттера этой возрастают до величин, при которых свобода
части ТРИОДНЫЙ ТИРИСТОР – движения электронов в полупроводниковом
полупроводниковый прибор, позволяющий кристалле ограничивается. Вследствие их
преобразовать переменный ток в постоянный. пониженной подвижности при превышении
18Тепловые сопротивления (термисторы). напряженностью электрического поля
Полупроводники: Применение в качестве некоторого критического уровня электроны
чувствительных термометров при еще более замедляются. Как и в
дистанционных измерениях Использование в лавинно-пролетном диоде, здесь возникает
качестве термометров для замера температур некоторая разновидность отрицательной
окружающей среды Термистор(видео – опыт). проводимости, которую можно использовать
19Термисторы: широкое применение в для генерации СВЧ-колебаний.
технике. Применяют как регуляторы 35
температуры, контролирование температуры в 36Миниатюрность.
большом числе точек в приборах для 37Долговечность.
измерения утечки газа, для дистанционного 38Сравнительная характеристика.
Исследование свойств полупроводниковых приборов.ppt
http://900igr.net/kartinka/fizika/issledovanie-svojstv-poluprovodnikovykh-priborov-99855.html
cсылка на страницу

Исследование свойств полупроводниковых приборов

другие презентации на тему «Исследование свойств полупроводниковых приборов»

«Работа исследования» - 2.Что мешает вам заниматься с учащимися научно-исследовательской деятельностью? Особое внимание в деятельности научно-исследовательской лаборатории уделяется учителю. Виды работ учащихся. Результат стабилен и не требует анализа. Сфера научно-исследовательской деятельности. Рецензия - заведующая кафедрой философии МГОУ, кандидат педагогических наук Семенова В.И.

«Электронагревательные приборы» - Первобытные печи. Чайник. Эмилий Христианович Ленц. Тостер, ростер. Первый полностью автоматический чайник. Сопротивление проводника. Скрытый нагревательный элемент. Джеймс Прескотт Джоуль. Электрический чайник Петера Беренса. Полковник Рукес Эвелин Белл Кромптон. Эмиль Ратенау. Плита. Электронагревательные приборы на кухне.

«Приборы для измерения тока» - Мультиме?тр - измерительный прибор, объединяющий в себе несколько функций. Мультиметр. Как включают омметр в схему для измерения сопротивлений до нескольких мегаом? Вольтметр – для измерения электрического напряжения. Существуют цифровые и аналоговые мультиметры. Все современные электронные трехфазные счетчики поддерживают однофазный учет.

«Электроизмерительные приборы» - 4)Электрические счётчики — для измерения потреблённой электроэнергии. Вольтметр имеет чувствительный элемент, называемый гальванометром. Классификация. 2)Вольтметры – для измерения напряжения. Электроизмерительные приборы устроены на основе взаимодействия магнитных полей. Приборы. ВОЛЬТМЕТР – прибор для измерения напряжения на участке электрической цепи.

«Измерительные приборы» - У каждого прибора есть шкала (деление). Термометр. Барометр анероид. Одно деление у маномометра - это атмосфера. Измерение длины предметов динамометром. Виды динамометров. Манометр работает за счёт упругости. Термометр представляет собой стеклянную трубку, запаянную с двух сторон. Измерительные приборы.

«Приборы измерения» - Психрометр имеет два термометра: "сухой" и "влажный". Барометр - анероид. Открыл дисперсию света, развил корпускулярную теорию света. Для измерения температуры используют термометры. Платформенные. Электроизмерительные приборы. Измерительные приборы. Паскаль Блез ( 1643 года - 1725).

Электроприборы

12 презентаций об электроприборах
Урок

Физика

134 темы
Картинки
900igr.net > Презентации по физике > Электроприборы > Исследование свойств полупроводниковых приборов