Лабораторные по физике
<<  Лабораторные работы по физике 11 класс Лабораторная работа №1  >>
Лабораторная работа №1
Лабораторная работа №1
Лабораторная работа №1
Лабораторная работа №1
Классификация СЗМ
Классификация СЗМ
Классификация СЗМ
Классификация СЗМ
Классификация СЗМ
Классификация СЗМ
Классификация СЗМ
Классификация СЗМ
Классификация СЗМ
Классификация СЗМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Основные принципы АСМ
Динамический режим АСМ
Динамический режим АСМ
Метод отображения фазы
Метод отображения фазы
Траектория движения зонда при сканировании
Траектория движения зонда при сканировании
Траектория движения зонда при сканировании
Траектория движения зонда при сканировании
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Проведение работы
Проведение работы
Закрепление образцов
Закрепление образцов
Закрепление образцов
Закрепление образцов
Закрепление образцов
Закрепление образцов
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
Кафедра ИУ4: Проектирование и технология производства электронных
В результате сканирования будет выявлена электронная структура
В результате сканирования будет выявлена электронная структура
Картинки из презентации «Лабораторная работа №1» к уроку физики на тему «Лабораторные по физике»

Автор: VLADIMIR. Чтобы познакомиться с картинкой полного размера, нажмите на её эскиз. Чтобы можно было использовать все картинки для урока физики, скачайте бесплатно презентацию «Лабораторная работа №1.pptx» со всеми картинками в zip-архиве размером 3417 КБ.

Лабораторная работа №1

содержание презентации «Лабораторная работа №1.pptx»
Сл Текст Сл Текст
1Лабораторная работа №1. Кафедра ИУ4: 11уровнеA0 , задаваемом оператором
Проектирование и технология производства (A0<AW). Напряжение в петле обратной
электронных средств. Исследование связи (на z-электроде сканера)
топографии и структуры поверхности тонких записывается в память компьютера в
пленок алюминия в технологии формирования качестве АСМ изображения рельефа
слоя пористого анодного окисла Al2O3 для поверхности. Одновременно при сканировании
создания матрицы тонкопленочных образца в каждой точке регистрируется
наноструктурированных автоэлектронных изменение фазы колебаний кантилевера,
микротриодов – активных элементов для которое записывается в виде распределения
систем генерации, передачи и обработки фазового контакта.
информации в нано- и микроэлектросистемной 12Метод отображения фазы. Кафедра ИУ4:
технике. Выполнили: Евгений Белоус Проектирование и технология производства
Владимир Жуйков Группа: ИУ4-113. электронных средств. Когда в процессе
2Цель работы. Кафедра ИУ4: колебаний кончик зонда касается
Проектирование и технология производства поверхности образца он испытывает не
электронных средств. Изучение только отталкивающие, но и адгезионные,
теоретических основ сканирующей зондовой капиллярные и ряд других сил. В результате
микроскопии (СЗМ). Освоение работы взаимодействия зонда с поверхностью
атомно-силового микроскопа на базе образца происходит сдвиг не только
комплекса «Нанофаб-100». Получение частоты, но и фазы колебаний. Если
топографии поверхности исследуемого поверхность образца является неоднородной
образца в режиме атомно-силовой по своим свойствам, соответствующим будет
микроскопии. и фазовый сдвиг. Распределение фазового
3Классификация СЗМ. Кафедра ИУ4: сдвига по поверхности будет отражать
Проектирование и технология производства распределение характеристик материала
электронных средств. Сканирующий образца.
туннельный микроскоп (СТМ) Атомно-силовой 13Траектория движения зонда при
микроскоп (АСМ) Магнитно-силовой микроскоп сканировании. Кафедра ИУ4: Проектирование
(МСМ) Электросиловой микроскоп (ЭСМ) и технология производства электронных
Сканирующий ближнепольный оптический средств. Одним из недостатков, присущих
микроскоп (СБОМ). всем методам сканирующей зондовой
4Основные принципы АСМ. Кафедра ИУ4: микроскопии, является конечный размер
Проектирование и технология производства рабочей части используемых зондов. Это
электронных средств. 1986 год Герд приводит к существенному ухудшению
Биннинг, Кэлвин Куэйт, Кристофер Гербер пространственного разрешения микроскопов и
Основа работы: Силовое взаимодействие значительным искажениям в СЗМ изображениях
между зондом и поверхностью Силы при сканировании поверхностей с
Ван-дер-Ваальса. неровностями рельефа, сравнимыми с
5Основные принципы АСМ. Кафедра ИУ4: характерными размерами рабочей части
Проектирование и технология производства зонда. По схематическому изображению
электронных средств. Силы Ван-дер-Ваальса. сканирования зондом различных неровностей
степенная функция – потенциал поверхности (рис.1)видно, что из-за формы
Леннарда-Джонса: - Отталкивание атомов на зонда получаемое изображение размывается.
малых r. - Дальнодействующее притяжение. 14Кафедра ИУ4: Проектирование и
R0 – равновесное расстояние между атомами, технология производства электронных
U0 – значение энергии в минимуме. средств. При продолжительном сканировании
6Основные принципы АСМ. Кафедра ИУ4: острие зонда затупляется (рис. 16) или к
Проектирование и технология производства нему могут прилипать частицы сканируемого
электронных средств. Взаимодействие между вещества, что еще больше размывает
атомами зонда и образца: взаимодействия получаемое изображение.
Ван-дер-Ваальса: а)-Дисперсионные 15Кафедра ИУ4: Проектирование и
(лондоновские) взаимодействия - это технология производства электронных
взаимодействия между двумя наведенными средств. Работа выполняется на
диполями. б)-Ориентационные взаимодействия нанотехнологическом комплексе (НТК)
- обусловлены электростатическими «НаноФаб 100».
взаимодействиями между постоянными 16Кафедра ИУ4: Проектирование и
диполями. в)-индукционные взаимодействия - технология производства электронных
имеют электростатическую природу средств. Четырехкамерный
2)химического взаимодействия; 3)межядерное нанотехнологический комплекс (НТК - 4)
взаимодействие (сильное взаимодействие). включает модули Сканирующей Зондовой
А). Б). Микроскопии (СЗМ) и Фокусированного
7Основные принципы АСМ. Кафедра ИУ4: Ионного Пучка (ФИП) и модули загрузки
Проектирование и технология производства зондов и образцов. Установка позволяет
электронных средств. Зондовые датчики обрабатывать и исследовать образцы
атомно-силовых микроскопов. Зондирование диаметром до 100 мм в условиях
поверхности в атомно-силовом микроскопе сверхвысокого вакуума (до 10-9Па). Методы:
производится с помощью специальных Острийно-зондовые технологии;
зондовых датчиков, представляющих собой Ионно-лучевые технологии Ионная
упругую консоль – кантилевер (cantilever) микроскопия; Нанолитография; Ионное
с острым зондом на конце. Датчики локальное осаждение. Комплекс состоит из
изготавливаются методами фотолитографии и четырех камер: камеры фокусированного
травления из кремниевых пластин. Упругие ионного пучка(ФИП) камеры сканирующей
консоли формируются, в основном, из тонких зондовой микроскопии (СЗМ); камеры
слоёв легированного кремния, SiO2 или загрузки зондов(КЗ); камеры загрузки
Si3N4. образцов(КО). Рассмотрим подробнее
8Основные принципы АСМ. Кафедра ИУ4: конструкцию модулей НТК – 4.
Проектирование и технология производства 17Кафедра ИУ4: Проектирование и
электронных средств. Зондовые датчики технология производства электронных
атомно-силовых микроскопов. радиус средств. Модуль СЗМ относится к основным
закругления современных АСМ зондов модулям комплекса НаноФаб 100 и
составляет 1- 50 нм; угол при вершине предназначен для проведения атомно-силовой
зонда – 10-20?; сила взаимодействия зонда микроскопии (АСМ) и сканирующей туннельной
с поверхностью: F=k??Z, где k – жёсткость микроскопии (СТМ) входного контроля
кантилевера; ?Z – величина, полупроводниковых пластин, измерений
характеризующая его изгиб; Коэффициенты параметров и исследований характеристик
жёсткости кантилеверов k : 10^-3 – 10 Н/м. наноструктур и наноэлементов,
Собственные частоты изгибных колебаний острийно-зондовых нанолитографических и
консоли прямоугольного сечения наноманипуляционных операций,
определяются следующей формулой: где l – функционального контроля наноструктур и
длина консоли; E – модуль Юнга; J – момент наноэлементов.
инерции сечения консоли; ? – плотность 18Проведение работы. Кафедра ИУ4:
материала; S – площадь поперечного Проектирование и технология производства
сечения; ?i – численный коэффициент (в электронных средств. Перед помещением
диапазоне 10 – 100), зависящий от моды внутрь сверхвысоковакуумной (СВВ) камере
изгибных колебаний. образец проходит стадии очистки, таких как
9Динамический (полуконтактный) механическая полировка, химическое
Статический (контактный). Режимы травление, кипячение в органических
атомно-силовой микроскопии: Кафедра ИУ4: растворителях, полоскание в
Проектирование и технология производства деионизированной воде. Все эти процедуры
электронных средств. обеспечивают только предварительную
10Динамический режим АСМ. При очистку образца, так как финальная
сканировании образца регистрируется подготовка поверхности, которая содержит
изменение амплитуды и фазы колебаний посторонние примеси в количестве
кантилевера. Взаимодействие кантилевера с нескольких процентов монослоя может быть
поверхностью в «полуконтактном» режиме проведена только внутри СВВ камеры.
состоит из ван-дер-ваальсовского 19Закрепление образцов. Кафедра ИУ4:
взаимодействия, к которому в момент Проектирование и технология производства
касания добавляется упругая сила, электронных средств. Установка
действующая на кантилевер со стороны подготовленных образцов производится на
поверхности. Кафедра ИУ4: Проектирование и специальный металлический держатель.
технология производства электронных Закрепление производится с помощью
средств. проводящего клея. На одну сторону
11Фазовый сдвиг колебаний кантилевера в наносится клей и прижимается на держатель.
«полуконтактном» режиме определяется 20Кафедра ИУ4: Проектирование и
энергией диссипативного взаимодействия технология производства электронных
зонда с поверхностью образца. Кафедра ИУ4: средств.
Проектирование и технология производства 21В результате сканирования будет
электронных средств. С помощью выявлена электронная структура поверхности
пьезовибратора возбуждаются колебания в методе СТМ в режиме постоянного тока и
кантилевера на частоте w (близкой к топографическая структура поверхности
резонансной частоте кантилевера) с гетероструктуры в методе АСМ в
амплитудой AW. При сканировании система бесконтактном режиме. Кафедра ИУ4:
обратной связи АСМ поддерживает постоянную Проектирование и технология производства
AW амплитуду колебаний кантилевера на электронных средств.
Лабораторная работа №1.pptx
http://900igr.net/kartinka/fizika/laboratornaja-rabota-1-221926.html
cсылка на страницу

Лабораторная работа №1

другие презентации на тему «Лабораторная работа №1»

«Лабораторные по физике» - Тема: «Закон Архимеда». Интерактивность модуля заключается в возможности смены параметров эксперимента пользователем. Тема: «Решение задач. Введение. ГОУ СОШ № 169 с углубленным изучением английского языка. Компоненты ппс. Основу учебного комплекса составляют три компонента: Модули – лабораторные работы.

«Лабораторные работы по физике» - Исследование явления фотоэффекта. Введение. Виртуальная лабораторная установка. Физика. Таблицы измерений. Исследование явления интерференции света. Изохорный процесс. Виртуальный лабораторный практикум по физике. Построение графика. Таблица измерений. Журнал успеваемости.

«Лабораторные работы по Windows» - Основы информатики и программирования. Таблицы, сортировка таблиц, вычисление в таблицах. VBA. Создание, заполнение, редактирование и форматирование таблиц. Разработка функций обработки целых чисел. Разделы курса. Создание баз данных. Введение в Windows. Power Point. Word. Вставка и редактирование формул Лабораторная работа №2_7.

«Лабораторная работа» - Состав продукта: Добавление фронтальных заданий для всего класса. Содержит коллекцию лабораторных работ, демонстраций, коротких экспериментов и работ физического практикума, соответствующую всем возможным образовательным программам общего и среднего (полного) образования. Создание тренингов и зачетов в автоматическом и ручном режиме.

«Лабораторный практикум по физике» - Исследование зависимости мощности и КПД источника постоянного тока от внешней нагрузки. 2.14. Начало тестирования: Интерактивные модели. Приложение №1 к Виртуальному практикуму по физике. Раздел 3. Квантовая оптика. Моделирование оптических систем 2.11. Переходные процессы в цепях постоянного тока с конденсатором.

«Лабораторная работа» - Рабочие бланки для учащихся. Полный комплект методических материалов. Документы. Все возможности тестового режима для проверки знаний. Содержит коллекцию лабораторных работ, демонстраций, коротких экспериментов и работ физического практикума, соответствующую всем возможным образовательным программам общего и среднего (полного) образования.

Лабораторные по физике

7 презентаций о лабораторных по физике
Урок

Физика

134 темы
Картинки