Электронные учебники
<<  Основные квантовохимические методы решения электронного уравнения Презентация информационно-иллюстрированного издания об Алексине 2009 г  >>
3. Исследование наноразмерных полимерных материалов методами
3. Исследование наноразмерных полимерных материалов методами
3. Исследование наноразмерных полимерных материалов методами
3. Исследование наноразмерных полимерных материалов методами
Эрнст Руска
Эрнст Руска
Эрнст Руска
Эрнст Руска
Эрнст Руска
Эрнст Руска
Электронная пушка
Электронная пушка
Электронная пушка
Электронная пушка
Электронная пушка
Электронная пушка
Электронная пушка
Электронная пушка
Характеристики
Характеристики
Магнитные линзы
Магнитные линзы
Магнитные линзы
Магнитные линзы
Магнитные линзы
Магнитные линзы
Сканирующая (растровая) ЭМ – РЭМ (SEM)
Сканирующая (растровая) ЭМ – РЭМ (SEM)
Сканирующая (растровая) ЭМ – РЭМ (SEM)
Сканирующая (растровая) ЭМ – РЭМ (SEM)
Сигналы в РЭМ
Сигналы в РЭМ
Сигналы в РЭМ - Электроны
Сигналы в РЭМ - Электроны
Сигналы в РЭМ - Электроны
Сигналы в РЭМ - Электроны
Методы РЭМ - Топография
Методы РЭМ - Топография
Методы РЭМ - Топография
Методы РЭМ - Топография
Методы РЭМ - Топография
Методы РЭМ - Топография
Структурный анализ
Структурный анализ
Дифракция обратно рассеянных электронов
Дифракция обратно рассеянных электронов
Дифракция обратно рассеянных электронов
Дифракция обратно рассеянных электронов
Дифракция обратно рассеянных электронов
Дифракция обратно рассеянных электронов
Энергодисперсионный анализ
Энергодисперсионный анализ
Спектральнодисперсионный анализ
Спектральнодисперсионный анализ
Спектральнодисперсионный анализ
Спектральнодисперсионный анализ
Химический анализ
Химический анализ
Химический анализ
Химический анализ
Химический анализ
Химический анализ
Химический анализ
Химический анализ
Оже спектроскопия
Оже спектроскопия
Оже спектроскопия
Оже спектроскопия
Сопутствующие методики
Сопутствующие методики
Сопутствующие методики
Сопутствующие методики
Сопутствующие методики
Сопутствующие методики
Низковольтная РЭМ
Низковольтная РЭМ
Низковольтная РЭМ
Низковольтная РЭМ
Низковакуумная РЭМ
Низковакуумная РЭМ
Локальная компенсация заряда
Локальная компенсация заряда
Локальная компенсация заряда
Локальная компенсация заряда
Локальная компенсация заряда
Локальная компенсация заряда
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Литография в РЭМ
Картинки из презентации «Исследование наноразмерных полимерных материалов методами сканирующей электронной микроскопии» к уроку информатики на тему «Электронные учебники»

Автор: Ivan Baturin. Чтобы познакомиться с картинкой полного размера, нажмите на её эскиз. Чтобы можно было использовать все картинки для урока информатики, скачайте бесплатно презентацию «Исследование наноразмерных полимерных материалов методами сканирующей электронной микроскопии.ppt» со всеми картинками в zip-архиве размером 5820 КБ.

Исследование наноразмерных полимерных материалов методами сканирующей электронной микроскопии

содержание презентации «Исследование наноразмерных полимерных материалов методами сканирующей электронной микроскопии.ppt»
Сл Текст Сл Текст
13. Исследование наноразмерных 16сигнала в ЭМ Коэффициент выхода может быть
полимерных материалов методами сканирующей > 1 Релаксация возбужденных атомов
электронной микроскопии. В.Я. Шур Излучение части энергии в виде фотонов -
Уральский Центр Коллективного Пользования катодолюминесценция Характеристическое
“СОВРЕМЕННЫЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ” УрГУ. рентгеновское излучение Оже-электроны. 16.
2Электронный микроскоп (ЭМ). 2. 17Сигналы в РЭМ - Электроны. 17.
Оптическая микроскопия – нанотехнологии? Электроны. Вторичные. Обратнорассеянные.
Имеет дифракционный предел разрешения Без Более направлены Детектор Робинсона
учета аберраций Критерий Релея Электронная Кольцевой сцинтиллятор большой площадь +
микроскопия Использование пучка электронов ФЭУ Полупроводниковые детекторы. Энергия
вместо света Корпускулярно волновой < 50 эВ Ускорение к детектору Детектор
дуализм Поток электронов – волна – Эверхарта-Торнли Сцинтиллятор + ФЭУ Очень
использование принципов оптики Поток эффективен.
электронов – поток частиц при 18Методы РЭМ - Топография. 18.
взаимодействии с объектом или детектором Топография формируется с помощью вторичных
Длина волны много меньше чем для света и обратнорассеянных электронов Наклон
Прямое развитие оптической микроскопии поверхности – важный параметр Вторичные
Чрезвычайно широкий спектр методик электроны (SE) Контраст как если бы глаз
Микроскопические – локальные данные о смотрел сверху на объект, освещаемый
свойствах или рельефе Аналитические – диффузным светом Обратнорассеянные
локальные данные о составе и структуре – электроды (BSE) Контраст как если бы глаз
не возможно в оптической или сканирующей смотрел сверху на объект, освещаемый
зондовой микроскопии. Le = 0.01 - 0.001 параллельным пучком света Большая глубина
нм. фокуса по сравнению с оптической
3Длина волны. L, нм. L = [1.5/V]1/2 нм. микроскопией. SE. SE. SE+BSE. Al на
L = [1.5/(V+10-6 V2)]1/2 нм. V, кВ. 20. границах зерен. Полимер. Болт.
0.0086. 100. 0.0037. 1000. 0.0009. 3. 19Химический и структурный анализ. 19.
Заряд e = 1.6·10-19 Кл Масса покоя me = Микроанализ (микрозонд) – анализ
9·10-31 кг Ускоряющее напряжение V характеристического рентгеновского
Дополнительная энергия e·V=(m-me)·c2 m = излучения Качественный локальный анализ
me/(1-u2/c2)1/2 Длина волны l = h/mu – состава (количественный сложнее) Объем
соотношение де-Бройля. Без учета поправок. взаимодействия ~ 1 мкм3 – определяет
Релятивистское приближение. Поправки до разрешение Либо обычный РЭМ с детектором,
25%. либо спец микроскоп EDS – Energy
4История электронной микроскопии. 4. Dispersion Analysis – энергодисперсионный
1926 г. де Бройль - корпускулярно-волновой анализ WDS – Wavelength Dispersion
дуализм 1931 г. Эрнст Руска (Ruska) и Макс Analysis – спектральнодисперсионный анализ
Кнолл (Knoll) Первый электронный микроскоп Оже спектроскопия.
с увеличением около 400 1931 г. Рейнольд 20Структурный анализ. 20. Дифракция
Руденберг (Rudenberg), директор обратнорассеянных электронов Наклон ~ 70
исследовательского подразделения Siemens градусов Проецирование дифракционной
Патент на электронный микроскоп 1935 г. картины на экран Структурная информация с
Макс Кнолл Изобретение сканирующего разрешением ~ 10 нм Ориентация
электронного микроскопа 1937 г. Компания кристаллитов.
Siemens Финансирует Эрнста Руску для 21Дифракция обратно рассеянных
развития электронной микроскопии 1938 г. электронов. 21. Дифракция от
Манфред вон Арден (Manfred von Ardenne) кристаллических плоскостей Закон Брегга:
Изобретение сканирующего просвечивающего n? = 2d sin? Образование линий высокой
электронного микроскопа 1938 г. Показано интенсивности – Кикучи линии.
разрешение в 10 нм 1945 г. 22Дифракция обратно рассеянных
Продемонстрировано разрешение в 1 нм 1986 электронов. 22. Разрешение метода до 10 нм
г. Нобелевская премия по физике - Эрнст Кристаллографическая информация: Текстура
Руска «For his fundamental work in Размеры и границы зерен Фазовый состав.
electron optics, and for the design of the 23Энергодисперсионный анализ. 23.
first electron microscope» Совместно с Распределение гамма-квантов по энергиям
изобретателями сканирующего туннельного Универсальный, простой и доступный Общая
микроскопа Бинингом и Роером. картина, но не дает мелких деталей спектра
5Эрнст Руска. 5. Сложно детектировать легкие элементы –
6Особенности ЭМ. Рассеяние электронов в только до Na.
газе Работа в вакууме Электроны – 24Спектральнодисперсионный анализ. 24.
заряженные частицы Управление Выделение гамма-квантов с определенной
электростатическими и магнитными полями длиной волны Закон Брегга: n? = 2d sin?
Разгон до нужной энергии Изменение длины Более точный для разрешения отдельных
волны Легкая перенастройка в процессе линий Анализ вплоть до B и Be.
работы Простое изменение масштаба Легко 25Химический анализ. 25. Частички
осуществляется сканирование Возможны пороховой сажи Фазы Ba, Pb, Sb.
различные типы взаимодействия пучка 26Химический анализ. 26. Характеристики.
электронов с образцом. 6. WDS. EDS. Эффективность сбора
7Элементы ЭМ. Получение пучка рентгеновского излучения. Низкая –
электронов с заданными параметрами типичный телесный угол около 0.001
Электронная пушка Фокусировка пучков и стерадиан. Более высокая – обычно
сбор пучка после образца Магнитные линзы 0.005-0.1 стерадиан. ЭД детектор можно
Сканирование Отклоняющие катушки приблизить к образцу. Требуемый ток
(переменное электромагнитное поле) зонда. Высокий – обычно не менее 10нA
Детектирование Экран или фото/видео камера из-за низкой эффективности сбора. Низкий
Детектор Много различных вариантов. 7. – вплоть до значений менее 0.1нA.
8Электронная пушка. 8. Термическая Спектральное разрешение. Хорошее –
эмиссия (thermionic). Полевая эмиссия зависит от кристалла, обычно порядка
(field emission - FEG). Генерация, 5-10эВ. Хуже – зависит от энергии, обычно
ускорение и формирование пучка электронов. <133эВ на линииt Mn Ka, <65эВ на
Монокристалл W с острием Сильное линии С Ka. Пределы обнаружения
электрическое поле – эмиссия электронов за элементов. <0.01%. В зависимости от
счет туннельного эффекта Два анода – матрицы и элемента могут достигать
вытягивающий – ускоряющий. Нить W или LaB6 нескольких частей на миллион (0,000n%).
Нагрев электрическим током Термическая Хуже, обычно 0.1- 0.5%. Скорость
эмиссия электронов Сетка – отрицательное выполнения анализа. Медленная – элементы
смещение Анод – положительное смещение. анализируются последовательно один за
9Характеристики. 9. другим. Последовательный анализ. Быстрая
10Магнитные линзы. – все элементы анализируются одновременно.
Аксиально-симметричное магнитное поле Сила Параллельный анализ. Количественный
Лоренца Перпендикулярна к скорости анализ. Легко - измеряется пик и
электрона Перпендикулярна к направлению вычитается фон. Сложно – для деконволюции
магнитной индукции Не действует на перекрывающихся пиков и вычитания фона
электроны движущиеся вдоль оси линзы требуются сложные алгоритмы. Применение.
Движение по спирали – фокусировка. 10. Требует более высокой квалификации и
11Сканирующая (растровая) ЭМ – РЭМ большего внимания от оператора.
(SEM). 11. Относительно прост в применении благодаря
12Основные параметры РЭМ. 12. высокой степени автоматизации.
Сканирование сфокусированным пучком 27Оже спектроскопия. 27. Эмиссия
электронов по поверхности образца электронов из тонкого (несколько
Построение изображения по растру с помощью монослоев) приповерхностного слоя
различного рода детекторов Комбинирование Позволяет анализировать химический состав
различных методов Типичное разрешение ~ в приповерхностном слое Применение:
2-3 нм Есть модификации с разрешением ~ 1 процессы адсорбции и десорбции на
нм Возможен локальный элементный и поверхностях твердых тел, коррозии и т.д.
структурный анализ Микрозондовые методики 28Сопутствующие методики. 28. Ионный и
Возможна модификация поверхности с высоким электронный полевой проекционный микроскоп
разрешением Нанолитография Энергия пучка ~ Автополевая эмиссия с острой иголки при
1-30 кэВ. подаче высокого напряжения Эмитированные
13Контраст в ЭМ. 13. Что мы можем ионы или электроны проецируются на
увидеть в электронный микроскоп? Контраст фосфоресцирующий экран Сфокусированный
в оптической микроскопии Поглощение, ионный пучок Ионная пушка
рассеяние, изменение фазы, поворот Высокоэнергетичные ионы Ga Позволяет
плоскости поляризации Контраст в делать 3D реконструкцию и модифицировать
электронной микроскопии Энергия электронов поверхность. Острие W Ионный проекционный
намного больше чем фотонов Взаимодействие микроскоп.
с атомами и молекулами Различные процессы 29Сопутствующие методики. Сечение
Для понимания контраста необходимо частицы осадка. 29. Острие W Ионный
рассматривать взаимодействие электронов с проекционный микроскоп.
веществом. 30Наблюдение непроводящих объектов. 30.
14Сигналы в РЭМ. 14. Объем Суммарный коэффициент выхода
взаимодействия Зависит от типа обратнорассеянных и вторичных электронов
детектируемого сигнала Определяет Равен 1 только при определенном значении
разрешение метода. ускоряющего потенциала (зависит от
15Взаимодействие электронов с веществом. образца) Вообще говоря, образец будет
15. Неупругое рассеяние Любой процесс заряжаться Отклонения пучка и искажения
взаимодействия с потерей энергией DE Проводящие образцы заземляются
Изменения DE > ~ 0.1 эВ можно Непроводящие??? – нельзя использовать!
детектировать Рассеяние на фононах – Напыление тонкого слоя Au, Pt или углерода
колебаниях решетки Рассеяние на плазмонах – возможны артефакты, повреждающая
– волнах электронов в зоне проводимости методика Биологические объекты? Образцы
Возбуждение валентного электрона чувствительные к влаге или атмосфере?
Возбуждение внутренних оболочек. Неупругое 31Низковольтная РЭМ. 31. Зависимость
рассеяние и поглощение Возможно выхода вторичных электронов от энергии
многократное рассеяние с потерей энергии, исходного пучка.
особенно в толстых образцах вплоть до 32Низковакуумные РЭМ. 32. Низковакуммный
«остановки» Объем взаимодействия - объем в микроскоп Остаточное давление ~ до 200 Па
котором поглощается ~ 95% падающих Специальная конструкция камеры и
электронов В дополнение к поглощению – детекторов Микроскоп с режимом
электроны вылетающие под большими углами и естественной среды (ESEM) Специальная
не попадающие в детектор. конструкция Газовые буферы Остаточное
Обратнорассеянные электроны Первичные давление до 4000 Па Влажность до 100% FEI
электроны, вылетающие в обратном Quanta 200 3D - пример сочетающий все
направлении Сохраняют значительную часть режимы в одном РЭМ без изменения
энергии Коэффициент выхода < 1. конфигурации.
16Вторичные эффекты. Вторичные электроны 33Низковакуумная РЭМ. 33.
Покидающие поверхность образца с энергией 34Локальная компенсация заряда. 34.
~50 эВ Первичные электроны передавшие 35Литография в РЭМ. 35.
большую часть энергии Электроны, 36Литография в РЭМ. 36.
возбуждаемые в результате неупругого 37Литография в РЭМ. 37. Системы RAITH
рассеяния вблизи поверхности и покидающие для электронно-лучевой литографии. ELPHY
образец Один из основных источников Quantum. RAITH150-TWO. e_LiNE plus.
Исследование наноразмерных полимерных материалов методами сканирующей электронной микроскопии.ppt
http://900igr.net/kartinka/informatika/issledovanie-nanorazmernykh-polimernykh-materialov-metodami-skanirujuschej-elektronnoj-mikroskopii-220884.html
cсылка на страницу

Исследование наноразмерных полимерных материалов методами сканирующей электронной микроскопии

другие презентации на тему «Исследование наноразмерных полимерных материалов методами сканирующей электронной микроскопии»

«Урок-исследование» - В чём преимущество методики проблемного исследования? Сконструировать проблемную ситуацию. Основные этапы (шаги) при конструировании урока-исследования: Представлять результаты работы в формах: схемы, рисунка, графика, таблицы, сообщения и т.д. Слишком трудное или слишком лёгкое задание не вызовет проблемной ситуации.

«Электронная школа 1с» - Презентация программного комплекса «Электронная школа». It-компетентность педагогов и родителей (%). Модуль «Электронный журнал». Некоторые преимущества программного комплекса. Основные показатели качества образования. Программный комплекс «Электронная школа». Модуль «1С:ХроноГраф Школа 2.5 ПРОФ». Модуль «1С:Образование».

«Создание электронного учебника» - Объект исследования: В результате апробации выяснилось, что гипотеза, высказанная в работе, полностью подтвердилась. Цель исследования: Предмет исследования: Задачи исследования: Проведение опроса обучающихся. Актуальность темы исследования: Процесс создания электронного учебника по информатике обучающимися профильной группы 10 класса.

«Электронный дневник» - Возможности электронных дневников и журналов успеваемости. Подготовка к ЕГЭ. Для учеников. Конкурс "Школа вне уроков". Выдача и получение домашних заданий. Нормативно-правовое обеспечение. Расписание уроков. Ученику. Отчетность. Интернет-проект «Дневник.ру». Доступность электронного дневника.

«Работа исследования» - Место работы: г.Чебоксары, средняя школа №54. Результат стабилен и не требует анализа. Проведение собственных наблюдений и экспериментов. Любимова Татьяна Сергеевна, учитель высшей категории, стаж работы 23 года. Обоснование актуальности темы. Самопознание. Рецензия - заведующая кафедрой философии МГОУ, кандидат педагогических наук Семенова В.И.

«Исследование на уроках» - Б.М.Мейлах Истина не терпит одномерности (?). Определите размер стиха, способ рифмовки. Урок-исследование. Определите художественно-выразительные средства. Эпиграфы: Представление результатов наблюдений. Петр(«Полтава») Петр(«Медный всадник») 2 группа. Общие цели уроков литературы по модели «Обучение как исследование».

Электронные учебники

19 презентаций об электронные учебниках
Урок

Информатика

130 тем
Картинки
900igr.net > Презентации по информатике > Электронные учебники > Исследование наноразмерных полимерных материалов методами сканирующей электронной микроскопии