Без темы
<<  50 лет метрополитену Санкт-Петербурга 55-летию Заозёрска посвящается  >>
Первые полупроводниковые лазеры
Первые полупроводниковые лазеры
Первые полупроводниковые лазеры
Первые полупроводниковые лазеры
Первые полупроводниковые лазеры
Первые полупроводниковые лазеры
Первые полупроводниковые лазеры
Первые полупроводниковые лазеры
Характеристики первых лазеров
Характеристики первых лазеров
Характеристики первых лазеров
Характеристики первых лазеров
Характеристики первых лазеров
Характеристики первых лазеров
Лазеры с двумя гетеробарьерами
Лазеры с двумя гетеробарьерами
Лазеры с двумя гетеробарьерами
Лазеры с двумя гетеробарьерами
Жидкофазная эпитаксия
Жидкофазная эпитаксия
Первые полупроводниковые лазеры, работающие в непрерывном режиме при
Первые полупроводниковые лазеры, работающие в непрерывном режиме при
Первые полупроводниковые лазеры, работающие в непрерывном режиме при
Первые полупроводниковые лазеры, работающие в непрерывном режиме при
Пучковая и МОС-гидридная эпитаксии
Пучковая и МОС-гидридная эпитаксии
Пучковая и МОС-гидридная эпитаксии
Пучковая и МОС-гидридная эпитаксии
Лазер с квантовой ямой
Лазер с квантовой ямой
Лазер с квантовой ямой
Лазер с квантовой ямой
Лазер с квантовой ямой
Лазер с квантовой ямой
Лазеры с квантовыми точками
Лазеры с квантовыми точками
Лазеры с квантовыми точками
Лазеры с квантовыми точками
Лазеры с квантовыми точками
Лазеры с квантовыми точками
Формирование волновода в плоскости подложки
Формирование волновода в плоскости подложки
Формирование волновода в плоскости подложки
Формирование волновода в плоскости подложки
Распределенная обратная связь (РОС)
Распределенная обратная связь (РОС)
Распределенная обратная связь (РОС)
Распределенная обратная связь (РОС)
Распределенная обратная связь (РОС)
Распределенная обратная связь (РОС)
Расширение оптического диапазона
Расширение оптического диапазона
Расширение оптического диапазона
Расширение оптического диапазона
Лазерные линейки и лазерные матрицы
Лазерные линейки и лазерные матрицы
Лазерные линейки и лазерные матрицы
Лазерные линейки и лазерные матрицы
Лазеры с вертикальным резонатором
Лазеры с вертикальным резонатором
Лазеры с вертикальным резонатором
Лазеры с вертикальным резонатором
Лазеры с вертикальным резонатором
Лазеры с вертикальным резонатором
Лазеры на GaN
Лазеры на GaN
Лазеры на GaN
Лазеры на GaN
Лазеры на GaN
Лазеры на GaN
Уменьшение плотности порогового тока
Уменьшение плотности порогового тока
Необычные лазеры
Необычные лазеры
Необычные лазеры
Необычные лазеры
Необычные лазеры
Необычные лазеры
Необычные лазеры
Необычные лазеры
Квантовые каскадные лазеры
Квантовые каскадные лазеры
Современный рынок лазеров
Современный рынок лазеров
Современный рынок лазеров
Современный рынок лазеров
Картинки из презентации «50 лет полупроводниковому лазеру: история и перспективы» к уроку истории на тему «Без темы»

Автор: Aleshkin. Чтобы познакомиться с картинкой полного размера, нажмите на её эскиз. Чтобы можно было использовать все картинки для урока истории, скачайте бесплатно презентацию «50 лет полупроводниковому лазеру: история и перспективы.ppt» со всеми картинками в zip-архиве размером 2334 КБ.

50 лет полупроводниковому лазеру: история и перспективы

содержание презентации «50 лет полупроводниковому лазеру: история и перспективы.ppt»
Сл Текст Сл Текст
150 лет полупроводниковому лазеру: 9иметь малую толщину, а для обеспечения
история и перспективы. волноводного эффекта , необходимо, чтобы
2Создание физических основ лазера. 1900 толщина волноводного слоя была не менее
г. М.Планк –постулат о дискретном ~0.2 мкм. Решение этой проблемы –
поглощении и испускании, привел выражение, структура с различным ограничение для
связывающее частоту электромагнитного электронов и света. Однако, при этом
излучения и энергию кванта 1916 г. – уменьшается коэффициент перекрытия.
работа Эйнштейна по предсказанию Решение – квантовые ямы. В них коэффициент
вынужденного излучения. 1927-1930 гг – усиления обратно пропорционален толщине.
работы Дирака с квантовым обоснованием Первый лазер с квантовой ямой (200А)
вынужденного излучения. 1928 г Р.Ладенбург создан MOCVD в 1978. Внешняя квантовая
и Г.Копферманн экспериментальное эффективность 80% , ширина полоска 4 мкм,
подтверждение существования вынужденного мощность ~ 5мВт, непрерывный режим, Т=300
излучения и наблюдение инверсной К, плотность порогового тока 1.5-2 кА/см2.
населенности в неоновом разряде. 1940 г. Здесь есть кажущийся парадокс!
В.Фабрикант, Ф.Бутаева – предложение 10Лазеры с квантовыми точками.
использования вынужденного излучения среды 11Формирование волновода в плоскости
с инверсией населенности для усиления подложки. В первых лазерах волновод
излучения. 1950 г. А.Кастлер (Нобелевская формировался ограничением тока (рис.2),
премия по физике 1966 г.) – метод потом были предложены структуры с
оптической накачки для создания инверсной захороненным гетеропереходом (рис. 7а) и
населенности. 1952 г. Броссель, Кастлер, полосковая структура (рис. 7б).
Винтер –создание инверсной населенности 12Распределенная обратная связь (РОС).
1954 г. мазер на аммиаке - Ч.Таунс, РОС позволяет провести селекцию продольных
теоретическое обоснование А.М.Прохоров и мод. Это приводит к обужению линии
Н.Г.Басов (Нобелевская премия 1964 г) 1960 генерации и к большей температурной
Т.Мейман первый оптический генератор на стабильности частоты генерации.
рубине. 13Расширение оптического диапазона.
3Первые полупроводниковые лазеры. 1961 Лазеры телекоммункационного диапазона
г. Басов Н.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М. 1.3-1.5 мкм - на основе InP c КЯ InGaAs,
ЖЭТФ, 39, 1486 (1961) – предложении о «Красные лазеры» на InGaP и AlGaAs.
создании инверсной населенности в Реализация лазеров на нитридах –освоение
прямосмещенном p-n переходе. 1962 г. лазер диапазона Arakawa Y, Sakaki H, Nishioka M,
на p-n переходе GaAs – четыре группы из Okamoto H and Miura N 1983 Spontaneous
США (GE из Schenectady,IBM, GE из emission characteristics of quantum well
Syracuse, MIT Lincoln Laboratory) почти lasers in strong magnetic fields. An
одновременно! Импульсы тока 5-20 мкс, Е=77 approach to quantum-well-box light source
К, полированные торцы, плотность Japan. J. Appl. Phys. 22 L804–6 Кроме того
порогового тока ~ 104 (8500) А/см2. на этой системе вероятно будет основано
4Характеристики первых лазеров. Два освещение ближайшего будущего. Реализация
основных недостатка: растекание носителей лазера на гетероструктуре II рода
+ плохой волновод (большие оптические GaInAsSb-GaSb – освоение диапазона 1.5- 4
потери). Мощность ~10 нВт, КПД <0.01%. мкм.
Спектр из работы Холла. 14Лазерные линейки и лазерные матрицы.
5Лазеры с двумя гетеробарьерами. 15Лазеры с вертикальным резонатором.
Kroemer H 1963 A proposed class of Сверхнизкий пороговый ток • Высокое
hetero-junction injection lasers Proc. качество излучения •
IEEE 51 1782–3 Алферов Ж.И., Казаринов Монолитно-интегрированные зеркала •
Р.Ф. «Полупроводниковый лазер с Планарная технология, тестирование на
электрической накачкой» Авт. свид. пластине, плотные массивы, интеграция на
№181737. Заявка № 9508/26-25. Заявлено чипе.
30.03.1963 По сути эти работы явились 16Лазеры на GaN. Исследование
вторым рождением полупроводникового лазера светодиодов на GaN началось в США в 60
поскольку кардинально улучшались его годах, но диоды были крайне неэффективными
характеристики благодаря явлению из-за плохого качества GaN. Nakamura
суперинжекции и волноводному эффекту. создал MOCVD технологию выращивания
6Жидкофазная эпитаксия. Эти структуры качественного GaN и поэтому были созданы
позволили получить импульсную генерацию эффективные светодиоды (кпд. 10%) и
при комнатной температуре (Алферов 1968). голубые лазеры (430 нм). На основе
Технология жидкофазной эпитаксии была гетероструктуры InGaN/AlGaN созданы лазеры
создана в RCA (Radio Corporation of работающие в диапазоне 360 -520 нм
America) в 1963 г. и в 1967 была (сине-зеленый диапазон).
усовершенствована для роста гетероструктур 17Уменьшение плотности порогового тока.
GaAs/AlGaAs несколькими группами в мире (в 18Необычные лазеры. Лазер на Ge/Si
СССР – группой Алферова) Жидкофазная гетероструктуре.
эпитаксия оказалась очень удачным методом 19Квантовые каскадные лазеры. Идея :
для выращивания лазерных диодов Р.Ф.Казаринов, Р.А.Сурис ФТП, т.5, 797
GaAs/AlGaAs. (1971). Реализация: Jerome Faist; Federico
7Первые полупроводниковые лазеры, Capasso, Deborah L. Sivco, Carlo Sirtori,
работающие в непрерывном режиме при Albert L. Hutchinson, and Alfred Y. Cho
комнатной температуре. Рисунок из (April 1994). "Quantum Cascade
Нобелевской лекции Алферова. Плотность Laser" Science 264 (5158): 553–556
порогового тока уменьшена до 940 А/см2. Диапазон в среднем ИК: 3-25 мкм, в дальнем
8Пучковая и МОС-гидридная эпитаксии. ИК: >60 мкм.
Следующий шаг в развитии лазерного диода 20Нерешенные проблемы. Увеличение
можно было сделать только на основе более скорости передачи Увеличение мощности и
совершенной технологии. В 1968 г. эти КПД Создание дешевых коммерческих лазеров
технологии были предложены. Они позволяли на Si для межчиповой связи Фазовая
в принципе контролировать толщины до синхронизация лазеров в линейках ТГц
нескольких ангстрем и делать любое лазеры, работающие при комнатной
количество слоев с разными составами. температуре Продвижение в ультрафиолетовый
9Лазер с квантовой ямой. Для облегчения диапазон.
создания инверсии активная область должна 21Современный рынок лазеров.
50 лет полупроводниковому лазеру: история и перспективы.ppt
http://900igr.net/kartinka/istorija/50-let-poluprovodnikovomu-lazeru-istorija-i-perspektivy-137356.html
cсылка на страницу

50 лет полупроводниковому лазеру: история и перспективы

другие презентации на тему «50 лет полупроводниковому лазеру: история и перспективы»

«Линейная перспектива» - Владимир Орловский «Летний день». 1884 г. Наука, помогающая правильно изображать предметы в пространстве называется перспектива. Перспектива. Альфред Сислей «Улица Севр в Лувесьенне». 1873 г. Иван Шишкин «Рожь». 1878 г. Профессор пейзажной живописи. Воздушная перспектива изучает правила изображения объектов в цвете.

«УМК Перспектива» - Основная педагогическая задача: организация условий, инициирующих детское действие. Климанова Л.Ф., Коти Т.Ю. Волшебная сила слов. Плешаков А.А., Новицкая М.Ю. 5. Завершенная предметная линия учебников «Информатика» авт. А.А. Плешакова) Окружающий мир. Основы безопасности жизнедеятельности. Рабочая тетрадь. 1 класс.

«Программа Перспектива» - Форма реализации программы «Перспектива». Практическая проработка идеи и создания программы «Перспектива». Результаты эксперимента. Наша общая благодарность. Структура программы «Перспектива». Мотивы создания программы социально-педагогического развития личности. Дружный коллектив педагогов и воспитанников спецшколы благодарен администрации специалистам института за квалифицированную и бескорыстную помощь в нашем необъятном школьном деле!

«Физика лазеров» - Другие типы лазеров. Кольцо с рубином. Самофокусировка. Телефонная связь. Схематическое изображение лазера на красителях с ламинарным потоком. Удвоение частоты света. Обработка металлов. Удвоение частоты в кристалле ниобата бария. Один из основных приборов квантовой электроники. Спектр, линия активной среды и моды оптического резонатора.

«Перспектива» - Каждая линия, не проходящая через центр, будучи продлённой, является полуэллипсом. Обратная перспектива. Леонардо да Винчи. Диметрия(измерение по двум координатным осям одинаковое, а по третьей — другое). Принципы тональной перспективы первым обосновал Леонардо да Винчи. Понятие о перспективе. Аксонометрию иначе называют параллельной перспективой.

«Лазеры физика» - При переходе атома с уровня энергии на уровень , излучается фотон. Наука. Газовый лазер. Трубка газового лазера во время работы светится, как газосветная реклама. На предприятиях лазеры используются для более качественного изготовления изделий. Лазер режет, сваривает и кует. Лазерные прицелы применяют для упрощения процесса прицеливания.

Без темы

1773 презентации
Урок

История

150 тем
Картинки
900igr.net > Презентации по истории > Без темы > 50 лет полупроводниковому лазеру: история и перспективы