Лазеры Скачать
презентацию
<<  Лазеры и их применение Типы лазеров  >>
Светодиоды и полупроводниковые лазеры
Светодиоды и полупроводниковые лазеры
Светодиоды и полупроводниковые лазеры
Светодиоды и полупроводниковые лазеры
Светодиоды и полупроводниковые лазеры
Светодиоды и полупроводниковые лазеры
Светодиоды и полупроводниковые лазеры
Светодиоды и полупроводниковые лазеры
Содержание
Содержание
Светодиоды
Светодиоды
На рис
На рис
На рис
На рис
Электроны в прямом минимуме зоны проводимости и дырки в максимуме
Электроны в прямом минимуме зоны проводимости и дырки в максимуме
Принцип действия светодиода основан на излучательной рекомбинации
Принцип действия светодиода основан на излучательной рекомбинации
Принцип действия светодиода основан на излучательной рекомбинации
Принцип действия светодиода основан на излучательной рекомбинации
Конструкции светодиодов
Конструкции светодиодов
Конструкции светодиодов
Конструкции светодиодов
Конструкции светодиодов
Конструкции светодиодов
Переходная область ограничивает образование безызлучательных центров,
Переходная область ограничивает образование безызлучательных центров,
Полная эффективность преобразования электрического сигнала в
Полная эффективность преобразования электрического сигнала в
Полная эффективность преобразования электрического сигнала в
Полная эффективность преобразования электрического сигнала в
Основное отличие этих трёх структур от структуры с плоской геометрией
Основное отличие этих трёх структур от структуры с плоской геометрией
Основное отличие этих трёх структур от структуры с плоской геометрией
Основное отличие этих трёх структур от структуры с плоской геометрией
Основное отличие этих трёх структур от структуры с плоской геометрией
Основное отличие этих трёх структур от структуры с плоской геометрией
Инфракрасные светодиоды
Инфракрасные светодиоды
Различают два основных типа светодиодов, обеспечивающих ввод излучения
Различают два основных типа светодиодов, обеспечивающих ввод излучения
Различают два основных типа светодиодов, обеспечивающих ввод излучения
Различают два основных типа светодиодов, обеспечивающих ввод излучения
Различают два основных типа светодиодов, обеспечивающих ввод излучения
Различают два основных типа светодиодов, обеспечивающих ввод излучения
Предельная частота светодиода
Предельная частота светодиода
Предельная частота светодиода
Предельная частота светодиода
Предельная частота светодиода
Предельная частота светодиода
Предельная частота светодиода
Предельная частота светодиода
Полупроводниковые лазеры
Полупроводниковые лазеры
Полупроводниковые лазеры
Полупроводниковые лазеры
1. В обычных лазерах квантовые переходы происходят между дискретными
1. В обычных лазерах квантовые переходы происходят между дискретными
Диапазон длин волн лазерного излучения охватывает область спектра от
Диапазон длин волн лазерного излучения охватывает область спектра от
Диапазон длин волн лазерного излучения охватывает область спектра от
Диапазон длин волн лазерного излучения охватывает область спектра от
Стимулированное излучение
Стимулированное излучение
На рис
На рис
На рис
На рис
Для изготовления лазеров используют полупроводники с прямыми зонами,
Для изготовления лазеров используют полупроводники с прямыми зонами,
На рис
На рис
Через p - n - переход инжектируются электроны из n - области I в
Через p - n - переход инжектируются электроны из n - области I в
В качестве материала, инжектирующего электроны (вместо n - GaAs) может
В качестве материала, инжектирующего электроны (вместо n - GaAs) может
Наиболее легко и эффективно инверсия населенности достигается в
Наиболее легко и эффективно инверсия населенности достигается в
В области p-n-перехода образуется потенциальный барьер, не позволяющий
В области p-n-перехода образуется потенциальный барьер, не позволяющий
Инжектированные электроны после диффундирования на небольшое
Инжектированные электроны после диффундирования на небольшое
Деградация лазеров
Деградация лазеров
Полупроводниковые лазеры на фотонных кристаллах
Полупроводниковые лазеры на фотонных кристаллах
Ученым из компании Bell Labs удалось разработать лазер нового
Ученым из компании Bell Labs удалось разработать лазер нового
Лазеры
Лазеры
Лазеры
Лазеры
Фотонный кристалл, являющийся неотъемлемой частью нового лазера,
Фотонный кристалл, являющийся неотъемлемой частью нового лазера,
Многокаскадный полупроводниковый лазер представляет собой этакий
Многокаскадный полупроводниковый лазер представляет собой этакий
Полупроводниковые лазеры скоро встанут на вооружение США
Полупроводниковые лазеры скоро встанут на вооружение США
Картинки из презентации «Лазеры» к уроку физики на тему «Лазеры»

Автор: Назаров. Чтобы познакомиться с картинкой полного размера, нажмите на её эскиз. Чтобы можно было использовать все картинки для урока физики, скачайте бесплатно презентацию «Лазеры.ppt» со всеми картинками в zip-архиве размером 322 КБ.

Скачать презентацию

Лазеры

содержание презентации «Лазеры.ppt»
Сл Текст Сл Текст
1Светодиоды и полупроводниковые лазеры. 17Рассмотрим два энергетических уровня E1 и Е2, один из которых Е1
2Содержание. Светодиоды П/п лазеры П/п лазеры на фотонных характеризует основное, а другой Е2 - возбужденное состояние.
кристаллах. Любой переход между этими состояниями сопровождается испусканием
3Светодиоды. Light-Emitting Diode (LED). Светодиодом, или или поглощением фотона с частотой ?12, определяемой из
излучающим диодом, называют полупроводниковый прибор (p-n соотношения h?12=E2-E1. При обычных температурах большинство
переход), излучающий кванты света при протекании через него атомов находится в основном состоянии. Эта ситуация нарушается в
прямого тока. По характеристике излучения излучающие диоды можно результате воздействия на систему фотона с энергией, равной
разделить на две группы: с излучением в видимой части спектра h?12. Атом в состоянии E1 поглощает фотон и переходит в
(светодиода) и инфракрасной - диоды ИК-излучения. Светодиоды возбужденное состояние Е2. Это и составляет процесс поглощения
выпускаются красного (GaP : ZnO, GaAs0,6P0,4), оранжевого излучения. Возбужденное состояние является нестабильным и через
(GaAs0,35P0,65), зеленого (GaP), желтого (GaAs0,14P0,86), короткий промежуток времени без какого-либо внешнего воздействия
голубого (GaAs - ErYb, SiC), фиолетового (GaN) цветов свечения, атом переходит в основное состояние, испуская фотон с энергией
а также с переменным цветом свечения. Последние имеют два h?12 (спонтанная эмиссия). Время жизни, связанное со спонтанной
электронно-дырочных перехода. Общий свет свечения зависит от эмиссией (т.е. среднее время возбужденного состояния), может
соотношения токов, протекающих через эти переходы. Светодиоды изменяться в широком диапазоне, обычно в пределах 10-9 - 10-3 с,
чаще всего используют как индикаторные устройства. Поскольку в зависимости от параметров полупроводника, таких, как структура
глаз чувствителен только к свету с энергией hv~1.8 эВ (~0.7 зон (прямая или не прямая) и плотность рекомбинационных центров.
мкм), то полупроводники, которые могут быть использованы для Столкновение фотона, обладающего энергией h?12, с атомом,
создания светодиодов видимого диапазона, должны иметь ширину находящемся в возбужденном состоянии, стимулирует мгновенный
запрещённой зоны больше этого значения. На практике наибольший переход атома в основное состояние с испусканием фотона с
интерес представляет GaAs(1-x)Px. энергией h?12 и фазой, соответствующей фазе падающего излучения
4На рис. приведена зависимость запрещенной от волнового (стимулированное излучение).
вектора для нескольких значений х, из которой следует, что зона 18На рис. показана базовая структура лазера с p-n переходом.
проводимости имеет два минимума. Те минимумы, которые Две боковые грани структуры скалываются или полируются
расположены в точке Г, являются прямыми, тогда как другие, перпендикулярно плоскости перехода. Две другие грани делаются
расположенные на оси х, непрямые. шероховатыми для того, чтобы исключить излучение в направлениях,
5Электроны в прямом минимуме зоны проводимости и дырки в не совпадающих с главным. Такая структура называется резонатором
максимуме валентной зоны обладают одинаковыми квазиимпульсами; Фабри-Перо. Смещение лазерного диода в прямом направлении
электроны в непрямом минимуме имеют другое значение вызывает протекание тока. Вначале, при низких значениях тока,
квазиимпульса. Для таких прямозонных полупроводников, как возникает спонтанное излучение, распространяющееся во всех
GaAs(1-x)Px (x < 0.45) квазиимпульс при межзонных переходах направлениях. При увеличении смещения ток достигает порогового
сохраняется, поэтому эти переходы характеризуются высокой значения, при котором создаются условия для стимулированного
степенью вероятности. При этом энергия фотона приблизительно излучения, и р-n переход испускает монохроматичный строго
равна ширине запрещённой зоны полупроводника. В прямозонных направленный луч света.
материалах процесс излучательной рекомбинации является 19Для изготовления лазеров используют полупроводники с прямыми
доминирующим. В то же время для GaAs(1-x)Px при х > 0.45 и зонами, например GaAs или GaAlAs, в которых возможны переходы
GaP, у которых запрещённая зона не прямая, вероятность электронов без участия фотонов. Создание инверсной заселённости
междузонных переходов чрезвычайно мала, поскольку в этом случае уровней происходит при интенсивной инжекции неосновных
для преобразования квазиимпульса при переходе требуется участие носителей, что легче достигается в гетеропереходах (гомопереходы
фононов или других факторах рассеяния. Поэтому для усиления - p - n - переходы, созданные в одном и том же веществе,
излучательных процессов в непрямозонных полупроводниках, таких, гетеропереходы получают между p - и n - областями материалов с
например, как GaP, специально создаются рекомбинационные центры. различной шириной запрещённой зоны, что даёт, например,
Эффективные центры излучательноц рекомбинации в GaAs(1-x)Px многоступенчатую форму p - n - перехода), изготовленных на
могут быть созданы путём внедрения специальных примесей, основе материалов с высокой концентрацией примесей. Усиление
например азота. Азот, внедрённый в полупроводник, замещает атомы света происходит только вдоль направлений, перпендикулярных
фосфора в узлах решётки. Азот и фосфор имеют одинаковую внешнюю поверхности зеркал, поэтому из области p - n - перехода через
электронную структуру (оба относятся к V группе элементов полупрозрачную отражающую поверхность выходит узкий луч
периодической системы), а структуры их внутренних оболочек когерентного излучения.
сильно различаются. Это приводит к возникновению вблизи зоны 20На рис. приведена энергетическая зонная диаграмма лазера в
проводимости электронного уровня захвата. Полученный таким присутствии внешнего напряжения U.
образом рекомбинационный центр называется изоэлектронным 21Через p - n - переход инжектируются электроны из n - области
центром. В нормальном состоянии изоэлектронные центры I в активную область II (толщиной ~ 1мкм), где происходит
нейтральны. В материале p-типа инжектированный электрон сначала излучение фотонов с энергией hv=1.4эВ. Переход типа p - p+, т.е.
захватывается на центр. Заряженный отрицательно центр затем несимметрично легированная область, между p - областью II и
захватывает дырку из валентной зоны, формируя связанный экситон. областью III создаёт барьер для электронов, попавших в активную
Последующая аннигиляция этой электронно-дырочной пары приводит к II, и способствует накоплению электронов в этой области.
рождению фотона с энергией, примерно равной разности между Лазерный эффект достигается при определённых пороговых значениях
шириной запрещённой зоны и энергией связи центра. Так как тока через переход (примерно при 300K). Начиная с этих значений
захваченный электрон сильно локализован на центре, его импульс тока спектральная полоса излучения значительно сужается. Для
рассеивается. Таким образом обеспечивается преобразование уменьшения рабочих токов и ослабления нагрева активный слой
квазиимпульса, вследствие чего вероятность прямого перехода часто сокращают до полоски шириной 5 - 20 мкм, идущей от одной
существенно возрастает. В непрямозонных материалах, таких, как отражающей поверхности до другой. Этого достигают применением
GaP, описанный механизм излучательной рекомбинации является узкого металлического электрода (верхнего на рис.). У подобных
преобладающим. устройств снижается как пороговый ток (примерно до 100 мА при
6Принцип действия светодиода основан на излучательной комнатной температуре), так и инерционность вследствие
рекомбинации инжектированных носителей в прямосмещенном p-n уменьшения ёмкости переходов.
переходе. 22В качестве материала, инжектирующего электроны (вместо n -
7Конструкции светодиодов. Среди светодиодных структур GaAs) может быть использован более широкозонный (рис.). В этом
основной является структура с плоской геометрией (см. рис.). случае активный слой GaAs p - типа располагается между двумя
Обычно прямозонные светодиоды (красное излучение) формируются на широкозонными полупроводниками p - GaAlAs и n - GaAlAs, которые
подложках GaAs (а), тогда как непрямозонные (оранжевое, жёлтое и обладают более низким коэффициентом преломления. Это приводит к
зелёное излучения) - на подложках GaP (б). усилению отражения света от боковых слоёв и, следовательно, к
8Переходная область ограничивает образование безызлучательных уменьшению потерь света. Мощность излучения лазеров, работающих
центров, обусловленных различием решёток. Фотоны, генерируемые в в непрерывном режиме, составляет около 0.1 Вт. В случае
области перехода, испускаются во всех направлениях, однако импульсного возбуждения мощность может быть значительно
наблюдателя достигает лишь та их часть, которая проходит через повышена, т.к. нагрев прибора будет ослаблен. КПД инжекционных
поверхность. Уменьшение количества излучаемых светодиодом лазеров достигает 50%, инерционность составляет 1 - 10-9 c,
фотонов обусловлено поглощением в материале светодиода, потерями напряжение питания не превышает 3В, а размеры нескольких мм.
за счёт отражения и потерями за счёт полного внутреннего Модуляция светового тока может осуществляться изменением
отражения. Потери, связанные с поглощением, весьма существенны в напряжения.
светодиодах на подложках GaAs (а), т.к. в этом случае подложка 23Наиболее легко и эффективно инверсия населенности
поглощает примерно 85% фотонов, излучаемых переходом. В достигается в p-n-переходах за счет инжекции электронов.
светодиодах на подложках GaP (б) поглощение составляет ~25%, и Известно, что в сильнолегированных (вырожденных)
эффективность излучения может быть существенно увеличена. При полупроводниках, когда одному и тому же значению энергии
использовании подложки GaAs на неё наращивается переходный слой соответствуют различные электронные или дырочные состояния, в p-
GaAs(1-x)Px переменного состава с х, изменяющимся в пределах и n-областях уровни Ферми находятся в пределах разрешенных зон и
0-0.4, а затем слой GaAs(1-x)Px с постоянным составом. при тепловом равновесии эти уровни для электронов и дырок
9Полная эффективность преобразования электрического сигнала в совпадают (рис.а).
оптический даётся следующим выражением: 24В области p-n-перехода образуется потенциальный барьер, не
10Основное отличие этих трёх структур от структуры с плоской позволяющий переходить основным носителям из зоны в зону. Если
геометрией состоит в том, что телесный угол для них равен 1. же к переходу приложить напряжение U в прямом направлении, то
Таким образом, отношение эффективностей равно. Это означает, что потенциальный барьер в области p-n-перехода уменьшается на
для структур на GaP c n=3.45 при данной геометрии можно ожидать значение энергии, соответствующей этому напряжению. Как правило,
увеличения эффективности на порядок. На рис. показаны поперечные это напряжение оказывается приложенным к переходу, вследствие
разрезы других светодиодов, которые имеют параболическую, чего равновесие носителей тока нарушается. Если при тепловом
полусферическую и усечённо сферическую геометрию. равновесии распределение электронов и дырок можно было описать с
11Инфракрасные светодиоды. Областями применения диодов помощью квазиуровня Ферми, то при наличии приложенного
ИК-излучения являются оптронные устройства коммутации, электрического поля заполнение состояний нужно рассматривать
оптические линии связи, системы дистанционного управления. отдельно для зоны проводимости и отдельно для валентной зоны.
Наиболее распространённый в настоящее время инфракрасный При включении прямого смещения возникает диффузионный поток
источник - это светодиод на основе GaAs. Он обладает наибольшей электронов через p-n-переход, который стремится поднять
эффективностью электролюминесценции в основном благодаря тому, квазиуровень Ферми Fn для электронов в p-n-области до его уровня
что среди всех прямозонных полупроводников GaAs является в n-области.
технологически наиболее освоенным. Для изготовления инфракрасных 25Инжектированные электроны после диффундирования на небольшое
светодиодов используются многие другие полупроводники, имеющие расстояние, определяемое диффузионной длинной, рекомбинируют с
запрещённую зону шириной менее 1,5 эВ. К ним относятся твёрдые дырками; в результате возникает стационарное состояние, при
растворы, в состав которых входят три или четыре элемента III и котором скорость рекомбинации электронов в точности
V групп периодической системы. Светодиоды по сравнению с сбалансирована скоростью их инжекции. Совершенно аналогичны
лазерами имеют как преимущества, так и недостатки. К последним рассуждения и для дырок в валентной зоне. При наличии
относятся меньшая яркость, более низкие частоты модуляции и стационарного состояния положение квазиуровней Ферми для двух
большая спектральная ширина линии излучения, типичное значение типов носителей в области перехода меняется (рис. б). Основные
которой составляет 100-500 ангстрем, тогда как лазеры носители вытягиваются из контакта, чтобы обеспечить условие
характеризуются шириной линии 0,1-1 ангстрем. нейтральности. В настоящее время лазерные диоды в основном
12Различают два основных типа светодиодов, обеспечивающих ввод изготовляют из GaAs или Ga1-xAlxAs. Структура лазерного диода на
излучения в оптические волокна малого диаметра: светодиоды с p-n-переходе представлена на рис.
излучающей поверхностью (рис.4) и с излучающей гранью (рис.). 26Деградация лазеров. Деградация инжекционных лазеров
13Предельная частота светодиода. Экспериментально показано, обусловлена целым рядом механизмов. Выделяют три основных типа
что предельная частота возрастает с концентрацией р0. Для деградации: 1) катастрофическое разрушение; 2) образование
достижения высоких значений f необходимо уменьшать толщину дефектов темных линий; 3) постепенная деградация.
рекомбинационной области и увеличивать концентрацию носителей. Катастрофическое разрушение происходит под действием больших
Важным параметром, который должен учитываться при мощностей излучения, приводящих к непрерывному повреждению
конструировании светодиодов для оптических систем связи, зеркал лазера вследствие образования на их поверхности ямок и
является диапазон рабочих частот. При внешнем возбуждении канавок. Дефекты темных линий представляют собой сетку
скорость полной излучательной рекомбинации определяется дислокаций, которые могут формироваться в процессе работы лазера
выражением: Rr = Bnp где В-константа излучательной рекомбинации, и внедряться внутрь резонатора. Появившись, она может сильно
равная G/n0p0 (G-скорость полной термической генерации). При разрастись в течение нескольких часов и вызвать увеличение
достаточно низких уровнях возбуждения, таких, что в материале плотности порогового тока.
р-типа р примерно равно р0, время жизни излучательной 27Полупроводниковые лазеры на фотонных кристаллах.
рекомбинации становится равным: А для материала n-типа, когда n 28Ученым из компании Bell Labs удалось разработать лазер
примерно равно n0: нового поколения, используя в качестве полупроводника для
14Полупроводниковые лазеры. Полупроводниковые лазеры, подобно изготовления многокаскадного полупроводникового лазера фотонные
другим лазерам (таким, как рубиновый лазер или же лазер на смеси кристаллы. Полученный лазер обладает уникальными свойствами.
He - Ne), испускают излучение, когерентное в пространстве и во Например, его излучение может быть направлено в любом, заранее
времени. Это означает, что излучение лазера высоко выбранном, направлении, что позволяет встраивать его в обычную
монохроматично (имеет узкую полосу спектра) и создает строго полупроводниковую микросхему. Обычный многокаскадный
направленный луч света. Вместе с тем по ряду важных полупроводниковый лазер, представляющий собой набор слоев из
характеристик полупроводниковые лазеры существенно отличаются от тонких полупроводниковых пластин, может излучать свет лишь в
лазеров других типов. стороны, как показано на втором рисунке. Новый лазер на фотоных
151. В обычных лазерах квантовые переходы происходят между кристаллах избавлен от этого недостатка и может излучать свет в
дискретными энергетическими уровнями, тогда как в любом, заранее выбранном направлении.
полупроводниковых лазерах переходы обусловлены зонной структурой 29
материала. 2. Полупроводниковые лазеры имеют очень малые размеры 30Фотонный кристалл, являющийся неотъемлемой частью нового
(~0,1 мм в длину), и так как активная область в них очень узкая лазера, представляет собой полупрозрачный диэлектрик с
(~1 мкм и меньше), расхождение лазерного луча значительно определенной периодической структурой и уникальными оптическими
больше, чем у обычного лазера. 3. Пространственные и свойствами. Уникальность его заключается в том, что фотонный
спектральные характеристики излучения полупроводникового лазера кристалл обеспечивает почти полное управление движением
сильно зависит от свойств материала, из которого сделан переход проходящего через него света. Такие возможности достигаются за
(таких свойств, как структура запрещенной зоны и коэффициент счет наличия в кристалле диэлектрика равномерно распределенных
преломления). 4. В лазере с р-n переходом лазерное излучение мельчайших отверстий. Их диаметр подобран таким образом, что они
возникает непосредственно под действием тока, протекающего через пропускают световые волны лишь определенной длины, а остальные
прямосмещенный диод. В результате система очень эффективна, частично отражают или поглощают. При определенном физическом
поскольку позволяет легко осуществлять модуляцию излучения за воздействии на кристалл, например, звуковыми волнами, длина
счет модуляции тока. Так как полупроводниковые лазеры световой волны, пропускаемой кристаллом, и направление ее
характеризуются очень малыми временами стимулированного движения могут значительно меняться.
излучения, модуляция может проводиться на высоких частотах. 31Многокаскадный полупроводниковый лазер представляет собой
16Диапазон длин волн лазерного излучения охватывает область этакий "сэндвич", состоящий из нескольких (более двух)
спектра от ультрафиолетовой до инфракрасной. В интервале длин тончайших, в несколько нанометров толщиной, чередующихся слоев
волн вблизи 0,9 мкм в качестве источников излучения используется полупроводника с несколько отличающейся проводимостью. Если
гетеролазеры на основе GaAs-Al(x)Ga(1-x)As. Вблизи длины волны приложить к разным концам такого сэндвича электрическое
1,3 мкм в ВОЛС волокно имеет низкие потери (0.6 ДБ/км) и слабую напряжение, то электроны потекут сквозь эти слои весьма
дисперсию, а в окрестности длины волны 1,55 мкм потери достигают специфичным образом: накопив достаточно энергии, они синхронно
минимального значения (0,2 дБ/км), поэтому в качестве источников "перепрыгивают" сквозь слой (выражаясь научно, падают
излучения могут использоваться лазеры на основе в квантовую яму), излучая затраченную на переход энергию в виде
Ga(x)In(1-x)As(y)P(1-y)-InP. фотонов. Характерной особенностью такого лазера является то, что
17Стимулированное излучение. Работа лазера связана с тремя он излучает непрерывно и равномерно, строго параллельно
основными процессами, обусловленными переходом носителей: плоскости, в которой лежат слои полупроводников.
поглощения, спонтанной эмиссии и стимулированным излучением. 32Полупроводниковые лазеры скоро встанут на вооружение США.
«Лазеры» | Лазеры.ppt
http://900igr.net/kartinki/fizika/Lazery/Lazery.html
cсылка на страницу

Лазеры

другие презентации о лазерах

«Явление света» - Оптика. 1.Почему скорость света впервые была измерена астрономическим методом? Развитие представлений о природе света. Физиологическая. Два способа передачи взаимодействия. Геометрическая. 6 в. до н. э. Пифагор, 4 в. до н.э. Аристотель, 3 в. до н. э. Евклид занимались изучением света. Задачи исторического содержания.

«Световая волна» - (4). Подставляя выражение для из (17) или (18) по-. (3). 4. Опыт Юнга. (12). Направления распространения световой волны. Волновая оптика. Выразим из (15) оптическую разность хода через разность фаз. Рис. 3. Разность фаз. Лучим координаты интерференционного максиму-ма или минимума. Оптики об аддитивности сложения интенсивностей световых пучков.

«Излучение света» - Как проявляется? 1. Выцветание тканей на солнце и образование загара. 2. Фотосинтез. 3. Фотография. 1. Фотолюминесценция 2. Катодолюминесценция 3. Электролюминесценция 4. Хемилюминесценция. Вопросы: 1) Где применяются явления люминесценции? Химическое действие света. 4) Почему люминесцентные лампы в 4-5 раз экономичнее, чем лампы накаливания?

«Природа света» - Интерференция. Богословский словарь. Упоминание о свете мы находим уже в первых строках Библии: Законы отражения. Издательство Москва «Советская энциклопедия» 1990г. Показатель преломления частота э/м колебаний длина волны скорость света в веществе. И% нарече2 Бг8ъ свt1тъ де1нь, а5 тму2 нарече2 но1щь.

«Свет физика» - Развитие взглядов на природу света. Тема: Время движения света t=2?/c, поэтому дает с = 3,14•10 8 м/с. S2. Однако обнаружить запаздывание сигнала не удалось из-за большой скорости света . Метод Майкельсона: С = 3,14•10 8 м/с. Орбита Юпитера. Орбита Земли. С=299792456,2 ±1,1 м/с. Орбита спутника Ио. С помощью каких методов измерили скорость света?

«Давление света» - Давление света можно объяснить и с другой точки зрения. Учитель Распопова Л.В. Схема опыта П.Н. Лебедева. Давление света. Физика 12 класс. Поэтому покоящееся тело приходит в движение. Явления интерференции, дифракции, дисперсии, поляризации имеют волновую природу.

Урок

Физика

133 темы
Картинки
Презентация: Лазеры | Тема: Лазеры | Урок: Физика | Вид: Картинки