Полупроводниковые приборы |
Картинки из презентации «Полупроводниковые приборы» к уроку физики на тему «Полупроводники»
Автор: HomePC. Чтобы познакомиться с картинкой полного размера, нажмите на её эскиз. Чтобы можно было использовать все картинки для урока физики, скачайте бесплатно «Полупроводниковые приборы.ppt» со всеми картинками в zip-архиве (2058 КБ).
Полупроводниковые приборы
содержание презентации «Полупроводниковые приборы.ppt»| Слайд | Текст | Слайд | Текст |
| 1 | Классификация и обозначения полупроводниковых приборов. | 12 | специального назначения с регистрационным номером 10 и |
| Выполнено: Тепликов И. Сенюков Е. | напряжением 200 В. | ||
| 2 | Введение. При использовании полупроводниковых приборов в | 13 | Стандарт JIS-C-7012. Система стандартных обозначений, |
| электронных устройствах для унификации их обозначения и | разработанная в Японии (стандарт JIS-C-7012, принятый | ||
| стандартизации параметров используются системы условных | ассоциацией EIAJ-Electronic Industries Association of Japan) | ||
| обозначений. Эта система классифицирует полупроводниковые | позволяет определить класс полупроводникового прибора (диод или | ||
| приборы по их назначению, основным физическим и электрическим | транзистор), его назначение, тип проводимости полупроводника. | ||
| параметрам, конструктивно-технологическим свойствам, виду | Вид полупроводникового материала в японской системе не | ||
| полупроводниковых материалов. Система условных обозначений | отражается. Условное обозначение полупроводниковых приборов по | ||
| отечественных полупроводниковых приборов базируется на | стандарту JIS-C-7012 состоит из пяти элементов. Первый элемент. | ||
| государственных и отраслевых стандартах. Первый ГОСТ на систему | Первый элемент (цифра) обозначает тип полупроводникового | ||
| обозначений полупроводниковых приборов ГОСТ 10862-64 был введен | прибора. Используются 3 цифры (0, 1, 2 и 3) в соответствии с | ||
| в 1964 году. Затем по мере возникновения новых классификационных | типом прибора. Второй элемент. Второй элемент обозначается | ||
| групп приборов был изменен на ГОСТ 10862-72, а затем на | буквой S и указывает на то, что данный прибор является | ||
| отраслевой стандарт ОСТ 11.336.038-77 и ОСТ 11.336.919-81 | полупроводниковым. Буква S используется как начальная буква от | ||
| соответственно в 1972, 1977, 1981 годах. При этой модификации | слова Semiconductor. Третий элемент. Третий элемент (буква) | ||
| основные элементы цифробуквенного кода системы условных | обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Ниже в таблице | ||
| обозначений сохранились. Эта система обозначений логически | приведены буквы, используемые для обозначения подклассов | ||
| строена и позволяет наращивать по мере дальнейшего развития | Четвертый элемент. Четвертый элемент обозначает регистрационный | ||
| элементной базы. Основные термины, определения и буквенные | номер технологической разработки и начинается с числа 11. Пятый | ||
| обозначения основных и справочных параметров полупроводниковых | элемент. Пятый элемент отражает модификацию разработки (А и В – | ||
| приборов приведены в следующих гостах: 25529-82 – Диоды | первая и вторая модификация). | ||
| полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения | 14 | JEDEC. Система обозначений JEDEC (Joint Electron Device | |
| параметров; 19095-73 – Транзисторы полевые. Термины, определения | Engineering Council), принята объединенным техническим советом | ||
| и буквенные обозначения параметров; 20003-74 – Транзисторы | по электронным приборам США. По этой системе приборы | ||
| биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения | обозначаются индексом (кодом, маркировкой), в котором: Первый | ||
| параметров; 20332-84 – Тиристоры. Термины, определения и | элемент. Первый элемент (цифра) обозначает число p-n переходов. | ||
| буквенные обозначения параметров. | Используются 4 цифры (1, 2, 3 и 4) в соответствии с типом | ||
| 3 | Условные обозначения и классификация отечественных | прибора: 1 – диод, 2 – транзистор, 3 – тиристор, 4 – оптопара. | |
| полупроводниковых приборов. Система обозначений современных | Второй элемент. Второй элемент состоит из буквы N и серийного | ||
| полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов | номера, который регистрируется ассоциацией предприятий | ||
| установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81 и базируется | электронной промышленности (EIA). Цифры серийного номера не | ||
| на ряде классификационных признаков этих приборов. В основу | определяют тип исходного материала, частотный диапазон, мощность | ||
| системы обозначений положен буквенно-цифровой код, который | рассеяния и область применения. Третий элемент. Третий элемент - | ||
| состоит из 5 элементов… | одна или несколько букв, указывают на разбивку приборов одного | ||
| 4 | Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный | типа на типономиналы по различным характеристикам. | |
| полупроводниковый материал, на базе которого создан | Фирма-изготовитель, приборы которой по своим параметрам подобны | ||
| полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского | приборам, зарегестрированным EIA, может представлять свои | ||
| применения используются буквы, являющиеся начальными буквами в | приборы с обозначением, принятым по системе JEDEC. Пример: | ||
| названии полупроводника или полупроводникового соединения. Для | 2N2221A, 2N904. | ||
| приборов специального применения вместо этих букв используются | 15 | Графические обозначения и стандарты. В технической | |
| цифры. Исходный материал Условные обозначения Германий или его | документации и специальной литературе применяются условные | ||
| соединения Г или 1 Кремний или его соединения К или 2 Соединения | графические обозначения полупроводниковых приборов в | ||
| галлия (например, арсенид галлия) А или 3 Соединения индия | соответствии с ГОСТ 2.730-73 «Обозначения условные, графические | ||
| (например, фосфид индия) И или 4. Первый элемент. | в схемах. Приборы полупроводниковые». | ||
| 5 | Второй элемент- подкласс полупроводниковых приборов. Обычно | 16 | Диод выпрямительный, столб выпрямительный. |
| буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия. | 17 | Диод туннельный. | |
| 6 | Третий элемент. Третий элемент (цифра) в обозначении | 18 | Диод обращения. |
| полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные | 19 | Варикап. | |
| возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее | 20 | Диод светоизлучающий. | |
| характерные эксплутационные параметры (функциональные | 21 | Односторонний стабилитрон. | |
| возможности) различны. Для транзисторов – это рабочая частота и | 22 | Двусторонний стабилитрон. | |
| рассеиваемая мощность, для выпрямительных диодов - максимальное | 23 | Транзистор типа p-n-p. | |
| значение прямого тока, для стабилитронов – напряжение | 24 | Транзистор типа n-p-n. | |
| стабилизации и рассеиваемая мощность, для тиристоров – значение | 25 | Однопереходный транзистор с n-базой. | |
| тока в открытом состоянии. | 26 | Полевой транзистор с каналом n-типа. | |
| 7 | Четвертый элемент. Четвертый элемент (2 либо 3 цифры) | 27 | Полевой транзистор с каналом p-типа. |
| означает порядковый номер технологической разработки и | 28 | Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного | |
| изменяется от 01 до 999. | типа с. Р-каналом. N-каналом. | ||
| 8 | Пятый элемент. Пятый элемент (буква) в буквенно-цифровом | 29 | Диодный тиристор. |
| коде системы условных обозначений указывает разбраковку по | 30 | Триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с | |
| отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой | управлением по. Аноду. Катоду. | ||
| технологии. Для обозначения используются заглавные буквы | 31 | Условные обозначения электрических параметров и | |
| русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих | сравнительные справочные данные полупроводниковых приборов. Для | ||
| по написанию с цифрами. | полупроводниковых приборов определены и стандартизованы значения | ||
| 9 | Условные обозначения и классификация зарубежных | основных электрических параметров и предельные эксплутационные | |
| полупроводниковых приборов. За рубежом существуют различные | характеристики, которые приводятся в справочниках. К таким | ||
| системы обозначений полупроводниковых приборов. Наиболее | параметрам относятся: напряжение (например, Uпр – постоянное | ||
| распространенной является система обозначений JEDEC, принятая | прямое напряжение диода), ток (например, Iст, max – максимально | ||
| объединенным техническим советом по электронным приборам США. По | допустимый ток в стабилизации стабилитрона, мощность (например, | ||
| этой системе приборы обозначаются индексом (кодом, маркировкой), | Pвых – выходная мощность биполярного транзистора), сопротивление | ||
| в котором первая цифра соответствует числу p-n переходов: 1 – | (например, rдиф – дифференциальное сопротивление диода), емкость | ||
| диод, 2 – транзистор, 3 – тетрод (тиристор). За цифрой следует | (например, Cк – емкость коллекторного перехода), время и частота | ||
| буква N и серийный номер, который регистрируется ассоциацией | (например, tвос, обр - время обратного восстановления тиристора, | ||
| предприятий электронной промышленности (EIA). За номером могут | диода), температура (например, Tmax - максимальная температура | ||
| стоять одна или несколько букв, указывающих на разбивку приборов | окружающей среды). Число значений основных электрических | ||
| одного типа на типономиналы по различным параметрам или | параметров исчисляется сотнями, причем для каждого подкласса | ||
| характеристикам. Однако цифры серийного номера не определяют тип | полупроводниковых приборов эти параметры будут различными. В | ||
| исходного материала, частотный диапазон, мощность рассеяния или | справочных изданиях приводятся значения основных электрических | ||
| область применения. В Европе используется система, по которой | параметров и предельные эксплутационные характеристики | ||
| обозначения полупроводниковым приборам присваиваются | полупроводниковых приборов. Ниже в качестве примера приведены | ||
| организацией Association International Pro Electron. По этой | эти данные для типичных представителей различных типов приборов. | ||
| системе приборы для бытовой аппаратуры широкого применения | 32 | Примеры обозначения некоторых транзисторов: КТ604А - | |
| обозначаются двумя буквами и тремя цифрами. Так, у приборов | кремниевый биполярный, средней мощности, низкочастотный, номер | ||
| широкого применения после двух букв стоит трехзначный порядковый | разработки 04, группа А 2Т920 - кремниевый биполярный, большой | ||
| номер от 100 до 999. У приборов, применяемых в промышленной и | мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А | ||
| специальной аппаратуре, третий знак – буква (буквы используются | 2ПС202А-2 - набор маломощных кремниевых полевых транзисторов | ||
| в обратном алфавитном порядке: Z, Y, X и т.д.), за которой | средней частоты, номер разработки 02, группа А, бескорпусный, с | ||
| следует порядковый номер от 10 до 99. | гибкими выводами на кристаллодержателе. 2Д921А - кремниевый | ||
| 10 | В системе Pro Electron приняты следующие условные | импульсный диод с эффективным временем жизни неосновных | |
| обозначения: | носителей заряда менее 1нс, номер разработки 21, группа А 3И203Г | ||
| 11 | Первый элемент. Первый элемент (буква) обозначает исходный | - арсенидогаллиевый туннельный генераторный диод, номер | |
| полупроводниковый материал, на базе которого создан | разработки 3, группа Г АД103Б - арсенидогаллиевый излучающий | ||
| полупроводниковый прибор. Используются 4 латинские буквы A, B, C | диод инфракрасного диапазона, номер разработки 3, группа Б. | ||
| и D, в соответствии с видом полупроводника или | 33 | Основные ГОСТы: ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. | |
| полупроводникового соединения. | Термины и определения ОСТ 11 336,919 -81 Приборы | ||
| 12 | Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых | полупроводниковые. Система условных обозначений. ГОСТ 2,730-73 | |
| приборов. Третий элемент (цифра или буква) обозначает в | Обозначения условные графические в схемах. Приборы | ||
| буквенно-цифровом коде полупроводниковые приборы, | полупроводниковые ГОСТ 18472-82 Приборы полупроводниковые. | ||
| предназначенные для аппаратуры общегражданского применения | Основные размеры ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, | ||
| (цифра) или для аппаратуры специального применения (буква). В | определения и буквенные обозначения параметров. ГОСТ 19095 - 73 | ||
| качестве буквы в последнем случае используются заглавные | Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные | ||
| латинские буквы, расходуемые в обратном порядке Z, Y, X и т.п. | обозначения параметров. ГОСТ 23448 - 79 Приборы | ||
| Четвертый элемент (2 цифры) означает порядковый номер | полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры. | ||
| технологической разработки и изменяется от 01 до 99. Например, | ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и | ||
| ВТХ10-200 - это кремниевый управляемый выпрямитель (тиристор) | буквенные обозначения параметров. | ||
| «Полупроводниковые приборы» | Полупроводниковые приборы.ppt | |||
http://900igr.net/kartinki/fizika/Poluprovodnikovye-pribory/Poluprovodnikovye-pribory.html
cсылка на страницу
Полупроводники
другие презентации о полупроводниках
«Единица электрического напряжения» - Как включают амперметр в цепь? Вольтметр. Единицы напряжения. Какой величиной определяется сила тока в цепи? Как называют прибор для измерения силы тока? Имеется точный амперметр. 8 класс. В каких единицах градуируют шкалу амперметра? Затем измерим напряжение на лампочке: … Обозначение: U Единицы измерения: 1В (вольт). Электрическое напряжение. Внешний вид школьного демонстрационного вольтметра показан на рисунке справа. Развивать логическое мышление и память.
«Использование постоянного тока» - Области применения систем постоянного тока (стационарных аккумуляторных батарей).
«Ток в полупроводниках» - Зависимость проводимости от концентрации примеси. Проводимость чистого полупроводника примесного полупроводника. Литература: Питер Ю, М. Кардона. Прямые и непрямые межзонные переходы. Плотность тока. Проводимость. El. t - время рассеяния носителей на примесях и фононах Стационарный режим. Электрический ток в полупроводниках. Как экспериментально изучают электропроводность полупроводников? Полупроводники: InAs InN. Подвижность. Основы физики полупроводников. § 5.1, 5.2, 5.5.2 Дж. Время рассеяния носителей.
«Физика полупроводников» - Селен Selenium. Схематическое устройство и графическое обозначение на схемах транзисторов структуры p-n-p и n-p-n. Характеристика транзисторов. (23.05 1908)- американский физик. (6.06 1850-20.04 1918) -немецкий физик. Инженер многоканальной электросвязи. Вагнер Карл Вильгельм. В 1968-69 был президентом Американского физического общества.
«Электрический разряд» - Ток в электролитах. Во время грозы из конденсатора можно было рукой извлекать искры. Электрический ток в вакууме. Однако грозовой разряд может произойти и иначе. Транзисторы , как и диоды, чувствительны к температуре и перегрузке и проникающим излучением. Известны и твердые электролиты . Электрический ток в металлах. Тлеющий разряд. В истории физики были и печальные случаи.
«Электрическое сопротивление 8 класс» - Единицы сопротивления. Причина. R=U/I. 1Ом=1В/А. Разные проводники обладают различным сопротивлением. Электрическое сопротивление - R. Учитель физики: Грушицкая Г.Я. - Взаимодействие движущихся электронов с ионами кристаллической решетки. Презентация на тему: «Электрическое сопротивление проводников». Усть-Таркская средняя общеобразовательная школа.
Презентация: Полупроводниковые приборы | Тема: Полупроводники | Урок: Физика | Вид: Картинки