900igr.net > Презентации по физике > Полупроводники > Полупроводниковые приборы.ppt
Предыдущая презентация
РЕКЛАМА
Следующая презентация
<<  Электрический ток в полупроводниках
Все презентации
Физика полупроводниковых приборов  >>
Классификация и обозначения полупроводниковых приборов
Классификация и обозначения полупроводниковых приборов
Введение
Введение
Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых
Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых
Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый
Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый
Второй элемент- подкласс полупроводниковых приборов
Второй элемент- подкласс полупроводниковых приборов
Третий элемент
Третий элемент
Четвертый элемент
Четвертый элемент
Пятый элемент
Пятый элемент
Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых
Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых
В системе Pro Electron приняты следующие условные обозначения:
В системе Pro Electron приняты следующие условные обозначения:
Первый элемент
Первый элемент
Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов
Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов
Стандарт JIS-C-7012
Стандарт JIS-C-7012
JEDEC
JEDEC
Графические обозначения и стандарты
Графические обозначения и стандарты
Диод выпрямительный, столб выпрямительный
Диод выпрямительный, столб выпрямительный
Диод выпрямительный, столб выпрямительный
Диод выпрямительный, столб выпрямительный
Диод туннельный
Диод туннельный
Диод туннельный
Диод туннельный
Диод обращения
Диод обращения
Диод обращения
Диод обращения
Варикап
Варикап
Варикап
Варикап
Диод светоизлучающий
Диод светоизлучающий
Диод светоизлучающий
Диод светоизлучающий
Односторонний стабилитрон
Односторонний стабилитрон
Односторонний стабилитрон
Односторонний стабилитрон
Двусторонний стабилитрон
Двусторонний стабилитрон
Двусторонний стабилитрон
Двусторонний стабилитрон
Транзистор типа p-n-p
Транзистор типа p-n-p
Транзистор типа p-n-p
Транзистор типа p-n-p
Транзистор типа n-p-n
Транзистор типа n-p-n
Транзистор типа n-p-n
Транзистор типа n-p-n
Однопереходный транзистор с n-базой
Однопереходный транзистор с n-базой
Однопереходный транзистор с n-базой
Однопереходный транзистор с n-базой
Полевой транзистор с каналом n-типа
Полевой транзистор с каналом n-типа
Полевой транзистор с каналом n-типа
Полевой транзистор с каналом n-типа
Полевой транзистор с каналом p-типа
Полевой транзистор с каналом p-типа
Полевой транзистор с каналом p-типа
Полевой транзистор с каналом p-типа
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с
Диодный тиристор
Диодный тиристор
Диодный тиристор
Диодный тиристор
Триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с
Триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с
Триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с
Триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с
Триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с
Триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с
Условные обозначения электрических параметров и сравнительные
Условные обозначения электрических параметров и сравнительные
Примеры обозначения некоторых транзисторов: КТ604А - кремниевый
Примеры обозначения некоторых транзисторов: КТ604А - кремниевый
Основные ГОСТы: ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые
Основные ГОСТы: ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые
Картинки из презентации «Полупроводниковые приборы» к уроку физики на тему «Полупроводники»

Автор: HomePC. Чтобы познакомиться с картинкой полного размера, нажмите на её эскиз. Чтобы можно было использовать все картинки для урока физики, скачайте бесплатно презентацию «Полупроводниковые приборы.ppt» со всеми картинками в zip-архиве размером 2058 КБ.

Скачать презентацию
Реклама


Полупроводниковые приборы

содержание презентации «Полупроводниковые приборы.ppt»
Слайд Текст Слайд Текст
1Классификация и обозначения полупроводниковых приборов. 12специального назначения с регистрационным номером 10 и
Выполнено: Тепликов И. Сенюков Е. напряжением 200 В.
2Введение. При использовании полупроводниковых приборов в 13Стандарт JIS-C-7012. Система стандартных обозначений,
электронных устройствах для унификации их обозначения и разработанная в Японии (стандарт JIS-C-7012, принятый
стандартизации параметров используются системы условных ассоциацией EIAJ-Electronic Industries Association of Japan)
обозначений. Эта система классифицирует полупроводниковые позволяет определить класс полупроводникового прибора (диод или
приборы по их назначению, основным физическим и электрическим транзистор), его назначение, тип проводимости полупроводника.
параметрам, конструктивно-технологическим свойствам, виду Вид полупроводникового материала в японской системе не
полупроводниковых материалов. Система условных обозначений отражается. Условное обозначение полупроводниковых приборов по
отечественных полупроводниковых приборов базируется на стандарту JIS-C-7012 состоит из пяти элементов. Первый элемент.
государственных и отраслевых стандартах. Первый ГОСТ на систему Первый элемент (цифра) обозначает тип полупроводникового
обозначений полупроводниковых приборов ГОСТ 10862-64 был введен прибора. Используются 3 цифры (0, 1, 2 и 3) в соответствии с
в 1964 году. Затем по мере возникновения новых классификационных типом прибора. Второй элемент. Второй элемент обозначается
групп приборов был изменен на ГОСТ 10862-72, а затем на буквой S и указывает на то, что данный прибор является
отраслевой стандарт ОСТ 11.336.038-77 и ОСТ 11.336.919-81 полупроводниковым. Буква S используется как начальная буква от
соответственно в 1972, 1977, 1981 годах. При этой модификации слова Semiconductor. Третий элемент. Третий элемент (буква)
основные элементы цифробуквенного кода системы условных обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Ниже в таблице
обозначений сохранились. Эта система обозначений логически приведены буквы, используемые для обозначения подклассов
строена и позволяет наращивать по мере дальнейшего развития Четвертый элемент. Четвертый элемент обозначает регистрационный
элементной базы. Основные термины, определения и буквенные номер технологической разработки и начинается с числа 11. Пятый
обозначения основных и справочных параметров полупроводниковых элемент. Пятый элемент отражает модификацию разработки (А и В –
приборов приведены в следующих гостах: 25529-82 – Диоды первая и вторая модификация).
полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения 14JEDEC. Система обозначений JEDEC (Joint Electron Device
параметров; 19095-73 – Транзисторы полевые. Термины, определения Engineering Council), принята объединенным техническим советом
и буквенные обозначения параметров; 20003-74 – Транзисторы по электронным приборам США. По этой системе приборы
биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения обозначаются индексом (кодом, маркировкой), в котором: Первый
параметров; 20332-84 – Тиристоры. Термины, определения и элемент. Первый элемент (цифра) обозначает число p-n переходов.
буквенные обозначения параметров. Используются 4 цифры (1, 2, 3 и 4) в соответствии с типом
3Условные обозначения и классификация отечественных прибора: 1 – диод, 2 – транзистор, 3 – тиристор, 4 – оптопара.
полупроводниковых приборов. Система обозначений современных Второй элемент. Второй элемент состоит из буквы N и серийного
полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов номера, который регистрируется ассоциацией предприятий
установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81 и базируется электронной промышленности (EIA). Цифры серийного номера не
на ряде классификационных признаков этих приборов. В основу определяют тип исходного материала, частотный диапазон, мощность
системы обозначений положен буквенно-цифровой код, который рассеяния и область применения. Третий элемент. Третий элемент -
состоит из 5 элементов… одна или несколько букв, указывают на разбивку приборов одного
4Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный типа на типономиналы по различным характеристикам.
полупроводниковый материал, на базе которого создан Фирма-изготовитель, приборы которой по своим параметрам подобны
полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского приборам, зарегестрированным EIA, может представлять свои
применения используются буквы, являющиеся начальными буквами в приборы с обозначением, принятым по системе JEDEC. Пример:
названии полупроводника или полупроводникового соединения. Для 2N2221A, 2N904.
приборов специального применения вместо этих букв используются 15Графические обозначения и стандарты. В технической
цифры. Исходный материал Условные обозначения Германий или его документации и специальной литературе применяются условные
соединения Г или 1 Кремний или его соединения К или 2 Соединения графические обозначения полупроводниковых приборов в
галлия (например, арсенид галлия) А или 3 Соединения индия соответствии с ГОСТ 2.730-73 «Обозначения условные, графические
(например, фосфид индия) И или 4. Первый элемент. в схемах. Приборы полупроводниковые».
5Второй элемент- подкласс полупроводниковых приборов. Обычно 16Диод выпрямительный, столб выпрямительный.
буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия. 17Диод туннельный.
6Третий элемент. Третий элемент (цифра) в обозначении 18Диод обращения.
полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные 19Варикап.
возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее 20Диод светоизлучающий.
характерные эксплутационные параметры (функциональные 21Односторонний стабилитрон.
возможности) различны. Для транзисторов – это рабочая частота и 22Двусторонний стабилитрон.
рассеиваемая мощность, для выпрямительных диодов - максимальное 23Транзистор типа p-n-p.
значение прямого тока, для стабилитронов – напряжение 24Транзистор типа n-p-n.
стабилизации и рассеиваемая мощность, для тиристоров – значение 25Однопереходный транзистор с n-базой.
тока в открытом состоянии. 26Полевой транзистор с каналом n-типа.
7Четвертый элемент. Четвертый элемент (2 либо 3 цифры) 27Полевой транзистор с каналом p-типа.
означает порядковый номер технологической разработки и 28Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного
изменяется от 01 до 999. типа с. Р-каналом. N-каналом.
8Пятый элемент. Пятый элемент (буква) в буквенно-цифровом 29Диодный тиристор.
коде системы условных обозначений указывает разбраковку по 30Триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с
отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой управлением по. Аноду. Катоду.
технологии. Для обозначения используются заглавные буквы 31Условные обозначения электрических параметров и
русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих сравнительные справочные данные полупроводниковых приборов. Для
по написанию с цифрами. полупроводниковых приборов определены и стандартизованы значения
9Условные обозначения и классификация зарубежных основных электрических параметров и предельные эксплутационные
полупроводниковых приборов. За рубежом существуют различные характеристики, которые приводятся в справочниках. К таким
системы обозначений полупроводниковых приборов. Наиболее параметрам относятся: напряжение (например, Uпр – постоянное
распространенной является система обозначений JEDEC, принятая прямое напряжение диода), ток (например, Iст, max – максимально
объединенным техническим советом по электронным приборам США. По допустимый ток в стабилизации стабилитрона, мощность (например,
этой системе приборы обозначаются индексом (кодом, маркировкой), Pвых – выходная мощность биполярного транзистора), сопротивление
в котором первая цифра соответствует числу p-n переходов: 1 – (например, rдиф – дифференциальное сопротивление диода), емкость
диод, 2 – транзистор, 3 – тетрод (тиристор). За цифрой следует (например, Cк – емкость коллекторного перехода), время и частота
буква N и серийный номер, который регистрируется ассоциацией (например, tвос, обр - время обратного восстановления тиристора,
предприятий электронной промышленности (EIA). За номером могут диода), температура (например, Tmax - максимальная температура
стоять одна или несколько букв, указывающих на разбивку приборов окружающей среды). Число значений основных электрических
одного типа на типономиналы по различным параметрам или параметров исчисляется сотнями, причем для каждого подкласса
характеристикам. Однако цифры серийного номера не определяют тип полупроводниковых приборов эти параметры будут различными. В
исходного материала, частотный диапазон, мощность рассеяния или справочных изданиях приводятся значения основных электрических
область применения. В Европе используется система, по которой параметров и предельные эксплутационные характеристики
обозначения полупроводниковым приборам присваиваются полупроводниковых приборов. Ниже в качестве примера приведены
организацией Association International Pro Electron. По этой эти данные для типичных представителей различных типов приборов.
системе приборы для бытовой аппаратуры широкого применения 32Примеры обозначения некоторых транзисторов: КТ604А -
обозначаются двумя буквами и тремя цифрами. Так, у приборов кремниевый биполярный, средней мощности, низкочастотный, номер
широкого применения после двух букв стоит трехзначный порядковый разработки 04, группа А 2Т920 - кремниевый биполярный, большой
номер от 100 до 999. У приборов, применяемых в промышленной и мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А
специальной аппаратуре, третий знак – буква (буквы используются 2ПС202А-2 - набор маломощных кремниевых полевых транзисторов
в обратном алфавитном порядке: Z, Y, X и т.д.), за которой средней частоты, номер разработки 02, группа А, бескорпусный, с
следует порядковый номер от 10 до 99. гибкими выводами на кристаллодержателе. 2Д921А - кремниевый
10В системе Pro Electron приняты следующие условные импульсный диод с эффективным временем жизни неосновных
обозначения: носителей заряда менее 1нс, номер разработки 21, группа А 3И203Г
11Первый элемент. Первый элемент (буква) обозначает исходный - арсенидогаллиевый туннельный генераторный диод, номер
полупроводниковый материал, на базе которого создан разработки 3, группа Г АД103Б - арсенидогаллиевый излучающий
полупроводниковый прибор. Используются 4 латинские буквы A, B, C диод инфракрасного диапазона, номер разработки 3, группа Б.
и D, в соответствии с видом полупроводника или 33Основные ГОСТы: ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые.
полупроводникового соединения. Термины и определения ОСТ 11 336,919 -81 Приборы
12Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых полупроводниковые. Система условных обозначений. ГОСТ 2,730-73
приборов. Третий элемент (цифра или буква) обозначает в Обозначения условные графические в схемах. Приборы
буквенно-цифровом коде полупроводниковые приборы, полупроводниковые ГОСТ 18472-82 Приборы полупроводниковые.
предназначенные для аппаратуры общегражданского применения Основные размеры ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины,
(цифра) или для аппаратуры специального применения (буква). В определения и буквенные обозначения параметров. ГОСТ 19095 - 73
качестве буквы в последнем случае используются заглавные Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные
латинские буквы, расходуемые в обратном порядке Z, Y, X и т.п. обозначения параметров. ГОСТ 23448 - 79 Приборы
Четвертый элемент (2 цифры) означает порядковый номер полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры.
технологической разработки и изменяется от 01 до 99. Например, ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и
ВТХ10-200 - это кремниевый управляемый выпрямитель (тиристор) буквенные обозначения параметров.
«Полупроводниковые приборы» | Полупроводниковые приборы.ppt
http://900igr.net/kartinki/fizika/Poluprovodnikovye-pribory/Poluprovodnikovye-pribory.html
cсылка на страницу

Полупроводники

другие презентации о полупроводниках

«Единица электрического напряжения» - Как включают амперметр в цепь? Вольтметр. Единицы напряжения. Какой величиной определяется сила тока в цепи? Как называют прибор для измерения силы тока? Имеется точный амперметр. 8 класс. В каких единицах градуируют шкалу амперметра? Затем измерим напряжение на лампочке: … Обозначение: U Единицы измерения: 1В (вольт).

«Использование постоянного тока» - Области применения систем постоянного тока (стационарных аккумуляторных батарей).

«Ток в полупроводниках» - Зависимость проводимости от концентрации примеси. Проводимость чистого полупроводника примесного полупроводника. Литература: Питер Ю, М. Кардона. Прямые и непрямые межзонные переходы. Плотность тока. Проводимость. El. t - время рассеяния носителей на примесях и фононах Стационарный режим. Электрический ток в полупроводниках.

«Физика полупроводников» - Селен Selenium. Схематическое устройство и графическое обозначение на схемах транзисторов структуры p-n-p и n-p-n. Характеристика транзисторов. (23.05 1908)- американский физик. (6.06 1850-20.04 1918) -немецкий физик. Инженер многоканальной электросвязи. Вагнер Карл Вильгельм. В 1968-69 был президентом Американского физического общества.

«Электрический разряд» - Ток в электролитах. Во время грозы из конденсатора можно было рукой извлекать искры. Электрический ток в вакууме. Однако грозовой разряд может произойти и иначе. Транзисторы , как и диоды, чувствительны к температуре и перегрузке и проникающим излучением. Известны и твердые электролиты . Электрический ток в металлах.

«Электрическое сопротивление 8 класс» - Единицы сопротивления. Причина. R=U/I. 1Ом=1В/А. Разные проводники обладают различным сопротивлением. Электрическое сопротивление - R. Учитель физики: Грушицкая Г.Я. - Взаимодействие движущихся электронов с ионами кристаллической решетки. Презентация на тему: «Электрическое сопротивление проводников».



Реклама
Картинки
Презентация: Полупроводниковые приборы | Тема: Полупроводники | Урок: Физика | Вид: Картинки