Без темы
<<  Книги ермине в пензе Книги искры памяти 2  >>
Фотоприемники
Фотоприемники
Статистические параметры фотоприемников:
Статистические параметры фотоприемников:
Если регистрируемый сигнал на выходе фотоприемника - напряжение, то
Если регистрируемый сигнал на выходе фотоприемника - напряжение, то
К фотоприемникам относятся:
К фотоприемникам относятся:
Процессы лежащие в основе действия фотоприемников:
Процессы лежащие в основе действия фотоприемников:
Фотодетекторы должны обладать
Фотодетекторы должны обладать
Фотодиоды
Фотодиоды
Рассмотрим фотодиод на основе р-п перехода
Рассмотрим фотодиод на основе р-п перехода
ВАХ фотодиода
ВАХ фотодиода
При освещении фотодиода происходит генерация электронно-дырочных пар
При освещении фотодиода происходит генерация электронно-дырочных пар
Полный ток в фотодиоде
Полный ток в фотодиоде
Фотоприемники
Фотоприемники
Расчет полного тока
Расчет полного тока
Фоторезистор
Фоторезистор
Поток внутри полупроводника:
Поток внутри полупроводника:
Работа фоторезистора характеризуется:
Работа фоторезистора характеризуется:
2. Время фотоответа: зависит от времени пролета
2. Время фотоответа: зависит от времени пролета
P-I-N Фотодиод
P-I-N Фотодиод
Фототранзистор
Фототранзистор
Устройство и эквивалентная схема:
Устройство и эквивалентная схема:
Фототранзистор особенно эффективен, так как обеспечивает высокий
Фототранзистор особенно эффективен, так как обеспечивает высокий
Другие виды фотоприемников
Другие виды фотоприемников
На барьере Шоттки
На барьере Шоттки
На гетеропереходах
На гетеропереходах
Лавинные фотодиоды
Лавинные фотодиоды
Выполнили: Кормоева Т.Г. Фадеева А.В
Выполнили: Кормоева Т.Г. Фадеева А.В

Презентация на тему: «Книги инны воловичевой фото». Автор: Настя Фадеева. Файл: «Книги инны воловичевой фото.ppt». Размер zip-архива: 199 КБ.

Книги инны воловичевой фото

содержание презентации «Книги инны воловичевой фото.ppt»
СлайдТекст
1 Фотоприемники

Фотоприемники

Фотоприемники – полупроводниковые приборы, регистрирующие оптическое излучение и преобразующие оптический сигнал на входе в электрический сигнал на выходе фотодетектора.

2 Статистические параметры фотоприемников:

Статистические параметры фотоприемников:

Если на выходе фотоприемника изменяется ток, то фотоприемник характеризуется токовой чувствительностью Si. Токовая чувствительность – величина, характеризующая изменение тока, снимаемого с фотоприемника при единичном изменении мощности падающего оптического излучения:

3 Если регистрируемый сигнал на выходе фотоприемника - напряжение, то

Если регистрируемый сигнал на выходе фотоприемника - напряжение, то

вводят понятие вольтовая чувствительность – как величина, показывающая, на сколько изменится напряжение на выходе фотоприемника, при единичном изменении мощности падающего лучистого потока:

4 К фотоприемникам относятся:

К фотоприемникам относятся:

Фотодиоды Фоторезисторы Фототранзисторы P-I-N Фотодиоды и др. типы

5 Процессы лежащие в основе действия фотоприемников:

Процессы лежащие в основе действия фотоприемников:

Генерация носителей под действием внешнего излучения. Перенос носителей и умножение за счет того или иного механизма, характерного для данного прибора. Взаимодействие тока с внешней цепью, обеспечивающее получение выходного сигнала.

6 Фотодетекторы должны обладать

Фотодетекторы должны обладать

Высокой чувствительностью и быстродействием низким уровнем шумов иметь малые размеры низкие управляющие напряжения и токи.

7 Фотодиоды

Фотодиоды

Принцип действия: под действием оптического излучения образуется электронно-дырочная пара и в области пространственного заряда p-n перехода резко возрастает обратный ток фотодиода. Схема фотодиода:

8 Рассмотрим фотодиод на основе р-п перехода

Рассмотрим фотодиод на основе р-п перехода

9 ВАХ фотодиода

ВАХ фотодиода

Iтемн=io (e?vg - 1) io = q*lp*pno /tp + q*ln*npo/tn

10 При освещении фотодиода происходит генерация электронно-дырочных пар

При освещении фотодиода происходит генерация электронно-дырочных пар

Во всем проводнике изменяется концентрация неосновных носителей, следовательно возрастает дрейфовая компонента тока, а диффузионная не меняется.

?N,?P>>Pno,Npo

?N,?P<<Nno,Ppo

IФ = q*lp*?p /tp + q*ln*?n/tn = I?PE +I?NE

11 Полный ток в фотодиоде

Полный ток в фотодиоде

I = IФ + Iтемн

Фототок от напряжения не зависит. Область поглощения светового потока должна принадлежать промежутку (-Lp,n;Lp,n) ВАХ сдвигаются эквидистантно.

12 Фотоприемники
13 Расчет полного тока

Расчет полного тока

In - обусловлена равновесными и избыточными электронами в р-области Iг - обусловлена термо- и фотогенерацией электронно-дырочных пар в области пространственного заряда p-n перехода Iр - обусловлена дырками в n-области Iт - плотность темнового тока Iф - добавка за счет действия оптического излучения Вклад в In и Ip дают те носители, которые не рекомбинируют с основными носителями и достигают за счет диффузии p-n перехода.

14 Фоторезистор

Фоторезистор

Фоторезистор - это пластина полупроводника, на противоположных концах которого расположены омические контакты. Схема фоторезистора:

15 Поток внутри полупроводника:

Поток внутри полупроводника:

Фо - падающий поток R - коэффициент отражения a - коэффициент поглощения Sф - площадь

16 Работа фоторезистора характеризуется:

Работа фоторезистора характеризуется:

1. Квантовой эффективностью (усиление) Поскольку концентрация изменяется по закону: где T -время релаксации, то коэффициент усиления по току выражается:

17 2. Время фотоответа: зависит от времени пролета

2. Время фотоответа: зависит от времени пролета

Обычно у фоторезистора время ответа больше, чем у фотодиода, поскольку между контактами большое расстояние и слабое электрическое поле. 3. Обнаружительная способность.

18 P-I-N Фотодиод

P-I-N Фотодиод

P-I-N Фотодиод построен на обычном p-i-n диоде. Эти приборы являются наиболее распространенными, так как толщину обедненной области можно сделать такой, что обеспечивается оптимальная квантовая эффективность и быстродействие.

19 Фототранзистор

Фототранзистор

Фототранзистор дейсвует также как и остальные фотодетекторы, однако транзисторный эффект обеспечивает усиление фототока. По сравнению с фотодиодом фототранзистор более сложен в изготовлении и уступает ему в быстродействии (из-за большей площади).

20 Устройство и эквивалентная схема:

Устройство и эквивалентная схема:

Переход база - коллектор играет роль чувствительного элемента. На рисунке он показан в виде диода с параллельно включенной емкостью, имеет большую площадь

21 Фототранзистор особенно эффективен, так как обеспечивает высокий

Фототранзистор особенно эффективен, так как обеспечивает высокий

коэффициент преобразования по току(50% и более). В режиме работы с плавающей базой фотоносители дают вклад в ток коллектора в виде фототока Iph. Кроме того, дырки фотогенерируемые в базе, приходящие в базу из коллектора, уменьшают разность потенциалов между собой и эмиттером, что приводит к инжекции электронов через базу в коллектор. Общий ток:

22 Другие виды фотоприемников

Другие виды фотоприемников

23 На барьере Шоттки

На барьере Шоттки

В области пространственного заряда диода с барьером Шоттки на основе полупроводника n-типа при обратном смещении генерируемые электронно - дырочные пары разделяются электрическим полем, и дырки выбрасываются в металлический контакт, а электроны - в базу. Так как ОПЗ имеет малую ширину и примыкает к светоприемной поверхности, то такие фотодиоды обладают высокой квантовой эффективностью и высоким коэффициентом поглощения в области малых длин волн. Оптическое излучение полностью поглощается в ОПЗ фотодиода.

24 На гетеропереходах

На гетеропереходах

Полупроводник с более широкой запрещенной зоной используется как окно, которое пропускает оптическое излучение с энергией, меньшей чем ширина запрещенной зоны без заметного поглощения. И тогда эффективность фотодиода будет зависеть только от того, на каком расстоянии расположен p-n переход от светоприемной поверхности. Важно использовать гетеропереход с малой величиной обратного темнового тока, которую можно обеспечить, сводя к минимуму плотность граничных состояний, ответственных за появление, например, части тока, обусловленной фотогенерацией электронно-дырочных пар в ОПЗ p-n перехода. Это обеспечивается за счет согласования постоянных решеток обоих полупроводников

25 Лавинные фотодиоды

Лавинные фотодиоды

На них подается обратное напряжение, достаточное для развития ударной ионизации в ОПЗ, то есть, сила фототока, квантовый выход и чувствительность возрастают в М раз (М - коффициент лавинного умножения). Преимущество заключается в том, что они имеют меньшее значение мощности, эквивалентной шуму.

26 Выполнили: Кормоева Т.Г. Фадеева А.В

Выполнили: Кормоева Т.Г. Фадеева А.В

«Книги инны воловичевой фото»
http://900igr.net/prezentacija/bez_uroka/knigi-inny-volovichevoj-foto-225888.html
cсылка на страницу

Без темы

23687 презентаций
Урок

Без урока

1 тема
Слайды
900igr.net > Презентации по > Без темы > Книги инны воловичевой фото