Экологические проблемы
<<  Реализация НОИ «Наша новая школа» по направлению «Развитие системы поддержки талантливых детей»: проблемы, эффекты, тенденции Нил экологического образования  >>
Л.42 (35) Туннельный эффект
Л.42 (35) Туннельный эффект
15
15
17
17
18
18
20
20
30
30
40
40
50
50
60
60
65
65
70
70
75
75
80
80
1
1

Презентация: «Туннельный эффект». Автор: Foote. Файл: «Туннельный эффект.ppt». Размер zip-архива: 885 КБ.

Туннельный эффект

содержание презентации «Туннельный эффект.ppt»
СлайдТекст
1 Л.42 (35) Туннельный эффект

Л.42 (35) Туннельный эффект

10

Физическое квантовое явление: прохождение частицы из одной классически разрешённой области в другую

Классический подход: анализ одномерного движения частицы Состояние частицы задают скорость и координата

Закон сохранения механи-ческой энергии для частицы

Формула (103) позволяет найти точки остановки, которые делят ось х на разрешённые и запрещённые области

2 15

15

Анализ одномерного движения с помощью графика ПЕ – финитное движение является периодическим

Потенциаль- ный барьер. Классически Запрещённая область

Потенциаль- ная яма - колебания

3 17

17

Квантовый подход: анализ одномерного движения частицы Состояние частицы задаётся амплитудой вероятности

Финитное движение – стоячая дебройлевская волна вероятности. Пример: БГОППЯ

4 18

18

Финитное движение – стоячая дебройлевская волна вероятности. Пример: ГО

Граничные условия

Хорошо видно, что частица проникает в классически запрещённую область: на короткое время становится виртуальной

5 20

20

Количественная характеристика туннельного эффекта: коэффициент прозрачности барьера = вероятность того, что частица пройдёт из одной классически разрешённой области в другую с одной попытки

Пример: прямоугольный барьер

6 30

30

Если барьер прямоугольный, а процесс глубоко подбарьерный

Поанализировать влияние толщины барьера, высоты барьера, массы частицы, её энергии

7 40

40

Если барьер НЕ прямоугольный, а процесс глубоко подбарьерный

8 50

50

Альфа-распад – теория – туннельный эффект

Закон Гейгера-Неттола (1911-1922): связь периода полураспада с кинетической энергией вылетающих альфа-частиц

9 60

60

Flash memory – пример широкого применения туннельного эффекта в микроэлектронике

Технологии 180 нм 2002 130 нм 2003 90 нм 2005

2007 50 нм 0,7 В

Плавающий затвор – электрически изолированная область, способная хранить заряд годы

ПЗ заряжен (электроны) – логический 0 ПЗ не заряжен – логическая 1

10 65

65

Flash memory – считывание информации

При чтении, в отсутствие заряда на "плавающем" затворе, под воздействием положительного поля на управляющем затворе, образуется n-канал в подложке между истоком и стоком, и возникает ток.

Наличие заряда на "плавающем" затворе меняет вольт-амперные характеристики транзистора таким образом, что при обычном для чтения напряжении канал не появляется, и тока между истоком и стоком не возникает.

11 70

70

Flash memory – стирание информации туннелирование электронов с ПЗ

При стирании высокое положительное напряжение подаётся на исток. На управляющий затвор (опционально) подаётся высокое отрицательное напряжение. Электроны туннелируют на исток.

12 75

75

Flash memory – найдите ошибку в этом ИНТЕРНЕТ-тексте

В то же время Intel уже представляет свою разработку StrataFlash Wireless Memory System (LV18/LV30) – универсальную систему флэш-памяти для беспроводных технологий. Объем ее памяти может достигать 1 Гбит, а рабочее напряжение равно 1.8 В. Технология изготовления чипов – 0.13 нм, в планах переход на 0.09 нм техпроцесс. Среди инноваций данной компании также стоит отметить организацию пакетного режима работы с NOR-памятью. Он позволяет считывать информацию не по одному байту, а блоками — по 16 байт: с использованием 66 МГц шины данных скорость обмена информацией с процессором достигает 92 Мбит/с! (2004 год)

13 80

80

Пример туннельного эффекта в природе: спонтанное деление тяжёлых ядер (Г.Н. Флёров, К.А.Петржак, 1940)

14 1

1

Пример туннельного эффекта в электронике: одноэлектронные транзисторы www.physicsweb.org/article/news/7/6/16.

1]

Компьютерра, 2005 В Кембриджском университете и токийской Japan Science & Technology Corporation разработан одноэлектронный транзистор, функционирующий при комнатной температуре [1] (список литературы см. в конце статьи). Его устройство и схема включения показаны на рис. 2. Проводящий канал транзистора (остров) отделен от стока и истока туннельными барьерами из тонких слоев изолятора. Чтобы транзистор мог работать при комнатной температуре, размеры острова не должны превышать 10 нм. Высота потенциального барьера равна 0,173 эВ. В более ранней (2001 г.) конструкции тех же разработчиков остров был крупнее, высота потенциального барьера была 0,04 эВ, и рабочая температура не превышала 60 °К. Материалом для острова служит отдельный кластер аморфного кремния, поверхность которого оксидирована при низкой температуре для создания тонкого барьерного слоя

«Туннельный эффект»
http://900igr.net/prezentacija/ekologija/tunnelnyj-effekt-222823.html
cсылка на страницу

Экологические проблемы

29 презентаций об экологических проблемах
Урок

Экология

30 тем
Слайды