Компьютерные технологии
<<  Комплект электронных образовательных ресурсов по физике Использование электронных образовательных ресурсов в деятельности преподавателя физики  >>
Микроскопические методы изучения морфологии и структуры
Микроскопические методы изучения морфологии и структуры
Содержание
Содержание
Платон «Если знаешь куда идти, любая дорога приведет тебя туда» Карл
Платон «Если знаешь куда идти, любая дорога приведет тебя туда» Карл
Электроны прошедшие через образец: *электроны не претерпевших
Электроны прошедшие через образец: *электроны не претерпевших
Длина волны электронов, h-постоянная Планка, mu-импульс
Длина волны электронов, h-постоянная Планка, mu-импульс
Для получения светлого поля апертура вводится таким образом чтобы
Для получения светлого поля апертура вводится таким образом чтобы
В плоскость предмета промежуточной линзы можно ввести селекторную
В плоскость предмета промежуточной линзы можно ввести селекторную
При облучении пучком рентгеновских лучей, электронов и нейтронов
При облучении пучком рентгеновских лучей, электронов и нейтронов
D-диаметр кольца D/2-расстояние от какого-либо рефлекса до центра
D-диаметр кольца D/2-расстояние от какого-либо рефлекса до центра
Электронограмма Микродифракционная картина
Электронограмма Микродифракционная картина
Светлопольное, темнопольное изображения и микродифракционная картина
Светлопольное, темнопольное изображения и микродифракционная картина
Постоянная прибора получается путем калибровки, используя образец с
Постоянная прибора получается путем калибровки, используя образец с
Микроструктура поверхностных слоев Ni,
Микроструктура поверхностных слоев Ni,
Фазовый анализ поверхностных слоев Ni
Фазовый анализ поверхностных слоев Ni
Микроструктура поверхностных слоев Ni
Микроструктура поверхностных слоев Ni
Фазовый анализ поверхностных слоев Ni
Фазовый анализ поверхностных слоев Ni

Презентация на тему: «Микроскопические методы изучения морфологии и структуры нанокомпозитных систем. Просвечивающая электронная микроскопия». Автор: Laborotory. Файл: «Микроскопические методы изучения морфологии и структуры нанокомпозитных систем. Просвечивающая электронная микроскопия.ppt». Размер zip-архива: 2057 КБ.

Микроскопические методы изучения морфологии и структуры нанокомпозитных систем. Просвечивающая электронная микроскопия

содержание презентации «Микроскопические методы изучения морфологии и структуры нанокомпозитных систем. Просвечивающая электронная микроскопия.ppt»
СлайдТекст
1 Микроскопические методы изучения морфологии и структуры

Микроскопические методы изучения морфологии и структуры

нанокомпозитных систем Просвечивающая электронная микроскопия

Курзина Ирина Александровна

2 Содержание

Содержание

1 Метод ПЭМ и объекты исследования 2 Поликристаллические материалы (от нано до монокристаллов) *Типы материалов *Пробоподготовка *Анализ ПЭМ изображений и кольцевых микродифракционных картин (электронограмм) *Анализ микродифракционных картин с одиночными рефлексами Кристаллическое строение вещества. Элементы пространственной симметрии кристаллов 3 Композиционные материалы с включениями металлических частиц *Типы материалов *Пробоподготовка *Анализ ПЭМ изображений и микродифракционных картин 4 Поверхностные пленки и слои *Типы материалов *Пробоподготовка Анализ ПЭМ изображений и микродифракционных картин

2

3 Платон «Если знаешь куда идти, любая дорога приведет тебя туда» Карл

Платон «Если знаешь куда идти, любая дорога приведет тебя туда» Карл

Линней «Предметы располагаются и познаются при помощи их методического деления и подобающего наименования. А поэтому классификация и наименование составляет основу наших знаний»

3

4 Электроны прошедшие через образец: *электроны не претерпевших

Электроны прошедшие через образец: *электроны не претерпевших

рассеяния, *неупруго рассеянные без изменения направления, потерявшие часть энергии *электроны отраженные от кристаллографических плоскостей

Просвечивающая электронная микроскопия возникла из работ М. Кнолла и Э. Руска, создавшим в 1931 г. прообраз ПЭМ

4

5 Длина волны электронов, h-постоянная Планка, mu-импульс

Длина волны электронов, h-постоянная Планка, mu-импульс

Электроны с зарядом е ускоряемые разностью потенциалов V (В) имеют кинетическую энергию ? mu2

Формула определяет длину волны электрона с массой m (г), движущегося со скоростью u(см/сек)

В микроскопе, работающем при 100 кВ, излучаемые электроны имеют длину волны 0,037 А

5

6 Для получения светлого поля апертура вводится таким образом чтобы

Для получения светлого поля апертура вводится таким образом чтобы

проходил только основной не отклоненный пучок. Детали изображения в темном поле зависят от конкретного луча (конкретной hkl плоскости), выбранной для получения изображения.

6

7 В плоскость предмета промежуточной линзы можно ввести селекторную

В плоскость предмета промежуточной линзы можно ввести селекторную

диафрагму чтобы выделить ограниченную область. Дифракционная картина образуется в плоскости пересечения лучей между промежуточной и проекционной линзами. При изменении фокусировки промежуточной линзы, картина смещается вниз, до совпадения с плоскостью проекционной линзы Тип электронограммы, получаемой в дифракционной камере зависит от размера кристаллитов и размера селекторной диафрагмы

7

8 При облучении пучком рентгеновских лучей, электронов и нейтронов

При облучении пучком рентгеновских лучей, электронов и нейтронов

происходит дифракция, когда пути лучей отраженных от последовательно расположенных плоскостей данной системы, отличаются друг от друга на целое число волн. Каждый обнаруженный сигнал соответствует когерентному отражению, от ряда плоскостей кристалла, для которых выполняется условие Брэгга-Вульфа 2d sin Q=nl d – расстояние между отражающими плоскостями Q-угол между пучком и плоскостью отражения l – длина волны рентгеновского излучения Для ОЦК дифракционные пики наблюдаются от плоскостей для которых выполняется условие h+k+l=n, четное число. Для ГЦК решетки только от плоскостей, у которых все индексы четные, либо все нечетные.

8

9 D-диаметр кольца D/2-расстояние от какого-либо рефлекса до центра

D-диаметр кольца D/2-расстояние от какого-либо рефлекса до центра

электронограммы L-эффективная длина камеры Полагаем что угол Q мал и используя брегговское соотношение получаем значение постоянной прибора

9

10 Электронограмма Микродифракционная картина

Электронограмма Микродифракционная картина

Светлопольное изображение

Темнопольное изображение

Размер кристаллитов Области локализации Границы зерен Дефекты Дислокации

Микрофазовый состав Изменение параметра решетки Степень дисперсности материала

Локализация отдельных кристаллитов

10

11 Светлопольное, темнопольное изображения и микродифракционная картина

Светлопольное, темнопольное изображения и микродифракционная картина

субмикрокристаллического титана после отжига 300? С .

500 нм

500 нм

11

12 Постоянная прибора получается путем калибровки, используя образец с

Постоянная прибора получается путем калибровки, используя образец с

известными параметрами.

12

13 Микроструктура поверхностных слоев Ni,

Микроструктура поверхностных слоев Ni,

13

14 Фазовый анализ поверхностных слоев Ni

Фазовый анализ поверхностных слоев Ni

14

D,см

D,см

D, нм

D, нм

Ni

Ni

Ni

Ni3Al

Ni3Al

Ni3Al

NiAl

NiAl

NiAl

D hkl, нм

Int

hkl

D hkl, нм

Int

hkl

D hkl, нм

Int

hkl

1

1,18

0,3610

0,3600

40

1 0 0

2

1,50

0,2840

0,2870

40

1 0 0

3

1,67

0,2551

0,2547

40

1 1 0

4

2,05

0,2078

0,2074

100

1 1 1

5

2,10

0,2029

0,2034

100

1 1 1

0,2020

100

1 1 0

6

2,38

0,1790

0,1799

70

2 0 0

7

2,42

0,1760

0,1762

42

2 0 0

8

2,57

0,1658

0,1655

20

1 1 1

9

2,65

0,1608

0,1603

40

2 1 0

10

2,96

0,1439

0,1434

20

2 0 0

11

3,37

0,1264

0,1246

21

2 2 0

0,1265

60

2 2 0

0,1285

10

2 1 0

12

3,63

0,1174

0,1171

70

2 1 1

13

3,95

0,1078

0,1078

60

3 1 1

14

4,00

0,1065

0,1062

20

3 1 1

15

4,77

0,0893

0,0893

20

4 0 0

16

5,20

0,0819

0,0819

70

3 3 1

17

5,35

0,0796

0,0798

70

4 2 0

15 Микроструктура поверхностных слоев Ni

Микроструктура поверхностных слоев Ni

Фазовый состав (режим 2) g- твердый раствор Al в Ni; g ' - Ni3Al; b - NiAl

15

16 Фазовый анализ поверхностных слоев Ni

Фазовый анализ поверхностных слоев Ni

16

D,см

D,см

D, нм

D, нм

Ni

Ni

Ni

Ni3Al

Ni3Al

Ni3Al

NiAl

NiAl

NiAl

D hkl, нм

Int

hkl

D hkl, нм

Int

hkl

D hkl, нм

Int

hkl

1

1,50

0,2840

0,2870

40

1 0 0

2

2,05

0,2078

0,2074

100

1 1 1

3

2,10

0,2029

0,2034

100

1 1 1

0,2020

100

1 1 0

5

2,38

0,1790

0,1799

70

2 0 0

6

2,66

0,1602

0,1603

40

2 1 0

7

2,97

0,1434

0,1434

20

2 0 0

8

3,37

0,1264

0,1246

21

2 2 0

0,1265

60

2 2 0

0,1285

10

2 1 0

9

3,97

0,1073

0,1062

20

3 1 1

0,1078

60

3 1 1

10

4,20

0,1014

0,1015

20

2 2 0

11

4,77

0,0893

0,0893

20

4 0 0

12

5,20

0,0819

0,0819

70

3 3 1

13

5,27

0,0808

0,0808

14

3 3 1

0,0798

70

4 2 0

«Микроскопические методы изучения морфологии и структуры нанокомпозитных систем. Просвечивающая электронная микроскопия»
http://900igr.net/prezentacija/fizika/mikroskopicheskie-metody-izuchenija-morfologii-i-struktury-nanokompozitnykh-sistem.-prosvechivajuschaja-elektronnaja-mikroskopija-73648.html
cсылка на страницу

Компьютерные технологии

19 презентаций о компьютерных технологиях
Урок

Физика

134 темы
Слайды
900igr.net > Презентации по физике > Компьютерные технологии > Микроскопические методы изучения морфологии и структуры нанокомпозитных систем. Просвечивающая электронная микроскопия