Устройство компьютера
<<  Лучшие компьютерные комплектующие 2006 года Муниципальная модель семейного устройства детей в Питкярантском районе  >>
Опыт решения проблем обеспечения качества комплектующих изделий
Опыт решения проблем обеспечения качества комплектующих изделий
Таблица 2. Виды ВВФ и диапазоны их характеристик, обеспечиваемые
Таблица 2. Виды ВВФ и диапазоны их характеристик, обеспечиваемые
Таблица 3. Перечень видов физико-технического анализа и неразрушающего
Таблица 3. Перечень видов физико-технического анализа и неразрушающего
Таблица 4. Результаты квалификационных (сертификационных) испытаний
Таблица 4. Результаты квалификационных (сертификационных) испытаний
Таблица 5. Типовой перечень дополнительных испытаний отечественных ЭРИ
Таблица 5. Типовой перечень дополнительных испытаний отечественных ЭРИ
Таблица 6. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в
Таблица 6. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в
Таблица 7. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в
Таблица 7. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в
Таблица 8. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в
Таблица 8. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в
Таблица 9. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в
Таблица 9. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в
Таблица 10 Перечень партий ЭРИ, забракованных по результатам
Таблица 10 Перечень партий ЭРИ, забракованных по результатам
Продолжение таблицы 10
Продолжение таблицы 10
Таблица 11
Таблица 11
Таблица 12 Динамика роста объемов дополнительных испытаний ЭРИ для
Таблица 12 Динамика роста объемов дополнительных испытаний ЭРИ для

Презентация: «Опыт решения проблем обеспечения качества комплектующих изделий электронной техники для высоконадежной аппаратуры». Автор: luda. Файл: «Опыт решения проблем обеспечения качества комплектующих изделий электронной техники для высоконадежной аппаратуры.ppt». Размер zip-архива: 291 КБ.

Опыт решения проблем обеспечения качества комплектующих изделий электронной техники для высоконадежной аппаратуры

содержание презентации «Опыт решения проблем обеспечения качества комплектующих изделий электронной техники для высоконадежной аппаратуры.ppt»
СлайдТекст
1 Опыт решения проблем обеспечения качества комплектующих изделий

Опыт решения проблем обеспечения качества комплектующих изделий

электронной техники для высоконадежной аппаратуры

ОАО «РНИИ «Электронстандарт» Санкт-Петербург Заместитель директора НТК Валерий Георгиевич Малинин Тел.: (812) 373-0932

2 Таблица 2. Виды ВВФ и диапазоны их характеристик, обеспечиваемые

Таблица 2. Виды ВВФ и диапазоны их характеристик, обеспечиваемые

имеющимся в РИЦС табельным оборудованием

Наименование видов испытаний

Диапазон обеспечиваемых характеристик

1. Механические воздействия

1.1. Широкополосная случайная и синусоидальная вибрация

Диапазон частот, Гц ……20-5000 Ускорение, g …………….до 40

1.2. Механические удары одиночного действия

Пиковое ударное ускорение, g ….. от 1500 до 50000 Длительность ударного импульса, мс от 0,1 до 1,0

1.3. Линейное ускорение

Величина ускорения, g … до 50000

1.4. Акустическое воздействие

Диапазон частот, Гц ……125-10000 Уровень звукового давления, дБ …. до 160

2. Климатические воздействия

2.1. Повышенная и пониженная температура

Диапазон температур, ?С от минус 85 до 350

2.2. Повышенная влажность

Диапазон относительной влажности, % от 75 до 100 Диапазон температур, ?С от 35 до 150

2.3.Соляной туман

Диапазон температур, ?С ………до 35 Дисперсность тумана, мкм ……..1?10 Водность, г/м3 ………………….... 2?3

2.4. Солнечная радиация

Диапазон температур, ?С до 70 Интегральная плотность излучения, Вт/м2 1120

2.5. Статическая и динамическая пыль

Скорость воздушного потока, м/с от 0,5 до..15

2.6. Пониженное атмосферное давление

Диапазон давлений, мм рт.ст от нормального до 10-6

2.7. Повышенное атмосферное давление

Диапазон давлений, мм рт.ст от нормального до 5

3. Биологические воздействия

Температура, ?С ………29 Относительная влажность, % …… до 100

4. Комплексные воздействия

Вибрация Повышенная (пониженная) температура Повышенная влажность

3 Таблица 3. Перечень видов физико-технического анализа и неразрушающего

Таблица 3. Перечень видов физико-технического анализа и неразрушающего

контроля. используемых при проведении технической экспертизы и анализа отказавших ЭРИ

Виды контроля

Краткие технические характеристики

Оптический визуальный контроль

Увеличение, крат …. до 2000

Рентгено-телевизионный контроль

Увеличение, крат …. до 30 Разрешающая способность, пар.лин/мм …..20

Растровая электронная микроскопия

Увеличение, крат …. до 100000 Разрешающая способность, А…..100

Контроль герметичности

Максимальная чувствительность к потоку гелия, мм.рт.ст/с ….8 . 10-10

Масс-спектрометрический контроль

Контроль влагосодержания и агрессивных сред

Паяемость и теплостойкость при пайке

Диапазон температур припоя, ?С 200 - 400

4 Таблица 4. Результаты квалификационных (сертификационных) испытаний

Таблица 4. Результаты квалификационных (сертификационных) испытаний

вновь разрабатываемых ЭРИ и электронных материалов

1999

42

17

2000

65

26

2001

162

65

2002

616

76

5 месяцев 2003

217

28

Годы

Количество испытанных типов (выборок) ЭРИ

Количество предприятий-разработчиков (изготовите-лей) ЭРИ

Предприятие-изготовитель ЭРИ, имевших отрицательные результаты испытаний

Виды испытаний, при которых имелись отказы ЭРИ

Плесневые грибы, соляной туман, солнечная радиация, динамическая пыль

Плесневые грибы, соляной туман, солнечная радиация, динамическая пыль

Плесневые грибы, соляной туман, солнечная радиация, динамическая пыль

Плесневые грибы, соляной туман, солнечная радиация, динамическая пыль

Плесневые грибы, соляной туман, солнечная радиация, динамическая пыль

ОАО «Исеть», г. Каменск-Уральский (корпуса разъемов); ОАО «Элекон», г.Сарапул (конденсаторы); ГУП НПП «Пульсар», г. Москва (транзисторы, диоды); з-д «Транзистор» г.Минск (транзисторы); НИИСИ РАН, г.Москва (микросхемы); ОАО ОЗ «Прибор», г.Санкт-Петербург (модули); ЗАО НПП «Эрготех», г. Фрязино (антибликовые фильтры)

ОАО «Исеть», г. Каменск-Уральский (корпуса разъемов); ОАО «Элекон», г.Сарапул (конденсаторы); ГУП НПП «Пульсар», г. Москва (транзисторы, диоды); з-д «Транзистор» г.Минск (транзисторы); НИИСИ РАН, г.Москва (микросхемы); ОАО ОЗ «Прибор», г.Санкт-Петербург (модули); ЗАО НПП «Эрготех», г. Фрязино (антибликовые фильтры)

ОАО «Исеть», г. Каменск-Уральский (корпуса разъемов); ОАО «Элекон», г.Сарапул (конденсаторы); ГУП НПП «Пульсар», г. Москва (транзисторы, диоды); з-д «Транзистор» г.Минск (транзисторы); НИИСИ РАН, г.Москва (микросхемы); ОАО ОЗ «Прибор», г.Санкт-Петербург (модули); ЗАО НПП «Эрготех», г. Фрязино (антибликовые фильтры)

ОАО «Исеть», г. Каменск-Уральский (корпуса разъемов); ОАО «Элекон», г.Сарапул (конденсаторы); ГУП НПП «Пульсар», г. Москва (транзисторы, диоды); з-д «Транзистор» г.Минск (транзисторы); НИИСИ РАН, г.Москва (микросхемы); ОАО ОЗ «Прибор», г.Санкт-Петербург (модули); ЗАО НПП «Эрготех», г. Фрязино (антибликовые фильтры)

ОАО «Исеть», г. Каменск-Уральский (корпуса разъемов); ОАО «Элекон», г.Сарапул (конденсаторы); ГУП НПП «Пульсар», г. Москва (транзисторы, диоды); з-д «Транзистор» г.Минск (транзисторы); НИИСИ РАН, г.Москва (микросхемы); ОАО ОЗ «Прибор», г.Санкт-Петербург (модули); ЗАО НПП «Эрготех», г. Фрязино (антибликовые фильтры)

5 Таблица 5. Типовой перечень дополнительных испытаний отечественных ЭРИ

Таблица 5. Типовой перечень дополнительных испытаний отечественных ЭРИ

для высоконадежной аппаратуры

Группа контроля и испытаний

Перечень операций контроля и испытаний

I Входной контроль

1.1. Контроль внешнего вида, состояния маркировки. 1.2. Параметрический и функциональный контроль в нормальных климатических условиях

II Отбраковочные испытания

2.1. Термоциклирование 2.2. Контроль герметичности 2.3. Электротермотренировка 2.4. Измерение параметров при крайних значениях рабочих температур

III Диагностический неразрушающий контроль

3.1. Контроль электрических параметров по ужесточенным нормам 3.2. Измерение электрических параметров, не входящих в состав ТУ («m»-характеристики и ВАХ у ИС и ПП, нелинейность ВАХ резисторов методом 3-ей гармоники и др.), являющихся критериями для выявления потенциально ненадежных изделий. 3.3. Расчет дрейфа электрических параметров после ЭТТ 3.4. Рентгено-телевизионный анализ

IV Разрушающий физический анализ (выборочный, на 3-4 образцах от каждой партии ЭРИ)

4.1. Контроль прочности заводской маркировки. 4.2. Способность к пайке. 4.3. Контроль влагосодержания в подкорпусном объеме. 4.4. Механическая прочность внешних выводов. 4.5 Визуальный внутренний контроль, после удаления крышки у ИС и ПП. 4.6. Контроль качества кристалла и металлизации на растровом электронном микроскопе и рентгеновском микроанализаторе. 4.7. Контроль прочности внутренних соединений. 4.8. Испытание на сдвиг кристалла.

6 Таблица 6. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в

Таблица 6. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в

испытательном центре ОАО РНИИ «Электронстандарт» для комплектации БА изделия «Ямал-200» в 2000-2001 гг. (заказчик РКК «Энергия»)

Класс ЭРИ

Класс ЭРИ

Испытано, шт.

Испытано, шт.

Брак по ТУ

Брак по ТУ

Нерекомендованные после ОИ и ДНК

Нерекомендованные после ОИ и ДНК

Всего

Всего

Завод-изготовитель

Шт.

%

Шт.

%

Шт.

%

Микросхемы

829

12

1,44

15

1,81

27

3,26

12

15

«Кремний», Брянск

Транзисторы

1000

11

1,1

128

12,8

139

13,9

7

7

14

АООЕ ВЗПП, г.Воронеж

4

33

37

ЗАО "Кремний-маркетинг", г.Брянск

Диоды и стабилитроны

6020

125

2,08

251

4,17

376

6,24

29

12

41

ОАО "Фотон", г.Ташкент

Конденсаторы

1186

86

7,25

8

0,67

94

7,93

Резисторы

12095

90

0,74

90

0,74

90

90

ЗАО "Резистор НН", Н.Новгород

Трансформаторы, дроссели и фильтры

20

2

10

2

10

2

2

ООО "Армотек", г. Боровичи

7 Таблица 7. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в

Таблица 7. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в

испытательном центре ОАО РНИИ «Электронстандарт» для комплектации БА изделия «14Ф113» в 2001-2002 гг. (заказчик ФГУП «РИРВ»)

Класс ЭРИ

Класс ЭРИ

Испытано, шт.

Испытано, шт.

Брак по ТУ

Брак по ТУ

Нерекомендованные после ОИ и ДНК

Нерекомендованные после ОИ и ДНК

Всего

Всего

Завод-изготовитель

Шт.

%

Шт.

%

Шт.

%

Микросхемы

1537

76

4,94

41

2,67

117

7,61

12

3

15

"Вента", г.Вильнюс

4

13

17

АОЗТ "Интеграл", СПб

25

1

26

НЗПП, Новосибирск

10

2

12

ФГУП з-д "Экситон", П.Посад

Транзисторы

983

27

2,75

45

4,58

72

7,32

20

33

53

ГУП ГЗ "Пульсар", Москва

Диоды и стабилитроны

1974

41

2,08

35

1,77

76

3,85

13

17

30

ОАО "Фотон", г.Ташкент

12

1

13

ПК "Днепр", г.Скадовск

Конденсаторы

6945

58

0,84

37

0,53

95

1,37

22

14

36

ОАО "Кулон", СПб

21

4

25

ОАО "Элеконд", Сарапул

Резисторы

9790

74

0,76

47

0,48

121

1,24

50

29

79

ЗАО "Резистор НН", Н.Новгород

19

7

26

ПО "Реом", г.Одесса

Соединители

587

2

0,34

2

0,34

2

2

ПО "Октябрь", г.Каменск Ур.

Трансформаторы, дроссели и фильтры

1112

9

0,81

7

0,63

16

1,44

4

3

7

ОАО "Георгиевский трансформаторный з-д"

8 Таблица 8. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в

Таблица 8. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в

испытательном центре ОАО РНИИ «Электронстандарт» для комплектации БА изделия «14Ф33» в 2002 г. (заказчик ГУП НПЦ «Спурт»)

Класс ЭРИ

Класс ЭРИ

Испытано, шт.

Испытано, шт.

Брак по ТУ

Брак по ТУ

Нерекомендованные после ОИ и ДНК

Нерекомендованные после ОИ и ДНК

Всего

Всего

Завод-изготовитель

Шт.

%

Шт.

%

Шт.

%

Микросхемы

598

3

0,5

2

0,33

5

0,84

2

2

«Протон», г. Орел

Транзисторы

523

2

0,38

10

1,91

12

2,29

5

5

ГУП ГЗ "Пульсар", Москва

1

3

4

«Синтез», Воронеж

Диоды и стабилитроны

306

1

0,33

1

0,33

2

0,65

1

1

2

З-д «Оптрон», Москва

Конденсаторы

5544

32

0,58

10

0,18

42

0,76

25

5

30

ОАО "Кулон", СПб

7

5

12

АООТ «Мезон», СПб

Резисторы

8905

18

0,2

5

0,06

23

0,26

14

14

ЗАО "Резистор НН", Н.Новгород

Соединители

528

2

0,38

2

0,38

1

1

З-д «Элекон», Казань

1

1

ОАО «Электросоединитель», г. Урсу

Трансформаторы, дроссели и фильтры

112

3

2,68

1

0,89

4

3,57

3

1

4

ЗАО «ТТЗ», Георгиевск

9 Таблица 9. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в

Таблица 9. Данные о результатах дополнительных испытаний ЭРИ в

испытательном центре ОАО РНИИ «Электронстандарт» для комплектации БА изделия «Экспресс АМ» в 2002 г. (заказчик ФГУП ВНИИМЭМ)

Класс ЭРИ

Класс ЭРИ

Испытано, шт.

Испытано, шт.

Брак по ТУ

Брак по ТУ

Нерекомендованные после ОИ и ДНК

Нерекомендованные после ОИ и ДНК

Всего

Всего

Завод-изготовитель

Шт.

%

Шт.

%

Шт.

%

Транзисторы

2939

49

1,67

53

1,80

102

3,47

49

53

102

АО «Кремний», Брянск

Диоды и стабилитроны

775

11

1,42

4

0,52

15

1,94

11

2

13

ОАО "Фотон", г.Ташкент

Конденсаторы

1757

22

1,25

25

1,42

47

2,67

9

4

13

ОАО "Кулон", СПб

13

21

34

НИИ «Гириконд», СПб

Резисторы

870

Розетки

85

10 Таблица 10 Перечень партий ЭРИ, забракованных по результатам

Таблица 10 Перечень партий ЭРИ, забракованных по результатам

разрушающего физического анализа (РФА) при проведении дополнительных испытаний изделий, предназначенных для комплектации КА «Sesat», «Ямал-200», «14Ф113», «Экспресс-АМ» в 1998 – 2002 г.г. (заказчики НПО ПМ, РКК «Энергия», ФГУП «ВНИИ малых электрических машин», ФГУП РНИИ «Радионавигации и времени»)

Класс ЭРИ

Забракованные партии ЭРИ

Изготовитель

Характер брака

Микросхемы

Микросхемы

Ос 1526ла7, ла8, ик1

Нзпп

Содержание паров воды от 1,0% до 6,4% при норме ?0,5%

Содержание паров воды от 1,0% до 6,4% при норме ?0,5%

Содержание паров воды от 1,0% до 6,4% при норме ?0,5%

Содержание паров воды от 1,0% до 6,4% при норме ?0,5%

Содержание паров воды от 1,0% до 6,4% при норме ?0,5%

Содержание паров воды от 1,0% до 6,4% при норме ?0,5%

Содержание паров воды от 1,0% до 6,4% при норме ?0,5%

Ос 1127кн3, кн5

АОЗТ «Светлана»

Ос 134тв, 14ие5, осм 1нт251

Аоот взпп

Ос 530ла9

Аоот нэпп

Осм 249кп1с

ОАО «Протон»

Ос 1533тм2

НПО «Интеграл»

Ос 198нт

ГАО «Тонди»

Ос 1526ла7, ла8, ик1

Нзпп

Дефекты термокомпрессионного соединения внутренних выводов

Дефекты термокомпрессионного соединения внутренних выводов

Дефекты термокомпрессионного соединения внутренних выводов

Ос 1127кн3, кн5

АОЗТ «Светлана»

Ос 134тв14ие5

Аоот взпп

Осм 140уд6а

КНИИ «Микроприборов»

Образование интерметаллического соединения

Осм 140уд17б

КНИИ «Микроприборов»

Коррозионное разрушение металлизации кристалла

Коррозионное разрушение металлизации кристалла

Осм 590кн15

АОЗТ «Светлана»

Осм 140уд6а, 17б

КНИИ «Микроприборов»

Низкая прочность внутренних соединений

Осм 249кп1с

ОАО «Протон»

Низкая прочность соединения кристалла с подложкой

Осм 590кн15

АОЗТ «Светлана»

Коэффициент запыления металлизации на ступеньке окисла <0,5

Коэффициент запыления металлизации на ступеньке окисла <0,5

Осм 140уд6а

КНИИ «Микроприборов»

11 Продолжение таблицы 10

Продолжение таблицы 10

Класс ЭРИ

Забракованные партии ЭРИ

Изготовитель

Характер брака

Транзисторы

Транзисторы

Осм 2т881а

ЗАО «Кремний»

Нарушение защитного покрытия на кристалле

2т504бос

ЗАО «Кремний»

Коррозионное разрушение металлизации кристалла

Коррозионное разрушение металлизации кристалла

2т630

ЗАО «Кремний»

Диоды

Диоды

Осм 2д120а-1

АООТ «Фотон»

Низкая прочность внешних выводов

Низкая прочность внешних выводов

Низкая прочность внешних выводов

Низкая прочность внешних выводов

2д906а

ОАО «Бэтта»

Резисторы

Резисторы

ОС С2-33Н-0,125-220 кОм±5%АДВ

ЗАО «Резистор НН»

ОС С2-10-0,125- 10 Ом±1%

«Орбита»

12 Таблица 11

Таблица 11

Данные о качестве продукции предприятий – разработчиков по результатам дополнительных испытаний ЭРИ

Класс ЭРИ

Класс ЭРИ

Испытано, шт.

Испытано, шт.

Брак по ТУ

Брак по ТУ

Нерекомендованные после ОИ и ДНК

Нерекомендованные после ОИ и ДНК

Всего

Всего

Завод-изготовитель

Шт.

%

Шт.

%

Шт.

%

Микросхемы

2817

125

4,44

57

2,03

182

6,46

25

1

26

НЗПП, Новосибирск

12

15

27

«Кремний», Брянск

12

3

15

"Вента", г.Вильнюс

4

13

17

АОЗТ "Интеграл", СПб

10

2

12

ФГУП з-д "Экситон", П.Посад

13

13

г. Киев

Транзисторы

2506

40

1,6

183

7,3

223

8,9

20

38

58

ГУП ГЗ "Пульсар", Москва

7

7

14

АООЕ ВЗПП, г.Воронеж

4

33

37

ЗАО "Кремний-маркетинг", г.Брянск

1

3

4

«Синтез», Воронеж

Диоды и стабилитроны

9716

194

2,0

294

3,03

488

5,02

53

31

84

ОАО "Фотон", г.Ташкент

12

1

13

ПК "Днепр", г.Скадовск

13

13

ПО "Днепр", г.Херсон

Конденсаторы

15432

198

1,28

80

0,52

278

1,8

56

23

79

ОАО "Кулон", СПб

21

4

25

ОАО "Элеконд", Сарапул

13

21

34

НИИ «Гириконд», СПб

7

5

12

АООТ «Мезон», СПб

Резисторы

23650

92

0,4

142

0,6

234

1,0

64

119

183

ЗАО "Резистор НН", Н.Новгород

19

7

26

ПО "Реом", г.Одесса

Трансформаторы, дроссели и фильтры

Трансформаторы, дроссели и фильтры

Трансформаторы, дроссели и фильтры

1244

14

1,25

8

0,64

22

1,77

4

3

7

ОАО "Георгиевский трансформаторный з-д"

3

1

4

ЗАО «ТТЗ», Георгиевск

13 Таблица 12 Динамика роста объемов дополнительных испытаний ЭРИ для

Таблица 12 Динамика роста объемов дополнительных испытаний ЭРИ для

особонадежной аппаратуры, проведенных в РИЦС «Электронстандарт» с 1998 по 2003 гг.

Годы

Годы

Шифр объекта

Шифр объекта

Организация-разработчик бортовой РЭА

Организация-разработчик бортовой РЭА

Объемы дополнительных испытаний и поставок ЭРИ

Объемы дополнительных испытаний и поставок ЭРИ

Типов

Штук

1998

«Галс-Р16»

НПО ПМ им. академика М.Ф.Решетнева г. Железногорск, Красноярского края

160

9800

1998?99

«SESAT»

ЕUTELSAT, Европейское комическое агентство, Франция, НПО ПМ им. академика М.Ф.Решетнева г. Железногорск, Красноярского края

450

81640

2000? 2001

«Ямал-200»

РКК «Энергия» г. Королев, Московской обл.

386

70252

2001? 2002

«Глонаcc-М»

ФГУП РНИИ радионавигации и времени Санкт-Петербург

721

84610

2002

«Экспресс-АМ»

ВНИИ малых электрических машин Санкт-Петербург

16

5984

2002

«14р53»

ГУП НПЦ «СПУРТ» Москва

708

120496

2003

«Экспресс-1000»

НПО ПМ им. академика М.Ф.Решетнева г. Железногорск, Красноярского края

Договор в стадии заключения

Договор в стадии заключения

2003

«Ямал-300»

РКК «Энергия» г. Королев, Московской обл.

Договор в стадии заключения

Договор в стадии заключения

«Опыт решения проблем обеспечения качества комплектующих изделий электронной техники для высоконадежной аппаратуры»
http://900igr.net/prezentacija/informatika/opyt-reshenija-problem-obespechenija-kachestva-komplektujuschikh-izdelij-elektronnoj-tekhniki-dlja-vysokonadezhnoj-apparatury-83418.html
cсылка на страницу

Устройство компьютера

25 презентаций об устройстве компьютера
Урок

Информатика

130 тем
Слайды
900igr.net > Презентации по информатике > Устройство компьютера > Опыт решения проблем обеспечения качества комплектующих изделий электронной техники для высоконадежной аппаратуры