Религиозные праздники
<<  Сегодня: воскресенье, 15 ноября 2015 г Фестиваль православных праздников (крещение, масленица, пасха, троица)  >>
Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г
Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г
ТЕМА:Электрические переходы в Ме и в п/п
ТЕМА:Электрические переходы в Ме и в п/п
Энергетическая диаграмма электронов в металле
Энергетическая диаграмма электронов в металле
Энергетические диаграммы электронов двух разнородных металлов 
Энергетические диаграммы электронов двух разнородных металлов 
Образование зарядов по разные стороны границы перехода
Образование зарядов по разные стороны границы перехода
Изменение потенциала электрического поля в области перехода
Изменение потенциала электрического поля в области перехода
Возникновение внутренней и внешней контактной разности потенциалов
Возникновение внутренней и внешней контактной разности потенциалов
Термоэлектрические явления
Термоэлектрические явления
Возникновение тока в замкнутой цепи, составленной из разнородных
Возникновение тока в замкнутой цепи, составленной из разнородных
Эффект Пельтье – выделение или поглощение дополнительной, помимо
Эффект Пельтье – выделение или поглощение дополнительной, помимо
2. Электронно-дырочный переход
2. Электронно-дырочный переход
Начальный момент образования p-n-перехода
Начальный момент образования p-n-перехода
P-n-переход при отсутствии внешнего напряжения
P-n-переход при отсутствии внешнего напряжения
Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г
Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г
Зонная диаграмма p-n-перехода, иллюстрирующая баланс токов в
Зонная диаграмма p-n-перехода, иллюстрирующая баланс токов в
Прямое смещение p-n-перехода
Прямое смещение p-n-перехода
Зонная диаграмма прямого смещения p-n-перехода, иллюстрирующая
Зонная диаграмма прямого смещения p-n-перехода, иллюстрирующая
Обратное смещение p-n-перехода
Обратное смещение p-n-перехода
Зонная диаграмма обратного смещения p-n-перехода, иллюстрирующая
Зонная диаграмма обратного смещения p-n-перехода, иллюстрирующая
Выводы: 1. p-n-переход образуется на границе p- и n-областей,
Выводы: 1. p-n-переход образуется на границе p- и n-областей,
4. Вольт-амперная характеристика p-n перехода
4. Вольт-амперная характеристика p-n перехода
– Концентрация электронов, инжектированных в p-область
– Концентрация электронов, инжектированных в p-область
где – коэффициент диффузии дырок или электронов, – диффузионная длина
где – коэффициент диффузии дырок или электронов, – диффузионная длина
Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г
Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г
Схема, иллюстрирующая лавинный пробой в p-n-переходе: а –
Схема, иллюстрирующая лавинный пробой в p-n-переходе: а –
Параметром, характеризующим лавинный пробой является коэффициент
Параметром, характеризующим лавинный пробой является коэффициент
Туннельный пробой происходит в очень тонких p-n-переходах, что
Туннельный пробой происходит в очень тонких p-n-переходах, что
Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г
Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г
p-n-переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого
p-n-переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого
Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения
Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения
Диффузионная емкость характеризует накопление подвижных носителей
Диффузионная емкость характеризует накопление подвижных носителей
6. Контакт металл-полупроводник
6. Контакт металл-полупроводник
7. Контакт между п/п одного типа проводимости
7. Контакт между п/п одного типа проводимости
Гетеропереход - переходный слой с существующим там диффузионным
Гетеропереход - переходный слой с существующим там диффузионным
Зонные энергетические диаграммы гетеропереходов: а – выпрямляющий
Зонные энергетические диаграммы гетеропереходов: а – выпрямляющий

Презентация: «Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г». Автор: User. Файл: «Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г.ppt». Размер zip-архива: 549 КБ.

Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г

содержание презентации «Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г.ppt»
СлайдТекст
1 Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г

Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г

2 ТЕМА:Электрические переходы в Ме и в п/п

ТЕМА:Электрические переходы в Ме и в п/п

1. Контакт двух металлов

2. Электронно-дырочный переход

3. Вентильные свойства р-n перехода

4. Вольт-амперная характеристика р-n перехода

5. Емкость р-n перехода

6. Контакт металл-полупроводник

7. Контакт между п/п одного типа проводимости

8. Гетеропереходы

3 Энергетическая диаграмма электронов в металле

Энергетическая диаграмма электронов в металле

1. Контакт двух металлов

4 Энергетические диаграммы электронов двух разнородных металлов 

Энергетические диаграммы электронов двух разнородных металлов 

нергетические диаграммы электронов двух разнородных металлов

5 Образование зарядов по разные стороны границы перехода

Образование зарядов по разные стороны границы перехода

Изменение концентрации свободных электронов в области перехода

6 Изменение потенциала электрического поля в области перехода

Изменение потенциала электрического поля в области перехода

7 Возникновение внутренней и внешней контактной разности потенциалов

Возникновение внутренней и внешней контактной разности потенциалов

8 Термоэлектрические явления

Термоэлектрические явления

9 Возникновение тока в замкнутой цепи, составленной из разнородных

Возникновение тока в замкнутой цепи, составленной из разнородных

металлов, контакты которых находятся при разных температурах, получило название термоэлектрического эффекта Зеебека

10 Эффект Пельтье – выделение или поглощение дополнительной, помимо

Эффект Пельтье – выделение или поглощение дополнительной, помимо

джоулевой, теплоты при прохождении через контакт двух различных проводников электрического тока в зависимости от его направления

Эффект Томпсона – выделение или поглощение дополнительной теплоты при прохождении электрического тока по неравномерно нагретому проводнику

11 2. Электронно-дырочный переход

2. Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочный или p-n-переход – переход между двумя областями полупроводника, имеющие разный тип электропроводности

12 Начальный момент образования p-n-перехода

Начальный момент образования p-n-перехода

13 P-n-переход при отсутствии внешнего напряжения

P-n-переход при отсутствии внешнего напряжения

14 Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г
15 Зонная диаграмма p-n-перехода, иллюстрирующая баланс токов в

Зонная диаграмма p-n-перехода, иллюстрирующая баланс токов в

равновесном состоянии

16 Прямое смещение p-n-перехода

Прямое смещение p-n-перехода

3. Вентильные свойства p-n перехода

17 Зонная диаграмма прямого смещения p-n-перехода, иллюстрирующая

Зонная диаграмма прямого смещения p-n-перехода, иллюстрирующая

дисбаланс токов

18 Обратное смещение p-n-перехода

Обратное смещение p-n-перехода

19 Зонная диаграмма обратного смещения p-n-перехода, иллюстрирующая

Зонная диаграмма обратного смещения p-n-перехода, иллюстрирующая

дисбаланс токов

20 Выводы: 1. p-n-переход образуется на границе p- и n-областей,

Выводы: 1. p-n-переход образуется на границе p- и n-областей,

созданных в монокристалле полупроводника. 2. В результате диффузии в p-n-переходе возникает электрическое поле – потенциальный барьер, препятствующий выравниванию концентраций основных носителей заряда в соседних областях. 3. При отсутствии внешнего напряжения в p-n-переходе устанавливается динамическое равновесие: диффузионный ток становится равным по величине дрейфовому току, образованному неосновными носителями заряда, в результате чего ток через p-n-переход становится равным нулю. 4. При прямом смещении p-n-перехода потенциальный барьер понижается и через переход протекает относительно большой диффузионный ток. 5. При обратном смещении p-n-перехода потенциальный барьер повышается, диффузионный ток уменьшается до нуля и через переход протекает малый по величине дрейфовый ток. Это говорит о том, что p-n-переход обладает односторонней проводимостью. Данное свойство широко используется для выпрямления переменных токов. 6. Ширина p-n-перехода зависит: от концентраций примеси в p- и n-областях, от знака и величины приложенного внешнего напряжения . При увеличении концентрации примесей ширина p-n-перехода уменьшается и наоборот. С увеличением прямого напряжения ширина p-n-перехода уменьшается. При увеличении обратного напряжения ширина p-n-перехода увеличивается.

21 4. Вольт-амперная характеристика p-n перехода

4. Вольт-амперная характеристика p-n перехода

Вольт-амперная характеристика p-n-перехода – это зависимость тока через p-n-переход от величины приложенного к нему напряжения

– Электронный ток дрейфа

– Дырочный ток дрейфа

– Электронный ток диффузии

– Дырочный ток диффузии

22 – Концентрация электронов, инжектированных в p-область

– Концентрация электронов, инжектированных в p-область

– Концентрация дырок, инжектированных в n-область

Где

И

Неосновные носители,

– Собственные концентрации носителей зарядов (без примеси) электронов и дырок соответственно

,

И

23 где – коэффициент диффузии дырок или электронов, – диффузионная длина

где – коэффициент диффузии дырок или электронов, – диффузионная длина

дырок или электронов. Так как параметры очень сильно зависят от температуры, обратный ток иначе называют тепловым током.

24 Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г
25 Схема, иллюстрирующая лавинный пробой в p-n-переходе: а –

Схема, иллюстрирующая лавинный пробой в p-n-переходе: а –

распределение токов; б – зонная диаграмма, иллюстрирующая лавинное умножение при обратном смещении перехода

26 Параметром, характеризующим лавинный пробой является коэффициент

Параметром, характеризующим лавинный пробой является коэффициент

лавинного умножения , определяемый как количество актов лавинного умножения в области сильного электрического поля

Лавинный пробой свойственен полупроводникам, со значительной толщиной p-n-перехода, образованных слаболегированными полупроводниками. При этом ширина обедненного слоя гораздо больше диффузионной длины носителей. Пробой происходит под действием сильного электрического поля с напряженностью

27 Туннельный пробой происходит в очень тонких p-n-переходах, что

Туннельный пробой происходит в очень тонких p-n-переходах, что

возможно при очень высокой концентрации примесей и при небольших значениях обратного напряжения (несколько вольт), когда возникает большой градиент электрического поля. Высокое значение напряженности электрического поля, воздействуя на атомы кристаллической решетки, повышает энергию валентных электронов и приводит к их туннельному «просачиванию» сквозь «тонкий» энергетический барьер из валентной зоны p-области в зону проводимости n-области. Причем «просачивание» происходит без изменения энергии носителей заряда. Для туннельного пробоя также характерен резкий рост обратного тока при практически неизменном обратном напряжении.

Зонная диаграмма туннельного пробоя p-n-перехода при обратном смещении

28 Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г
29 p-n-переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого

p-n-переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого

определяется как отношение изменения накопленного в p-n-переходе заряда к обусловившему это изменение приложенного внешнего напряжения Различают барьерную (или зарядную) и диффузионную емкость р-n-перехода Барьерная емкость соответствует обратно включенному p-n-переходу, который рассматривается как обычный конденсатор, где пластинами являются границы обедненного слоя, а сам обедненный слой служит несовершенным диэлектриком с увеличенными диэлектрическими потерями

5. Емкость p-n перехода

30 Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения

Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения

31 Диффузионная емкость характеризует накопление подвижных носителей

Диффузионная емкость характеризует накопление подвижных носителей

заряда в n- и p-областях при прямом напряжении на переходе. Она практически существует только при прямом напряжении, когда носители заряда диффундируют (инжектируют) в большом количестве через пониженный потенциальный барьер и, не успев рекомбинировать, накапливаются в n- и p-областях

32 6. Контакт металл-полупроводник

6. Контакт металл-полупроводник

Контакт «металл – полупроводник», не обладающий выпрямляющим свойством

Контакт «металл – полупроводник», обладающий выпрямляющим свойством

33 7. Контакт между п/п одного типа проводимости

7. Контакт между п/п одного типа проводимости

Переход между двумя областями с одним типом электропроводности, отличающиеся значением концентрации примесей

34 Гетеропереход - переходный слой с существующим там диффузионным

Гетеропереход - переходный слой с существующим там диффузионным

электрическим полем между двумя различными по химическому составу полупроводниками, обладающие различной шириной запрещенной зоны

(Ge-GaAs), (GaAs-InP), (GaAs-InAs), (Ge-Si)

8. Гетеропереходы

35 Зонные энергетические диаграммы гетеропереходов: а – выпрямляющий

Зонные энергетические диаграммы гетеропереходов: а – выпрямляющий

гетеропереход между полупроводниками p- и n-типа с преимущественной инжекцией электронов в узкозонный полупроводник; б – выпрямляющий гетеропереход между полупроводниками n-типа без инжекции неосновных носителей заряда

«Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г»
http://900igr.net/prezentacija/prazdniki/segodnja-voskresene-22-nojabrja-2015-g-214537.html
cсылка на страницу

Религиозные праздники

21 презентация о религиозных праздниках
Урок

Праздники

30 тем
Слайды
900igr.net > Презентации по праздникам > Религиозные праздники > Сегодня: воскресенье, 22 ноября 2015 г