Лазеры Скачать
презентацию
<<  Принцип работы лазера Применение лазеров  >>
Полупроводниковые лазеры
Полупроводниковые лазеры
Содержание:
Содержание:
Полупроводниковый лазер -
Полупроводниковый лазер -
Важные особенности п.л
Важные особенности п.л
Историческая справка:
Историческая справка:
Люминесценция в полупроводниках (а) Инверсия населённостей в
Люминесценция в полупроводниках (а) Инверсия населённостей в
Методы накачки в п.л
Методы накачки в п.л
Инжекционные лазеры
Инжекционные лазеры
П.л. с электронной накачкой
П.л. с электронной накачкой
Полупроводниковые лазерные материалы:
Полупроводниковые лазерные материалы:
Применение п.л
Применение п.л
Спасибо за внимание
Спасибо за внимание
Слайды из презентации «Полупроводниковые лазеры» к уроку физики на тему «Лазеры»

Автор: Пользователь. Чтобы увеличить слайд, нажмите на его эскиз. Чтобы использовать презентацию на уроке, скачайте файл «Полупроводниковые лазеры.ppt» бесплатно в zip-архиве размером 367 КБ.

Скачать презентацию

Полупроводниковые лазеры

содержание презентации «Полупроводниковые лазеры.ppt»
СлайдТекст
1 Полупроводниковые лазеры

Полупроводниковые лазеры

Выполнила: Вартанова Анна У4-02

2 Содержание:

Содержание:

Полупроводниковые лазеры и их особенности Историческая справка Люминесценция и инверсия населенностей в полупроводниках Методы накачки в п.л. Инжекционные лазеры П.л. с электронной накачкой П.л. материалы Применение п.л.

3 Полупроводниковый лазер -

Полупроводниковый лазер -

полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л., в отличие от лазеров др. типов, используются излучательные квантовые переходы не между изолированными уровнями энергии атомов, молекул и ионов, а между разрешенными энергетическими зонами кристалла. В П. л. возбуждаются и излучают (коллективно) атомы, слагающие кристаллическую решётку.

4 Важные особенности п.л

Важные особенности п.л

Компактность Высокая эффективность преобразования электрической энергии в энергию когерентного излучения (до 30—50%); Малая инерционность, обусловливающая широкую полосу частот прямой модуляции (более 109 Ггц); Простота конструкции; Возможность перестройки длины волны излучения и наличие большого числа полупроводников, непрерывно перекрывающих интервал длин волн от 0,32 до 32 мкм.

5 Историческая справка:

Историческая справка:

1959 г. – опубликована первая работа о возможности использования полупроводников для создания лазера 1961 г. – для этих целей предложено применение p-n переходов 1962 г. – осуществлены п.л. На кристалле GaAs (США) 1964 г. – осуществлен п.л. с электронным возбуждением; сообщено о создании п.л. с оптической накачкой 1968 г. – созданы п.л. с использованием гетероструктуры.

6 Люминесценция в полупроводниках (а) Инверсия населённостей в

Люминесценция в полупроводниках (а) Инверсия населённостей в

полупроводниках (б).

7 Методы накачки в п.л

Методы накачки в п.л

Инжекция носителей тока через р—n-переход, гетеропереход или контакт металл — полупроводник (инжекционные лазеры); Накачка пучком быстрых электронов; Оптическая накачка; Накачка путём пробоя в электрическом поле. Наибольшее развитие получили П. л. первых двух типов.

8 Инжекционные лазеры

Инжекционные лазеры

9 П.л. с электронной накачкой

П.л. с электронной накачкой

10 Полупроводниковые лазерные материалы:

Полупроводниковые лазерные материалы:

Полупроводник

Длина волны излучения, мкм

Максимальная рабочая температура, К

Способ накачки

ZnS ZnO Zn1-xCdxS ZnSe CdS ZnTe CdS1-xSex CdSe CdTe

0,32 0,37 0,32—0,49 0,46 0,49—0,53 0,53 0,49—0,68 0,68—0,69 0,79

77 77 77 77 300 77 77 77 77

Э э э э, о, п э э, о э, о э, о

GaSe GaAs1-xPx AlxGa1-xAs InxGa1-xP GaAs lnP InxGa1-xAs InP1-xAsx InAs InSb

0.59 0,62—0,9 0,62—0,9 0,60—0,91 0,83—0,90 0,90—0,91 0,85—3,1 0,90—3,1 3,1—3,2 5,1—5,3

77 300 300 77 450 77 300 77 77 100

Э, о э, о, и о, и о, и э, о, и, п о, и, п о, и о, и э, о, и э, о, и

PbS PbS1-xSx PbTe PbSe PbxSn1-xTe

3,9—4,3 3,9—8,5 6,4—6,5 8,4—8,5 6,4—31,8

100 77 100 100 100

Э, и о, и э, о, и э, о, и э, о, и

11 Применение п.л

Применение п.л

Оптическая связь (портативный оптический телефон, многоканальные стационарные линии связи); Оптическая локация и специальная автоматика (дальнометрия, высотометрия, автоматическое слежение и т.д.); Оптоэлектроника (излучатель в оптроне, логические схемы, адресные устройства, голографические системы памяти), Техника специального освещения (скоростная фотография, оптическая накачка др. лазеров и др.); Обнаружение загрязнений и примесей в различных средах; Лазерное проекционное телевидение

1 — электронная пушка; 2 — фокусирующая и отклоняющая система; 3 — полупроводниковый кристалл — резонатор; 4 — объектив; 5 — экран.

12 Спасибо за внимание

Спасибо за внимание

«Полупроводниковые лазеры»
http://900igr.net/prezentatsii/fizika/Poluprovodnikovye-lazery/Poluprovodnikovye-lazery.html
cсылка на страницу
Урок

Физика

133 темы
Слайды
Презентация: Полупроводниковые лазеры.ppt | Тема: Лазеры | Урок: Физика | Вид: Слайды
900igr.net > Презентации по физике > Лазеры > Полупроводниковые лазеры.ppt